フラッシュメモリーの記憶容量が1000倍に

フラッシュメモリーの記憶容量が1000倍に

広島大学大学院理学研究科の西原禎文准教授らは、

市販の不揮発性メモリーに比べて１０００倍以上の情報を収納できるフラッシュメモリーの開発につながる分子を発見した

タングステンや酸素、リンの原子から成るカゴ状の分子が情報記録材料として機能するかどうかを検討。同分子の空洞内にはテルビウムイオンが存在し、その空洞の中心からずれた２カ所の安定な場所のどちらかに同イオンは存在する。同イオンが２カ所の間を移動することで、分子全体がメモリーとして機能することを示した。

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