舞姫

ひぐらし日記

米マイクロンが高性能のHBM開発に相次ぎ成功 韓国のメモリーに危機

2024-06-20 | 日記
 6月2日、HBM(High Bandwidth Memory、広帯域メモリー)市場に遅れて参入した米マイクロン・テクノロジーが、高性能のHBM開発に相次ぎ成功し、
 「韓国HBM業界もマイクロンの低電力技術を認め、警戒し始めている」と

 米マイクロンが高性能の次世代HBMは「HBM3E 12H」とみられる。同社は2月に公開した「HBM3E 8H」でも競合メーカー比30%電力効率の優れた製品を出し、NVIDIAへの供給に成功しており、「次世代HBMでもトップに立つ勢い」だという。
 また、生産能力(CAPA)も急速に伸びており、SKハイニックスとサムスン電子を猛追しているという。マイクロンのHBM生産能力は今年12インチウェハ基準2万枚。韓国2社の生産能力の20%ほどだが、来年には大きく拡大され、量産能力の面でも韓国の脅威になる見通しだという。

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