原惑星系円盤の低圧範囲での衝突により溜まる電荷

摩擦により静電気が溜まるように衝突により静電気が溜まる重力だけでなく静電気で粒子が集積する。以下、機械翻訳。
原惑星系円盤の低圧範囲での衝突により溜まる電荷

概要
近年、惑星形成の初期段階で小石の成長を促進するために衝突帯電が提案されています。 原始惑星系円盤の大気圧
10^-9 mbar未満から、mbarをはるかに超えるまでの広い範囲に及びます。 それでも、実験
同じ材料表面の衝突帯電については、地球の大気圧、火星の気圧、より一般的には10^-2mbarまで
これまで。 この作業は、同じの最初の圧力依存電荷測定を提示します
10^-8と10^3mbarの間の物質の衝突。 強力な充電が発生します
最低圧力。 詳細には、私たちの観察は圧力との強い類似性を示しています
2つの電極間の絶縁破壊電圧の依存性と
破壊はまた、原始惑星で衝突する粒子の最大電荷を決定します
ディスク。 衝突帯電は原惑星のすべての部分で発生する可能性があると結論付けます
惑星形成に関連するディスク。
キーワード：原始惑星系円盤


図1.実験のスケッチ。 上：基本的な実験コンポーネント。 測定器の詳細を以下に示します。 ここでは、
ガラス粒子（図示せず）はガラスフラスコ内を自由に移動できます
そして回転すると、ファーデイカップに落ちます。


図2.a）未処理の粒子表面とb）のSEM画像
イソプロパノールで処理した後の表面の凹凸。 ご了承ください
粒子の表面のほとんどは処理後にきれいですが小さな凹凸を強調する画像を選びました
残っている可能性があります。


図3.正味電荷（上）と電荷の圧力依存性
空気中の摩擦帯電ガラス粒子の変動（下）。 上にプロットされているのは、一定の距離で0.02mbarを超えるパッシェン曲線です。
（詳細については、テキストを参照してください）。 その下は一定の適合です。


図4.Zhengetal。から取得した2つの電極間の絶縁破壊電圧の一般的なスキーム。 （2013）

4原始惑星系円盤での充電
私たちの結果は、衝突充電が可能であることを示しています
惑星形成に関連する原始惑星系円盤のすべての領域全体。 どのプロセスが充電または放電の原因であるかを詳細に判断することはできませんが、10-8mbarまでの低圧では問題がないことがわかります。
充電を制限します。 実際、それはむしろ逆の効果をもたらします。
高温での測定は、電荷移動に水が重要であることを意味します。 原始惑星系円盤では、
水は豊富です。 さらに、圧力と温度
通常、星からの半径方向の距離に依存します。つまり、低圧には低温と高温が伴います。
高温での圧力。 この作品はどちらも与えません
氷のある寒い環境での充電の結果
粒子は種として支配的であり、高温では
高圧。 ただし、後者については、M´endez Harperetal。
（2018）は、衝突充電もこれで発生することを示しました
政権。

5。結論
正味電荷の圧力依存性を測定しました
球形のガラスビーズが他のビーズと衝突する場合、基本的に平らなガラス面。 最大料金は定性的です
破壊理論に同意して、高電荷を説明する
非常に低い圧力で、中間圧力で最小のチャージ。 充電はによって緩和される可能性があります
水イオン。 この作業で調査したすべての圧力で充電が可能であり、したがって衝突充電が可能であることがわかりました。
少なくとも私たちのパラメータでは、のすべての部分で発生する可能性があります
惑星形成に関連する原始惑星系円盤。 衝突充電は重要なプロセスである可能性があると結論付けています
惑星形成において。