Article 48, PCT

Article 48
Delay in Meeting Certain Time Limits
遵守されなかつた期間

(1)  Where any time limit fixed in this Treaty or the Regulations is not met because of interruption in the mail service or unavoidable loss or delay in the mail, the time limit shall be deemed to be met in the cases and subject to the proof and other conditions prescribed in the Regulations. 
（１） この条約又は規則に定める期間が郵便業務の中断又は避けることのできない郵便物の亡失若しくは郵便の遅延によつて遵守されなかつた場合において、規則に定める場合に該当し、かつ、規則に定める立証その他の条件が満たされているときは、期間は、遵守されたものとみなす。

(2)(a)  Any Contracting State shall, as far as that State is concerned, excuse, for reasons admitted under its national law, any delay in meeting any time limit.
（２）（ａ） 締約国は、期間が遵守されていないことが国内法令で認められている遅滞の事由と同一の事由による場合には、自国に関する限り、遅滞を許すものとする。

(b)  Any Contracting State may, as far as that State is concerned, excuse, for reasons other than those referred to in subparagraph (a), any delay in meeting any time limit.
（ｂ） 締約国は、期間が遵守されていないことが（ａ）の事由以外の事由による場合であつても、自国に関する限り、遅滞を許すことができる。

https://www.wipo.int/export/sites/www/pct/ja/docs/pct.pdf

上位システム

EP3031262
[0245] The WTRU may be configured with a target ratio of information bit rate and bandwidth.
ＷＴＲＵは、情報ビットレートおよび帯域幅のターゲット比で構成されうる。

In wireless systems, the required Eb/No (e.g., ratio of Energy per Bit (Eb) to the Spectral Noise Density (No)) may be higher than (2y-l)/y, e.g., where y is the ratio between information bit rate R and bandwidth W.
ワイヤレスシステムにおいて、必要とされるＥｂ／Ｎｏ（例えば、スペクトルノイズ密度（Ｎｏ）に対するビットごとのエネルギーの比（Ｅｂ））は、（２^y－１）／ｙよりも高くてよく、例えば、ｙは、情報ビットレートＲと帯域幅Ｗとの比である。

According to this relationship, e.g., for a single user link, to minimize Eb/No and maximize range, y=R/W may be set to low (e.g., very low) and W may be set to high (e.g., very high).
この関係に従って、例えば、単一のユーザリンクでは、Ｅｂ／Ｎｏを最小化し、範囲を最大化するために、ｙ＝Ｒ／Ｗは、低い（例えば、非常に低い）に設定されてよく、Ｗは、高い（例えば、非常に高い）に設定されてよい。

The setting of the values or W and y may use higher system resources. 
値、すなわちＷおよびｙの設定は、上位システムリソースを使用することができる。

US9862554
FIG. 58A illustrates a variation of FIG. 57, where the bottom level 58002 of the system consists of a plurality of robotic systems as described in this disclosure and the top level system 58004 employs process modules 5002 oriented at a 45 degree angle to the main system axis.
図５８Ａは、図５７の変形例を示し、本開示に記載されたようにシステムの下位５８００２は複数のロボットシステムから構成され、上位システム５８００４は、主要システム軸に対して４５度の角度に向けられた処理モジュール５００２を用いる。

The proposed layout allows for the combination of nine process modules 5002 in a very compact space.
提案された配置は、非常にコンパクトなスペースで９つの処理モジュール５００２の組み合わせを可能にする。

WO2018071479
Referring to Figure 3, depicted is a schematic diagram of a sampling circuit with a single channel differential-input multiplexer comprising two high-voltage switches.
図３を参照すると、２つの高電圧スイッチを含む単一チャネル差動入力マルチプレクサを有する、サンプリング回路の概略図が示されている。

According to the teachings of this disclosure, a small differential voltage must be measured on top of a large common-mode voltage.
本開示の教示によると、僅かな差動電圧は、高いコモンモード電圧の頂点で測定しなければならない。

The common-mode may be from about zero (0) VDC to about 32 VDC.
コモンモードは、約０ＶＤＣ～約３２ＶＤＣであってよい。

The differential signal may be, for example, as small as +/-25 mV, for example, a voltage caused by a current through a sense resistor.
差動信号は、＋／－２５ｍＶ程度の小さい値、例えば、センス抵抗を通る電流によって生じる電圧であり得る。

The supply voltage for this circuit may be, for example but is not limited to, 2.6 VDC.
本回路の電源電圧は、これに限定されないが、例えば２．６ＶＤＣであり得る。

As an example, but not a limitation, eight inputs may be multiplexed, with each one having a different (unknown) common mode voltage VCM.
一例として、限定されないが、８個の入力を多重化でき、各入力は、異なる（未知の）コモンモード電圧Ｖ_ＣＭを有する。

The circuit shown in Figure 3 is an example of a switch-multiplexer that may be used in a higher-level system to measure a small differential voltage (at high VCM) and convert it to a larger low-voltage signal.
 図３で示す回路は、僅かな差動電圧（高ＶＣＭにおける）を測定し、これをより大きな低電圧信号へと変換するために上位システムで使用可能な、スイッチ－マルチプレクサの一例である。

非同期処理

US2015002875
[0037] An archival storage system may operate differently than an on-demand data storage service.
アーカイバルストレージシステムは、オンデマンドデータストレージサービスとは異なって動作することができる。

For instance, an archival storage system may be configured to store data in a manner that reduces the costs of storage at the expense of performance in connection with data access.
例えば、アーカイバルストレージシステムは、データアクセスに関連する性能を低下させてストレージコストを減少するような方式でデータを記憶するように構成できる。

As one illustrative example, the archival storage system
例示的な一実施例として、アーカイバルストレージシステムは、

may be configured to perform data operations (i.e., store and retrieve data) asynchronously to take advantage of cost savings afforded by batch processing and parallelism.
バッチ処理及び並列処理によってコストを節約するように、非同期的にデータオペレーションを実行する（すなわち、データを記憶及び取得する）ように構成できる。

For instance, a client of the archival storage system
例えば、アーカイバルストレージシステムのクライアントは、

may receive requests to access data objects stored in the archival storage system, aggregate the requests, process the requests in batches and make the requested data available for retrieval using additional requests.
アーカイバルストレージシステムに記憶されているデータオブジェクトにアクセスするためのリクエストを受信し、リクエストを収集し、リクエストをバッチ処理し、リクエストされたデータを、追加のリクエストを使用した取得に利用可能にすることができる。

Due to the asynchronous processing, the archival storage system may require another request to retrieve a data object once the data object has been made ready for retrieval,
非同期処理の故に、アーカイバルストレージシステムは、データオブジェクトが取得される状態になると、データオブジェクトを取得するための別のリクエストを要求する場合がある。

such as by reading the data object from one or more archival data storage devices and writing the data to one or more staging data storage devices from which the data object is available.
これは例えば、一つ以上のアーカイバルデータストレージデバイスからデータオブジェクトを読み出し、データオブジェクトを利用可能な一つ以上のステージングデータストレージデバイスにデータを書き込むことによって行われる。

WO2018004727
[0003] In some implementations, at least some user requests made to a digital assistant, e.g., a conversational agent, can be performed asynchronously to the user's request.
いくつかの実装形態では、デジタルアシスタント、たとえば対話エージェントに対して実施される少なくともいくつかのユーザ要求をユーザの要求と非同期的に行うことができる。

Users may submit various types of requests to a digital assistant, some of which may not require execution to be immediate or synchronous with the user's request.
ユーザは、デジタルアシスタントに対して様々なタイプの要求を出す場合があり、そのうちのいくつかは実行が即時であること、またはユーザの要求と同期的であることを必要としない場合がある。

A server system can identify user requests that are appropriate for asynchronous execution, and decouple the timing for carrying out those requests from the user's conversation with the digital assistant.
サーバシステムは、非同期実行に適したユーザ要求を識別し、それらの要求を実行するためのタイミングをデジタルアシスタントとのユーザの対話から切り離すことができる。

As a result, the system can avoid delays that could block the user from making other requests to the digital assistant.
結果として、システムは、ユーザがデジタルアシスタントに他の要求を行うことを妨げる可能性がある遅延を回避することができる。

For example, with synchronous execution, a user is typically required to wait until the most recently requested action is completed before the user may issue a new request.
たとえば、同期実行ではユーザは、一般的に直近に要求されたアクションが完了されるまで待つ必要があり、その後ユーザは新しい要求を発行してもよい。

These delays can be avoided with asynchronous processing, however,
しかしながら、これらの遅延は非同期処理で回避することができる。

since new requests can be received and processed in parallel with previously requested actions that are in process or are scheduled to be performed.
新しい要求が、進行中であるまたは実施するようスケジュールされているすでに要求されたアクションと並行して受信し、処理することができるからである。

As an example, when a first action is selected for asynchronous execution, the digital assistant can provide confirmation that the first action will be executed, and receive and process further requests from the user before the first action has completed.
一例では、第1のアクションが非同期実行に選択されるとき、デジタルアシスタントは、第1のアクションが実行されることになるという確認を実施し、第1のアクションが完了する前にユーザからさらなる要求を受信しかつ処理することができる。

WO2016209434
[0171] This message is only sent by the server and currently only used when an upload fails during asynchronous processing.
このメッセージは、サーバによってのみ送信され、現在は、非同期処理の間にアップロードが失敗した際にのみ使用される。

US20090293073
18. A method for utilizing a wrapper around an original function in a single threaded environment to enable asynchronous calls to be made in a manner that appears to be synchronous comprising the steps of:

automatically generating a wrapper around an original function dynamically at runtime; and

when metadata indicates that the wrapper should be utilized for retrieving data asynchronously, then performing an asynchronous process for retrieving the data that comprises the steps of:

utilizing the wrapper around the original function to call a data retrieving function;

initiating an asynchronous retrieval of data from the data retrieving function using a direct callback function;

抵抗変化膜

US2020020743(JP, NEC)
1. A resistance variation element, comprising:
a resistance variation film of a metal depositing type;
金属析出型の抵抗変化膜と、

a first electrode which contacts with a first surface of the resistance variation film in a predetermined first region and supplies metallic ions via the first region; and
前記抵抗変化膜の第１の面と所定の第１の領域で面接触し、前記第１の領域を介して金属イオンを供給する第１の電極と、

a second electrode laminated on a second surface of the resistance variation film, wherein
前記抵抗変化膜の第２の面に積層された第２の電極と、を有し、

the first region includes a recessed region surrounded by a simple closed curve or a region surrounded by each of a plurality of simple closed curves,
前記第１の領域は、凹である単純閉曲線で囲まれた領域、又は、複数の単純閉曲線の各々で囲まれた領域を含み、

a line segment which passes through a point outside of the first region, ends of which exist on the simple closed curve, and each point of which in the vicinity of both the ends other than both the ends is outside of the first region, exists, and
前記第１の領域外の点を通り、その両端が前記単純閉曲線上に存在し、前記両端を除く前記両端の近傍の各点が前記第１の領域外にある線分が存在し、

an edge of the first electrode is formed in a part of the simple closed curve including both the ends.
前記両端の各々を含む前記単純閉曲線の部分に前記第１の電極のエッジが形成されている、抵抗変化素子。

US20169867(JP, Sony)
Non-limiting examples of the non-volatile elements R1 may include an MTJ (Magnetic tunnel junctions) element, a variable resistance film, and a ferroelectric film.
不揮発性素子Ｒ１は、例えば、ＭＴＪ（Magnetic tunnel junctions）素子、抵抗変化膜、強誘電体膜などである。

The MTJ element may have, for example, a configuration in which an insulating layer is sandwiched between two ferromagnetic layers.
ＭＴＪ素子は、例えば、２つの強磁性層の間に絶縁層が挟まれた構造を有している。

One of the ferromagnetic layers has fixed magnetization, and the other ferromagnetic layer has variable magnetization.
一方の強磁性層は磁化が固定され、他方の強磁性層は磁化が可変である。

The MTJ element may be configured to hold information by a difference in resistance value caused by fixing a magnetization direction of one of the ferromagnetic layers and varying a magnetization direction of the other ferromagnetic layer.
ＭＴＪ素子は、例えば、一方の強磁性層の磁化の方向を固定し、他方を変化させることでその抵抗値の違いにより、情報を保持するものである。

In the MTJ element, resistance is high when magnetization directions of two magnetic layers are different from each other, and resistance is low when the magnetization directions of the two magnetic layers are the same as each other.
ＭＴＪ素子では、２つの磁性層の磁気の向きが違う時に抵抗が高く、同じ時に抵抗が低い。

The MTJ element reads stored contents (1 or 0) by passing a current to the MTJ element and detecting the current.
ＭＴＪ素子では、ＭＴＪ素子に対して電流を流して、これを検出することにより、記憶内容（１又は０）が読み出される。

The variable resistance film may vary resistance by application of a set voltage or a reset voltage, for example.
抵抗変化膜は、例えば、セット電圧またはリセット電圧を印加することで抵抗が変化するものである。

In the variable resistance film, for example, the resistance may be increased upon application of the reset voltage, and the resistance may be decreased upon application of the set voltage.
抵抗変化膜では、例えば、リセット電圧が印加されたときに抵抗が高くなり、セット電圧が印加されたときに抵抗が低くなる。

The variable resistance film reads stored contents (1 or 0) by passing a current to the variable resistance film and detecting the current.
抵抗変化膜では、抵抗変化膜に対して電流を流して、これを検出することにより、記憶内容（１又は０）が読み出される。

The ferroelectric film exhibits positive or negative spontaneous polarization with use of ferroelectric hysteresis by application of a voltage to the ferroelectric film.
強誘電体膜では、強誘電体のヒステリシスを利用し、強誘電体膜に電圧をかけて正または負に自発分極させる。

The ferroelectric film reads stored contents (1 or 0) by passing a current to the ferroelectric film and detecting the current.
強誘電体膜では、強誘電体膜に対して電流を流して、これを検出することにより、記憶内容（１又は０）が読み出される。

US2015171319(JP, Taiyo Yuden)
[0013] The structure of sandwiching the insulator with two electrodes from the front and rear is suited to highly integrating the memory.
絶縁体の抵抗変化膜の表裏を２つの電極で挟んだ構造は、メモリの高集積化に適している。

However, if ReRAM is used together with other semiconductor elements, wiring lines need to be provided both on the front and rear, which means wiring lines cannot be formed all at once,
しかしながら、他の半導体素子と混載して使用する場合には、表裏の２面に配線するため、一括して配線加工できないことに加えて、

and because the distance between wiring lines is the same as the thickness of the resistive-switching film, insulation failure sometimes occur between wiring lines, which means that it is difficult to use ReRAM together with other semiconductor elements.
 配線間距離が抵抗変化膜の厚さになり、配線間が絶縁不良になる場合が発生するために、他の半導体素子との混載が難しいという問題がある。

US9183925(JP, Panasonic)
A cross point memory, particularly, ReRAM (Resistive RAM), whose resistance changes quickly by electrical pulses,
クロスポイント型、特に電気パルスで高速に抵抗変化するＲｅＲＡＭ（Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ  ＲＡＭ）では、

adopts a simple structure in which a variable resistance film is interposed between electrodes, and thus
抵抗変化膜を電極で挟んだだけのシンプルな構造のため、

it is expected that a highly integrated nonvolatile memory device can be implemented by utilizing wiring layers and plugs in semiconductor process.
半導体プロセスの配線層やプラグを利用して、非常に高密度な不揮発性メモリ装置が実現可能であると期待されている。

PTL 1 has proposed ReRAM which includes a three-dimensionally structured memory cell array in which a plurality of cross point nonvolatile memory arrays are layered on a substrate.
また、特許文献１のＲｅＲＡＭでは、クロスポイント型不揮発性メモリアレイを基板上に複数積層される三次元構造のメモリセルアレイを備えるものが提案されている。

It is described that the ReRAM is advantageous in that the area of chip can be significantly reduced for achieving the same capacity.
これは、同じ容量に対してチップ面積を大幅に小さくできる利点を持つことが述べられている。

イベントの発火

US8726237
The delegate may be configured through the first connection to receive event data from the software platform. It may be appreciated that in one example, the event data may be a notification of an event firing（＊発火）. In another example, the event data may comprise additional information regarding the firing of an event, such as, event arguments. For example, event data may be data associated with a MouseOver event that is wrapped in a COM object. The delegate may be configured through the second connection to notify a function (e.g., an event handler within the process) of the event data. This allows the function to execute code to handle the event data (e.g., highlight a button that the mouse was positioned over). Because the delegate is performing lifetime management of memory and objects (e.g., adhering to the guidelines of COM), the event handlers do not need manual programming of this functionality.

受光量

WO2018175579
[037] In the transmissive mode of operation, a transmitter and receiver of optical sensor 113 may be situated such that the IR illumination is projected directly from the LED onto the phototransistor receiver.
透過動作モードでは、ＩＲ照明がＬＥＤからフォトトランジスタ受信機上に直接投影されるように、光学センサ１１３の送信機と受信機を位置させてもよい。

As drug formulation passes through this projected "beam", the particles cast shadows onto the receiver, thereby reducing the amount of received light.
薬物配合物がこの投影された「ビーム」を通過するとき、粒子が受信機上に影を落とし、そのため受光量が減少する。

This reduction in received light can be converted into an electronic signal and processed in a similar manner as that used for the reflective mode of operation, with the exception that the signal is effectively inverted;
この受光減少は、信号が効果的に反転されることを除いて、反射動作モードに使用されるのと同様の方法で電子信号に変換され、処理され得る。

mat is, a maximum signal level indicates no formulation is present, and a minimum signal indicates that a large amount of formulation is present.
すなわち、最大信号レベルは配合物が存在しないことを示し、最小信号は大量の配合物が存在することを示す。

Article 47, PCT

Article 47
Time Limits
期間 

(1)  The details for computing time limits referred to in this Treaty are governed by the Regulations.
（１） この条約に規定する期間の計算については、規則に定める。

(2)(a)  All time limits fixed in Chapters I and II of this Treaty may, outside any revision under Article 60, be modified by a decision of the Contracting States.
（２）（ａ） 前二章に定めるすべての期間は、第六十条の規定による改正のほか、締約国の決定によつても変更することができる。

(b)  Such decisions shall be made in the Assembly or through voting by correspondence and must be unanimous.
（ｂ） （ａ）の決定は、総会において又は通信による投票によつて行うものとし、全会一致によらなければならない。

(c)  The details of the procedure are governed by the Regulations.
（ｃ） （ａ）の変更のための手続の細目は、規則に定める。

https://www.wipo.int/export/sites/www/pct/ja/docs/pct.pdf

「ーK結晶方位

Γ-K 結晶方位

Γ：ガンマの大文字

カギ括弧の誤記かと思った。

面直方向

WO2017117238
 According to still other embodiments, a polymer based composite formed according to embodiments described herein may have a particular thermal conductivity.
更に他の実施形態によれば、本明細書に記載された実施形態により形成されたポリマー系複合材は、特定の熱伝導率を有してよい。

Thermal conductivity is calculated as the product of thermal diffusivity, density and heat capacity.
熱伝導率は、熱拡散率、密度、及び熱容量の積として計算する。

More particularly, through plane thermal conductivity is calculated as the product of the through plane thermal diffusivity, the density and the heat capacity.
り詳細には、面直方向熱伝導率は、面直方向熱拡散率、密度、及び熱容量の積として計算する。

The thermal diffusivity of the composite polymer is measured according to the standard ASTM C-518 by the thermal flows method.
よ複合材ポリマーの熱拡散率は、ＡＳＴＭ  Ｃ－５１８標準に従って、熱流法により測定する。

 The diffusivity is measured perpendicularly to the composite polymer layer.
拡散率は、複合材ポリマー層に対し垂直に測定する。

The heat capacity of the composite polymer is measured by DSC (differential scanning calorimetry) on a Netzsch thermobalance. The composite polymer density is measured by Helium pycnometry.
複合材ポリマーの熱容量を、Ｎｅｔｚｓｃｈの熱てんびんでＤＳＣ（示差走査熱量計）により測定する。複合材ポリマー密度は、ヘリウムピクノメトリーにより測定する。

US2017159446
[0023] In the exemplary embodiment, tip cover 126 includes a bottom surface 128, a top surface 130, and an exemplary wear indication feature 200.
例示の実施形態では、先端カバー１２６は、底面１２８、天面１３０、および、例示の摩耗表示機構２００を備える。

Feature 200 is used to quantitatively determining an amount of wear on tip cover 126 and an associated remaining service lifetime of tip cover 126 or bucket 74.
機構２００は、先端カバー１２６の摩耗量の定量判定に用いられ、バケット７４の先端カバー１２６の残りの耐用期間に関連する。

In the exemplary embodiment, during certain operating modes of turbine engine 10 (shown in FIG. 2), radially outer surface 130 contacts an inner surface of stationary carrier 62 (shown in FIG. 2) such that a thickness T of tip cover 126 changes over the service lifetime of bucket 74.
例示の実施形態では、（図２に示された）タービンエンジン１０の特定の動作モードの間、半径方向の外側面１３０は、バケット７４の耐用期間にわたって先端カバー１２６の厚みＴが変化するように、（図２に示された）静止キャリア６２の内側面に接触する。

In the exemplary embodiment, wear indication feature 200 includes a frustoconical-shaped cavity formed in radially outer surface 130 that extends a depth De toward inner surface 128 to a location 132 radially inward of, or normally inward to, outer surface 130.
例示の実施形態では、摩耗表示機構２００は、半径方向の外側面１３０に形成された円錐台形状の空洞を備え、円錐台形状の空洞は、外側面１３０の半径方向の内側、すなわち面直方向の内側へ内側面１２８に向けて位置１３２までＤ_eの深さまで伸びる。

In the exemplary embodiment, depth De is approximately midway between surfaces 128 and 130. Alternatively, depth De is any depth that facilitates operation of wear indication feature 200 as described herein.
例示の実施形態では、深さＤ_eは表面１２８および１３０のほぼ中間である。代替的に、深さＤ_eは本明細書に記載されるような摩耗表示機構２００の動作を促進するいかなる深さであってもよい。

WO2016044106
[0031] An embodiment of the devices of the present disclosure can be realized by using elliptical silicon posts resting on a fused silica substrate.
本開示のデバイスの一実施形態は、溶融シリカ基板上に載置される楕円形のシリコン柱を使用することによって実現することができる。

As shown in Fig. 1, the light (105) that is normally incident to the substrate (110) undergoes a phase shift and polarization modification (115) as it passes through the elliptical silicon posts (120).
図１に示すように、基板（１１０）に面直方向に入射する光（１０５）は、楕円形のシリコン柱（１２０）を通過する際に、位相シフトおよび偏光の変更（１１５）を受ける。

The polarization of the light linearly polarized along the major or minor axis of the elliptical posts does not change and only undergoes a phase shift.
楕円柱の長軸または短軸に沿って直線偏光された光の偏光は変化せず、位相シフトのみを受ける。

Therefore, the elliptical posts behave effectively similarly to a material with birefringence.
従って、楕円柱は、複屈折を有する材料と効果上同様の挙動をする。

Birefringence is the optical property of a material having a refractive index that depends on the polarization and propagation direction of light.
複屈折は、光の偏光および伝播方向に依存する屈折率を有する材料の光学特性である。

In this example, the structure comprising a substrate and the elliptical posts is anisotropic as the optical response of the posts varies depending on the polarization direction of the incident light.
この例では、基板と楕円柱とを備える構造体は、柱の光学応答が入射光の偏光方向に応じて変化するので、異方性である。

微小な

WO2014066853
[018] The response of a tumor to radiation therapy can also be related to a size of the tumor. For complex reasons, very large tumors respond less well to radiation than smaller tumors or microscopic disease.
放射線療法に対する腫瘍の反応は、腫瘍のサイズにも関係する。複雑な理由で、非常に大きな腫瘍は、小さな腫瘍又は微小な疾患よりも、放射線に対してあまり反応しない。

Various strategies can be used to overcome this effect. The most common technique is surgical resection prior to radiation therapy.
この効力を克服するために様々な戦略を用いることができる。最も一般的な技術は、放射線療法より前の外科的切除である。

This approach is most commonly seen in the treatment of breast cancer with wide local excision or mastectomy followed by adjuvant radiation therapy.
このアプローチは、広範囲局所切除又は乳房切除に続いて補助的放射線療法を行う乳癌の治療において最も一般的に見られる。

Another method involves shrinking the tumor with neoadjuvant chemotherapy prior to radical radiation therapy.
もう一つの方法は、根治的放射線療法の前に腫瘍免疫賦活薬化学療法で腫瘍を縮小することを必要とする。

A third technique involves enhancing the radiosensitivity of the cancer by giving certain drugs during a course of radiation therapy.
第３の技術は、放射線療法の間、特定の薬を投与することによって癌の放射線感受性を強化することを含む。

Examples of radios ens itizing drugs include, but are not limited to Cisplatin, Nimorazole, Cetuximab, and the like.
放射線増感剤の例としては、シスプラチンに限定されず、ニモラゾール、セツキシマブなどが含まれる。

US10439101
A pixel may be a minute area of illumination on a display screen, one of many from which an image is composed.
ピクセルは、ディスプレイスクリーン上の微小な照明領域とすることができ、そのうちの多数のもので画像が構成される。

In other words, pixels may be small discrete elements that together constitute an image as on a display.
換言すれば、ピクセルは、一緒になってディスプレイ上に画像を構成する小さい個別素子とし得る。

These primarily square or rectangular-shaped units may be the smallest item of information in an image.
これらの主として正方形又は長方形の形状をしたユニットが、画像内の情報の最小アイテムであり得る。

Pixels are normally arranged in a two-dimensional (2D) grid, and are represented using dots, squares, or rectangles.
ピクセルは通常、２次元（２Ｄ）グリッドにて配列され、点、正方形、又は長方形を用いて表現される。

Pixels may be the basic building blocks of a display or digital image and with geometric coordinates.
ピクセルは、幾何学座標を有した、ディスプレイ又はデジタル画像の基本ビルディングブロックとし得る。

WO2017111963
Techniques exist to measure heart rate through a subject's skin using optical sensing.
光センシングを用い、被験者の皮膚を通じて心拍数を測定する技術がある。

For example, in photoplethysmography, light emitting diodes may illuminate a region of the skin surface,
例えば、光電式容積脈波記録法では、発光ダイオードが皮膚表面の領域を照射することができ、

and photodiodes may measure minute changes in the light reflected from blood vessels under the skin surface in order to derive a pulsatile signal that is in synchrony with a heartbeat.
フォトダイオードが、心拍と同期する脈動信号を得るために、皮膚表面下の血管から反射した光の微小な変化を測定することができる。

WO2014028104
In at least some embodiments energy storage device 1130 is one of a plurality of energy storage devices (all of which are represented in FIG. 11 by block 1130) contained within mobile electronic device 1100.
少なくともいくつかの実施形態において、エネルギー貯蔵デバイス１１３０は、モバイル電子デバイス１１００内に収容される複数のエネルギー貯蔵デバイス（これらのうち全てが図１１中にブロック１１３０により表される）のうちの１個である。

In one or more of those embodiments mobile electronic device 1100 further includes a switching network 1140 associated with the energy storage devices.
これらの実施形態の１個以上において、モバイル電子デバイス１１００は、エネルギー貯蔵デバイスと関連したスイッチングネットワーク１１４０をさらに包含する。

When a capacitor is being discharged, it doesn't maintain a constant voltage, but instead decays in an exponential manner (unlike a battery where the voltage stays relatively constant during discharge).
キャパシタが放電される場合、該キャパシタは定電圧を維持せず、その代わりに指数的に低下する（放電中に電圧は比較的一定に留まる電池とは異なる）。

Switching network 1140 includes circuitry or some other mechanism that switches in and out various capacitors such that a relatively constant voltage is maintained.
スイッチングネットワーク１１４０は、比較的定電圧が維持されるように回路もしくはキャパシタ内及び外で切り替わる何か他のメカニズムを包含する。

For example, the energy storage devices could initially be connected to each other in parallel and then, after a certain amount of voltage decay,
例えば、エネルギー貯蔵デバイスは最初に互いに並列に接続可能であり、それから電圧の一定量が低下した後、

a subset of the energy storage devices could be changed by the switching network so as to be connected in series such that their individual voltage contributions can boost the declining overall voltage.
エネルギー貯蔵デバイスのサブセットは、スイッチングネットワークにより、これらの各電圧寄与が低下総電圧をブースト可能であるように直列接続に変更可能である。

In one embodiment switching network 1140 could be implemented using existing silicon device technology as used in the art (transistors, silicon controlled rectifiers (SCRs), etc.),
一実施形態において、スイッチングネットワーク１１４０は、当該技術において使用されるような既存のシリコンデバイステクノロジー（トランジスタ、シリコン制御整流子（ＳＣＲ）、等）を使用して実行可能である一方で、

while in other embodiments it could be implemented using micro-electromechanical systems (MEMS) relays or switches (which, it may be noted, tend to have very low resistance).
他の実施形態においてスイッチングネットワーク１１４０は微小な電気機械システム（ＭＥＭＳ）リレーもしくはスイッチ（おそらく、これらは非常に低い抵抗を有する傾向にある）を使用して実行可能である。

WO2010074956
At step 304, the doped lead free solder material may be applied to a substrate comprising a copper pad. In an embodiment, the doped solder material thus fabricated may be used in a conventional C4 bumping and bonding process as would be recognized by one skilled in the art.
工程３０４にて、ドープされた鉛フリーはんだ材料が、銅パッドを有する基板に塗布され得る。一実施形態において、斯くして製造された、ドープされたはんだ材料は、当業者に認識される従来からのＣ４バンプ形成及び接合プロセスで用いられ得る。

Although a method embodiment for forming nickel doped lead free solder is described above, embodiments include within their scope the provision of a doped lead free solder composition in any form, such as, for example, in the form of micro solder-balls.
ニッケルドープされた鉛フリーはんだを形成するための方法の一実施形態を説明したが、本発明の実施形態はその範囲内に、例えば微小なはんだボールの形態などの如何なる形態をした、ドープされた鉛フリーはんだ組成物を提供することをも含む。

US2014090592
[0031] The rollers 150 may be tuned to try to maintain a consistent growth rate or uniform cross-section of the ribbons 124.
ローラー１５０は、リボン１２４の一貫した成長速度又は均一断面を維持するべく努めるように調整される。

FIG. 4 illustrates a force versus length curve 160, with force on the vertical axis and length on the horizontal axis.
図４は、力を縦軸に長さを横軸に取った力対長さ曲線１６０を示している。

The curve 160 is merely illustrative and as such, the length and force values are arbitrary.
曲線１６０は、単に例示であり、よって長さと力の値は任意である。

As shown, the curve 160 generally follows a straight line.
示されている様に、曲線１６０は概ね直線を辿っている。

The curve 160 does show minor deviations from a straight line which may indicate either excessive force or too little force was being exerted on the ribbon 124 as being affected by the solidification rate which is driven by temperature.
曲線１６０は、実際に、直線からの微小な逸脱を示しており、そのことは、温度によって左右される固化速度に影響を受けて、過大な力又は過小な力のどちらかがリボン１２４に掛かっていたことを指し示している。

As such, as the force curve 160 indicates a deviation from a straight line, a speed of the rollers 150 may either increase or decrease so that a desired amount of force is applied.
この様に力の曲線１６０は直線からの逸脱を指し示していることから、ローラー１５０の速さを増加させるか又は減少させるかして、所望量の力が加えられるようにすればよい。

Generally, the force required to pull the ribbon 124 may increase as the length of the ribbon increases.
概して、リボン１２４を引き上げるのに要する力は、リボンの長さが増すと増加する。

However, once the length of the ribbon 124 reaches a threshold level (for example, once the ribbon has reached a length that it extends out of the growth chamber 102 and is being supported by other mechanisms and/or is being cut, the curve may flatten out, as shown).
しかしながら、一旦、リボン１２４の長さが閾値レベルに達すると（例えば、リボンが成長室１０２から脱出する長さに達し、他の機構によって支えられ及び／又は切断されると）、曲線は示されている様に平らになる。

WO2017062566
[0052] The motion features 516 may enable the fusion engine 110 to track movement or motion of a target in or through a radar field.
モーション特徴５１６は、フュージョンエンジン１１０が、レーダフィールドにおけるターゲットの動きまたはモーションを追跡するか、または、レーダフィールドを通るターゲットの動きまたはモーションを追跡することを可能にし得る。

In some cases, the motion feature 516 includes a velocity centroid in one or three dimensions, or a phase-based fine target displacement in one dimension.
いくつかの場合において、モーション特徴５１６は、１次元または３次元における速度重心を含むか、または、１次元における位相ベースの微小なターゲット変位を含む。

Alternately or additionally, the motion feature may include a target velocity or a ID velocity dispersion.
付加的または代替的には、モーション特徴は、ターゲット速度または１Ｄ速度分散を含み得る。

In some embodiments, the position features 518 include spatial 2D or 3D coordinates of a target object.
いくつかの実施形態では、位置特徴５１８は、ターゲット対象の２Ｄまたは３Ｄの空間座標を含む。

The position features 518 may also be useful to range or determine distance to a target object.
位置特徴５１８はさらに、ターゲット対象への距離を範囲決めまたは決定するのに有用であり得る。

WO2005033978
According to another implementation, the analysis may depend on weights assigned to the links.
別の実施態様においては、この分析は、リンクに割り当てられた加重に依存することができる

In this case, each link may be weighted by a function that increases with the freshness of the link.
この場合、各リンクは、リンクの新鮮度に伴い増加する関数によって加重されることができる。

The freshness of a link may be determined by the date of appearance/change of the link, the date of appearance/change of anchor text associated with the link, date of appearance/change of the document containing the link.
リンクの新鮮度は、リンクの出現／変更の日付、リンクに関連付けられたアンカー・テキストの出現／変更の日付、リンクを包含するドキュメントの出現／変更の日付によって決定することができる。

The date of appearance/change of the document containing a link may be a better indicator of the freshness of the link based on the theory that a good link may go unchanged when a document gets updated if it is still relevant and good.
リンクを包含するドキュメントの出現／変更の日付は、優良なリンクは変更されないままという理論に基づき、ドキュメントが更新された際には依然として関連するもの且つ優良であるかどうかの、リンクの新鮮度についてのより優良な指標となることができる。

In order to not update every link's freshness from a minor edit of a tiny unrelated part of a document,
ドキュメントに関連のない些細な部分の微小な編集によるすべてのリンクの新鮮度を更新しない手段として、

each updated document may be tested for significant changes (e. g. , changes to a large portion of the document or changes to many different portions of the document) and a link's freshness may be updated (or not updated) accordingly.
 更新された各ドキュメントは、大きな変更（例えば、ドキュメントの大部分への変更またはドキュメントの多くの異なる部分への変更）について検査されることができ、さらに、リンクの新鮮度が適切に更新される（または更新されないようにする）ことができる。

磁気モーメント、キャント

US8890569
FIG. 1A depicts the nonvolatile logic device in a particular configuration. FIG. 1B depicts nonvolatile logic device 10 after switching to another configuration. The magnetic state of the input device 12 is changed, for example by passing the current through the structure causing spin transfer torque. An appropriate external magnetic field that saturates the magnetic junctions 14, 16, 18, 20, and 22 along their hard axes is applied. The result is that the magnetic moments of the junctions 14, 16, 18, 20, and 22 are aligned with the saturation field along the hard axis. As the external magnetic field is removed, the magnetic moment of the junctions 14, 16, 18, 20, and 22 cant（＊キャント）away from the hard axis. For a situation in which the external magnetic field is removed at an appropriate time, the moments of the junctions 14, 16, 18, 20, and 22 would no longer be aligned in parallel. When the external field is completely removed, the state of the output junction will have switched because of the switch in the input junction, as is shown in FIG. 1B.

US20070064350
Magnetoresistive (MR) elements are disclosed that include pinned layers having canted magnetic moments. An MR element of the invention includes a first pinning layer, a first pinned layer, a first spacer/barrier layer, a free layer, a second spacer/barrier layer, a second pinned layer, and a second pinning layer. The first pinned layer has a canted magnetic moment. By having a canted magnetic moment, the first pinned layer acts as a bias layer to bias the free layer, and acts as a reference layer to enhance the MR signal in the MR element.

歩道橋からのブルーインパルス

5月29日13時前、近くの歩道橋でケータイで撮影、ほんの数十秒です。十数人の老若男女が集合。マンションのベランダから待ち構える人も多数いました。

Article 46, PCT

Article 46
Incorrect Translation of the International Application
国際出願の正確でない翻訳 

If, because of an incorrect translation of the international application, the scope of any patent granted on that application exceeds the scope of the international application in its original language, the competent authorities of the Contracting State concerned may accordingly and retroactively limit the scope of the patent, and declare it null and void to the extent that its scope has exceeded the scope of the international application in its original language.
国際出願が正確に翻訳されなかつたため、当該国際出願に基づいて与えられた特許の範囲が原語の国際出願の範囲を超えることとなる場合には、当該締約国の権限のある当局は、それに応じて特許の範囲を遡及して限定することができるものとし、特許の範囲が原語の国際出願の範囲を超えることとなる限りにおいて特許が無効であることを宣言することができる。

https://www.wipo.int/export/sites/www/pct/ja/docs/pct.pdf

色度位置

WO2007081752
Techniques for computing position and phase information, resulting in much lower computational requirements without any significant loss of accuracy, are described.
精度を著しく失うことなく必要な計算量をかなり減らせる、位置およびフェーズ情報を計算する手法について説明する。

For example, described techniques can reduce computational requirements significantly - e.g., by reducing nominal dynamic range requirements dramatically (by tens of bits).
例えば、説明されている手法は、例えば、公称ダイナミックレンジ要件を劇的に（数十ビットほど）下げることにより必要計算量を著しく減らせる。

Considering the variety of possible chroma positions that may be used in base and enhancement layers, it is desirable to find a solution providing proper positioning of resampled chroma samples relative to luma samples.
ベースレイヤおよびエンハンスメントレイヤで使用されうる様々な可能な色度位置を考えると、輝度サンプルに関する再サンプリングされた色度サンプルの適切な位置決めを行う解決策を見つけることが望ましい。

Accordingly, described techniques allow adjustments to be made to calculate positions for video formats with different relationships between luma and chroma positions.
したがって、説明されている手法を使用することで、輝度位置と色度位置との間の異なる関係によりビデオ形式に対する位置を計算するように調節を行うことができる。

WO2007028940
The invention aims to provide efficient full colour from an electroluminescent source. Full colour comprises at least three primaries, typically red, green and blue, but the invention is not so limited.
本発明の目的は、エレクトロルミネッセンスソースにより高効率のフルカラーを与えることである。フルカラーは、少なくとも３つの原色、代表的には、赤色、緑色及び青色を有するが、本発明はそれらに限定されるものではない。

The invention is equally applicable to four primaries such as RGB+ White or RGB+Cyan
本発明は、例えば、ＲＧＢ＋白色又はＲＧＢ＋シアン色のような４原色に同様に適用可能である。

Current products using the CBW approach are inefficient.
ＣＢＷ方法を用いる現在の製品は非効率的である。

 

Typical radiance outputs, measured in W/sr/rn², can be less than 10% of the original optical emission before filtering.
典型的な放射輝度出力は、Ｗ／ｓｒ／ｍ^２を単位として測定され、フィルタリングする前には、オリジナルの光発光の１０％以下である。

 

Commercially available organic dyes when used with phosphors would typically have poor UV stability and chromaticity position.
市販されている有機色素は、蛍光体と共に用いられるとき、典型的には、低い紫外線安定性及び色度位置を有する。

重なり合って

EP3373207
[0010] FIG. 1 illustrates an exploded view of an example of a circular printed memory device 100. The circular printed memory device 100 may include
図１は、円形印刷メモリ装置１００の一例の分解図を示す。円形印刷メモリ装置１００は、

a base substrate 102, a plurality of bottom electrodes 1041- 104n(hereinafter also referred to individually as a bottom electrode 104 or collectively as bottom electrodes 104), a ferroelectric layer 106 and a single top electrode 108.
ベース基板１０２と、複数の下部電極１０４_１～１０４_ｎ（以下、個別に下部電極１０４またはまとめて下部電極１０４とも呼ぶ）と、強誘電体層１０６と、単一の上部電極１０８とを含み得る。

In one embodiment, the base substrate 102, the bottom electrodes 104, the ferroelectric layer 106 and the single top electrode 108 may be layered on top of one another.
一実施形態では、ベース基板１０２、下部電極１０４、強誘電体層１０６および単一の上部電極１０８は、互いに重なり合って積層されてもよい。

WO2018148624
In this three-roll configuration, a first substrate 734 and at least a second substrate 736 may be conveyed on an absorbent article manufacturing line in the machine direction.
この３ロール構成では、第１の基材７３４及び少なくとも第２の基材７３６は、吸収性物品製造ライン上で機械方向に搬送されてもよい。

The first and second substrates may have different or the same cross-directional widths, basis weights, and/or materials, fibers, and/or hydrophobic/hydrophilic properties, for example, as described herein.
第１及び第２の基材は、例えば、本明細書に説明するように、異なるか又は同一の横断方向幅、坪量、及び／又は材料、繊維、及び／又は疎水性／親水性特性を有し得る。

The first and second substrates may be overlapped with each other to form an area of overlap between the first and second substrates.
第１及び第２の基材は、互いに重なり合って、第１の基材と第２の基材との間に重なり合う区域を形成してもよい。

The first and second substrates may be conveyed on the third roll 712 between the weld anvils 716 and the ultrasonic welding unit 722
第１及び第２の基材は、第３のロール７１２上で溶接アンビル７１６と超音波溶接ユニット７２２との間で搬送されてもよく、

such that ultrasonic welds 735 may be formed between the first and second substrates in the area of overlap to cause them to join together.
それにより重なり合う区域において第１の基材と第２の基材との間に超音波溶接部７３５が形成されて、それらを共に接合させてもよい。

The joined laminate of the first and second substrates may then be conveyed through a first nip 715 formed between the first roll 708 and the third roll 712.
第１及び第２の基材の接合された積層体は、次いで、第１のロール７０８と第３のロール７１２との間に形成された第１のニップ７１５を通して搬送されてもよい。

The first distal portions 724 of the first plurality of projections 720 of the first roll 708 may aperture at least the area of overlap between the first and second substrates.
第１のロール７０８の第１の複数の突起部７２０の第１の遠位部分７２４は、少なくとも第１の基材と第２の基材との間の重なり合う区域に孔を開けてもよい。

The first and second substrates 734, 736 may travel partially around the first roll 708, with the apertures in the laminate still being engaged with the first plurality of projections 720 of the first roll 708,
第１及び第２の基材７３４、７３６は、積層体の孔が第１のロール７０８の第１の複数の突起部７２０と依然として係合した状態で、第１のロール７０８の周りを部分的に移動し、

and be conveyed through a second nip 717 formed between the first roll 708 and the second roll 710.
第１のロール７０８と第２のロール７１０との間に形成された第２のニップ７１７を通して搬送されてもよい。

WO2016100177
Similar to FIGS. 1A-1C, FIG. 7 is illustrated for clarity purposes with the top and bottom sides of the envelope 502 being substantially spaced apart (i.e., with a sidewall joining them), and with the locking sheets 510 being substantially spaced apart from one another.
図１Ａ～図１Ｃと同様に、図７は、包被５０２の上面及び下面が実質的に離間し（即ち、それらを結合する側壁によって）、ロック用シート５１０が互いに実質的に離間していることを明確にするために示されている。

However, it should be understood that this illustration is used merely to better and more clearly show how the locking sheets 510 can overlap one another and can be positioned in the chamber 504.
しかし、この図は、ロック用シート５１０がどのように互いに重なり合ってチャンバ５０４内に配置され得るかを、より良くより明確に示すためにのみ用いられていることを理解されたい。

In reality, the apparatus 500 can appear much flatter, having a sheetlike or plate-like configuration.
実際には、装置５００は、シート状又は板状の構成を有して、より平坦に見え得るものである。