飽和電荷

WO2004051689
"[0044] Air or other fluid acceleration that is caused by ions, depends both on quantity (i. e. , number) of ions and their ability to induce a charge on nearby fluid particles and therefore propel the fluid particles toward an opposing electrode. At the same time, ozone generation is substantially proportional to the power applied to the electrodes. When ions are introduced into the fluid they tend to attach themselves to the particles and to neutrally-charged fluid molecules. Each particle may accept only a limited amount of charge depending on the size of a particular particle. According to the following formula, the maximum amount of charge (so called saturation charge) may be expressed as:"

 イオンによって引起される空気または他の流体の加速は、イオンの量（すなわち、数）および流体の粒子の近くで電荷を誘発して流体の粒子を対向する電極に向かって推進するそれらの能力に応じて異なる。同時に、オゾンの発生は、電極に印加された電力に実質的に比例する。イオンが流体に導入されると、それらは粒子および中性に帯電した流体の分子に付着する傾向がある。各粒子は、特定の粒子のサイズに応じて限られた量の電荷のみを受取ることができる。以下の式によると、電荷の最大量（いわゆる飽和電荷）は次のように表わすことができる。

EP2568057
"[0019] Four parameters have been determined to significantly affect the resulting electrostatic spray deposition of the boron or the boron containing powder: particle size, particle conductivity, humidity, and high voltage settings for the spray apparatus. Particle size has a strong effect on the boron coating 60 formation. The saturation charge on an individual particle varies as the square of the particle radius (r<2>). Since the number of particles per unit thickness of coating varies as the inverse of the cube of the particle radius (1/r<3>), the charge on the coating is proportional to the inverse of the particle radius (1/r). Therefore, the smaller the particle size, the higher the charge and the better the electrostatic adherence."

ホウ素またはホウ素含有粉末の、結果として得られる静電噴霧堆積に著しく影響を与える４つのパラメータ、すなわち、粒径、粒子導電率、湿度、および噴霧装置に対する高圧設定を決定した。粒径は、ホウ素コーティング６０の形成に強い影響を与える。個別の粒子に関する飽和電荷は、粒子半径の２乗（ｒ²）に比例して変動する。コーティングの単位厚さあたりの粒子数は、粒子半径の３乗の逆数（１／ｒ³）に比例して変動するので、コーティング上の電荷は、粒子半径の逆数（１／ｒ）に比例する。したがって、粒径が小さいほど、電荷が大きくなり、静電付着性が良好になる。

WO2015138469
"[0004] In FIG. 2, a hysteresis curve corresponds to the ferroelectric capacitor 100. The hysteresis curve includes net charge Q or polarization along the vertical axis and applied voltage along the horizontal axis. By convention, the polarity of the ferroelectric capacitor voltage is defined as shown in FIG. 1. Accordingly, a stored "0" is characterized by a positive voltage at the plate line terminal with respect to the access transistor terminal. A stored "1" is characterized by a negative voltage at the plate line terminal with respect to the access transistor terminal. A "0" is stored in a write operation by applying a voltage Vmax across the ferroelectric capacitor. This stores a saturation charge Qs in the ferroelectric capacitor. However, the ferroelectric capacitor includes a linear component in parallel with a switching component. Therefore, when the electric field is removed, the linear component discharges, but the residual charge Qr remains in the switching component. The stored "0" is rewritten as a "1" by applying -Vmax to the ferroelectric capacitor. This charges the linear and switching components of the ferroelectric capacitor to a saturation charge of -Qs. The stored charge reverts to -Qr when the voltage across the ferroelectric capacitor is removed. Coercive points Vc and -Vc are minimum voltages on the hysteresis curve that will degrade a stored data state. For example, application of Vc across a ferroelectric capacitor will degrade a stored "1" even though it is not sufficient to store a "0". Thus, it is particularly important to avoid voltages near these coercive points unless the ferroelectric capacitor is being accessed. Moreover, power supply voltage across a ferroelectric capacitor must exceed these coercive voltages during a standby or sleep mode avoid data loss."

 図２において、ヒステリシス曲線が強誘電性キャパシタ１００に対応する。ヒステリシス曲線は、縦軸に沿った実効電荷Ｑ又は分極、及び横軸に沿った印加される電圧を含む。慣例によって、強誘電性キャパシタ電圧の極性は図１に示すように定義される。従って、ストアされる「０」は、アクセストランジスタ端子に関しては、プレートライン端子における正の電圧により特徴付けられる。ストアされる「１」は、アクセストランジスタ端子に関しては、プレートライン端子における負の電圧により特徴付けられる。強誘電性キャパシタに電圧Ｖ_ｍａｘを印加することによって、「０」が書き込みオペレーションにストアされる。これは、飽和電荷Ｑ_Ｓを強誘電性キャパシタにストアする。しかし、強誘電性キャパシタは、スイッチング構成要素と並列に線形構成要素を含む。従って、電界が取り除かれると、線形構成要素は放電するが、残存電荷Ｑ_ｒがスイッチング構成要素に残る。ストアされた「０」は、強誘電性キャパシタに－Ｖ_ｍａｘを印加することによって「１」として再書き込みされる。これは、強誘電性キャパシタの線形及びスイッチング構成要素を－Ｑ_ｓの飽和電荷まで充電する。ストアされた電荷は、強誘電性キャパシタの電圧が取り除かれると、－Ｑ_ｒまで戻る。抗電ポイント（coercive points）Ｖ_Ｃ及び－Ｖ_Ｃは、ストアされたデータ状態を劣化させ得るヒステリシス曲線上の最小電圧である。例えば、Ｖ_Ｃの強誘電性キャパシタへの印加は、「０」をストアするために充分ではない場合でもストアされた「１」を劣化し得る。そのため、強誘電性キャパシタがアクセスされていない限り、これらの抗電ポイント近辺の電圧を避けることが特に重要である。また、強誘電性キャパシタの電力サプライ電圧は、データ損失を避けるためスタンバイ又はスリープモードの間これらの抗電電圧を超える必要がある。

に重畳

EP2984818
"[0003] A method for displaying annotated video content by computing devices is presented. A mobile computing device may present a video stream including a plurality of video frames and a video annotation overlaid over a frame of the plurality of video frames. The mobile computing device may receive a user interface command via a user input interface of the mobile computing device. The mobile computing device may perform an action related to the video annotation, as defined by the user interface command."

コンピューティングデバイスによって注釈付きビデオコンテンツを表示するための方法が提供される。モバイルコンピューティングデバイスは、複数のビデオフレームおよび複数のビデオフレームのフレーム上に重畳されたビデオ注釈を含むビデオストリームを表示してもよい。モバイルコンピューティングデバイスは、モバイルコンピューティングデバイスのユーザ入力インタフェースを介して、ユーザインタフェースコマンドを受信してもよい。モバイルコンピューティングデバイスは、ユーザインタフェースコマンドによって定義された、ビデオ注釈に関する動作を実行してもよい。

EP2425668
"[0048] In another embodiment, the indication corresponding to the resource element of a particular type corresponds to the indication of superposition of reference and data symbols on at least one resource element of the particular type. This can be considered as a modification of the above embodiment, where the special REs still carry data symbols intended for UE 808, except for the fact that these RE will be different than normal data-carrying REs in the sense that base station 802 cannot coordinate the transmission due to its CRS transmission obligation. Hence UE 808 receives signal on these special REs the superposition of information data symbols sent form its serving cell 801 and the reference symbols from some other base station (cell 802 in this case, but could even be other base station). The indication of these special REs serves the purpose of alerting the UE to potentially process them in a different way from other data-carrying REs. For example, the UE may elect to suppress the interference of the superposed reference symbol before further extracting useful information from these special REs."

別の実施形態では、特定タイプのリソースエレメントに対応する指示は、参照シンボル及びデータシンボルを、当該特定タイプの少なくとも１つのリソースエレメントに重畳する指示に対応する。これは、上記実施形態の変形と考えることができ、この場合、特殊ＲＥ群は、これらのＲＥが、通常のデータ伝送ＲＥ群とは、基地局８０２が、当該基地局によるＣＲＳ送信義務により送信に協調することができない点で異なることを除いて、ＵＥ８０８宛のデータシンボル群も伝送する。従って、ＵＥ８０８は、特殊ＲＥで伝送される信号を、すなわち当該ＵＥ８０８を担当するセル８０１から送信される情報データシンボル群、及び幾つかの他の基地局（この場合のセル８０２であるが、他の基地局とすることもできる）からの参照シンボル群を重畳した信号を受信する。これらの特殊ＲＥ群の指示は、当該ＵＥに警告して、これらのＲＥを、他のデータ伝送ＲＥ群とは異なる方法で処理することができるようにするために利用される。例えば、当該ＵＥは、有用情報をこれらの特殊ＲＥから更に抽出する前に重畳参照シンボルによる干渉を抑圧するように選択することができる。

EP3454047
"Figure 12 is an illustration of representative analysis overlaid on a portion of a second image in accordance with an illustrative example;"

【図１２】例示的な実施形態による代表的な分析結果を第２画像の一部に重畳して示す図である。

US2019098221
"[0010] Another aspect of the subject matter disclosed in detail below is a method for inspecting and measuring a structure comprising: (a) suspending a cable-suspended platform from cables in a vicinity of a structure; (b) controlling the cable-suspended platform to move toward the structure; (c) using first and second laser range meters on-board the cable-suspended platform to repeatedly measure first and second distances respectively separating the first and second laser range meters from respective first and second spots on a surface of the structure while the cable-suspended platform is moving; (d) calculating a first separation distance separating the cable-suspended platform from the structure based at least on the first and second distances; (e) determining whether the first separation distance equals a goal offset; (f) controlling the cable-suspended platform to stay at a first location separated from the structure by the first separation distance in response to a determination in step (e) that the separation distance is equal to the goal offset; (g) using a camera on-board the cable-suspended platform to capture a first image of the structure while the cable-suspended platform is at the first location; and (h) displaying the first image on the display screen. In accordance with one embodiment, the method further comprises: computing an orientation angle of a focal axis of the camera relative to a line connecting the first and second spots on the surface of the structure based on the first and second distances; calculating a scale factor for the first image when displayed on the display screen based at least in part on the separation distance and the orientation angle; and displaying a scale indicator overlaid on the image, a value or a length of the scale indicator representing the scale factor."

 以下に詳細が開示される主題の別の態様は、構造体の検査及び測定のための方法であって、（ａ）構造体の近傍のケーブルからにケーブル懸架式プラットフォームを懸架すること、（ｂ）構造体に向かって移動するようにケーブル懸架式プラットフォームを制御すること、（ｃ）ケーブル懸架式プラットフォームが移動している間、構造体の表面上の第１及び第２のスポットそれぞれから第１及び第２のレーザ範囲メーターをそれぞれ分離する第１及び第２の距離を繰り返し測定するために、ケーブル懸架式プラットフォームに搭載された第１及び第２のレーザ範囲メーターを使用すること、（ｄ）少なくとも第１及び第２の距離に基づいて、ケーブル懸架式プラットフォームを構造体から分離する第１の分離距離を計算すること、（ｅ）第１の分離距離が目標オフセットに等しいかどうかを判定すること、（ｆ）分離距離が目標オフセットに等しいというステップ（ｅ）の決定に応じて、構造体から第１の分離距離だけ分離した第１の位置に留まるように、ケーブル懸架式プラットフォームを制御すること、（ｇ）ケーブル懸架式プラットフォームが第１の位置にある間、構造体の第１の画像を取り込むために、ケーブル懸架式プラットフォームに搭載されたカメラを使用すること、並びに（ｈ）第１の画像をディスプレイスクリーンに表示することを含む方法である。一実施形態によれば、方法は、第１及び第２の距離に基づいて、構造体の表面上の第１及び第２のスポットを結ぶ線に対するカメラの焦点軸の配向角度を計算することと、分離距離及び配向角度に少なくとも部分的に基づいて、ディスプレイスクリーンに表示されると、第１の画像のスケールファクタを計算することと、画像上に重畳されたスケールインジケータを表示することとを更に含み、スケールインジケータの値又は長さがスケールファクタを表す。

WO2018140335
"[0020] The benign signal balancer 150 and the attack signal balancer 155 develop the set of security signals 115 used to populate the dataset used by the training data bootstrapper 160 to provide balanced benign and malicious signals by which to train the models to detect up-to-date exploits of the online service 110. The training data bootstrapper 160 removes benign signals received from compromised devices in the online service 110, leaving behind only the malicious signals from the compromised devices. The benign signals from clean devices are cross joined with the malicious signals from compromised devices, resulting in BxM attack examples, where B represents the number of benign examples and the number of malicious examples. This produces an expanded dataset that overlays attack examples onto benign examples as though the attacks took place on clean devices."

  [0020]無害信号バランサ１５０および攻撃信号バランサ１５５は、訓練データ・ブートストラッパ１６０によって使用されるデータセットへの投入に使用されるセキュリティ信号１１５のセットを開発し、均衡させた無害の信号と悪意のある信号を提供し、それにより、オンラインサービス１１０の最新のエクスプロイトを検出するようにモデルを訓練する。訓練データ・ブートストラッパ１６０は、オンラインサービス１１０内の危険にさらされたデバイスから受信した無害の信号を除去し、危険にさらされたデバイスからの悪意のある信号だけを残しておく。クリーンなデバイスからの無害の信号は危険にさらされたデバイスからの悪意のある信号と交差結合（cross join）され、その結果、Ｂ×Ｍ個の攻撃事例が得られ、ここでＢは無害事例の数を表し、Ｍは悪意のある事例の数を表す。これにより、攻撃がクリーンなデバイスで起こったかのように示す攻撃事例を無害事例の上に重畳した、拡張されたデータを生成する。

WO2018098154
"The treatment time, including the application time and the exposure time, of the pesticide and PGR co-treatment may occur simultaneously. Simultaneous treatment time of the pesticide and the PGR occurs when both the application time of the pesticide overlaps completely with （自動詞）the application time of the PGR and/or the exposure time of the pesticide overlaps completely with the exposure time of the PGR. For the present disclosure, the complete overlap of treatment time also includes circumstances where the full application time of the pesticide occurs within the application time period of the PGR, or vice versa. For example, the application time of the pesticide completely overlaps with the application time of the PGR when the pesticide application time is 6 hours of the 24 hours of 1-MCP application time. Similarly, the complete overlap of treatment time may also include circumstances where the full exposure time of the pesticide occurs within the exposure time of the PGR, or vice versa. For example, the exposure time of the pesticide completely overlaps （他動詞）the exposure time of the PGR when the pesticide exposure time is 8 hours of the 24 hours of 1-MCP exposure time. "

殺有害生物剤およびＰＧＲ同時処理の適用時間および露出時間を含む処理時間は、同時に生じ得る。殺有害生物剤およびＰＧＲの同時の処理時間は、殺有害生物剤の適用時間とＰＧＲの適用時間との両方が完全に重畳した場合および／または殺有害生物剤の露出時間がＰＧＲの露出時間と完全に重畳した場合に生じる。本開示に関して、処理時間の完全な重畳は、殺有害生物剤の適用時間の全部がＰＧＲの適用期間内で生じる場合またはその逆の状況も含む。例えば、２４時間の１－ＭＣＰ適用時間中において殺有害生物剤適用時間が６時間である場合、殺有害生物剤の適用時間がＰＧＲの適用時間と完全に重畳している。同様に、処理時間の完全な重畳は、殺有害生物剤の露出時間の全部がＰＧＲの露出時間内で生じる場合またはその逆の状況も含み得る。例えば、２４時間の１－ＭＣＰ露出時間中において殺有害生物剤露出時間が８時間である場合、殺有害生物剤の露出時間がＰＧＲの露出時間と完全に重畳している。

貫通導体

US2005067710
7. The process of claim 1, wherein the step of etching the exposed dielectric (e.g., 1) from the bottom of the at least one trench (e.g., 13) down to the underlying conductive material (e.g., 3, 5) forms at least one third opening (e.g., 18, 20) to the underlying conductive material (e.g., 3, 5) and the at least one third opening (e.g., 18, 20) is filled with conductive material to form a contact or a via (e.g., 23, 25).

【請求項７】  前記（Ｇ）のステップにより下の導電材料（３，５）まで第３の開口（１８，２０）を形成し、前記第３の開口（１８，２０）を導電性材料で充填して接点または貫通導体（２３，２５）を形成することを特徴とする請求項１記載の方法。

US2010301713(BOSCH GMBH ROBERT [DE])
"4. The motor arrangement according to claim 1, wherein provision is made for a contact-guide element, which is to be non-conducting with respect to a through conductor and which extends into a through opening of the housing element in order to establish contact between an interior and outer surface of the housing element."

【請求項４】
  コンタクトガイド部材（３０）が設けられており、当該コンタクトガイド部材には非導電性に貫通導体（３１）が設けられており、前記ケーシング部材（１４）の貫通開口部（３２）内へ配向されており、これによって、ケーシング部材（１４）の内面と外面との間の接触接続を実現する、請求項１から３までのいずれか１項記載のモーター装置。

US6274409
"1. A method for making a semiconductor device comprising the steps of:
forming a plurality of transistors in a semiconductor substrate;
forming a first dielectric layer overlying the semiconductor substrate;
selectively etching the first dielectric layer to form a first opening exposing a first transistor portion and a second transistor portion;
depositing conducting material into the first opening to define a merged contact between the first transistor portion and the second transistor portion;
forming a second dielectric layer overlying the first dielectric layer and the merged contact;
selectively etching the second dielectric layer to form a second opening exposing the merged contact, and while selectively etching the second and first dielectric layers to form a third opening exposing a source/drain region of a third transistor; and
depositing conducting material into the second opening to define a first via with the merged contact,"

【請求項１】
      （Ａ）  複数のトランジスタを半導体基板内に形成するステップと、
      （Ｂ）  前記半導体基板を覆うように第１誘電体層を形成するステップと、
      （Ｃ）  第１トランジスタ部分と第２トランジスタ部分を露出する第１開口を形成するために、前記第１誘電体層を選択的にエッチングするステップと、
      （Ｄ）  前記第１トランジスタ部分と第２トランジスタ部分の間に併合接点を形成するために、前記第１開口内に導電性材料を堆積するステップと、
      （Ｅ）  前記第１誘電体層と併合接点を覆うように第２誘電体層を形成するステップと、
      （Ｆ）  前記併合接点を露出する第２開口を形成するために、前記第２誘電体層を選択的にエッチングするステップと、
      （Ｇ）  併合接点を具備した第１貫通導体を形成するために、前記第２開口に導電性材料を堆積するステップと、
を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

一般から特定への視点の移り変わり、単数・複数の対応

一般から特定への視点・イメージの変遷

"... and other personal objects （＊一般、諸々、等、複数を思い浮かべている）on the floor.  In some cases, thin blue tape ran fom the object （＊特定、一個を思い浮かべている）to some other location, indicating how the object had moved during the accident" ("Airframe", Michael Crichton、乱気流で機内に物が飛んでいた状況を地上で色テープを使って再現調査する場面）

単数・複数の対応の矛盾

"parallel strips （＊複数）were placed for each row（＊それぞれ、単数）of seats" (同上)

「複数の平行な紐」が、「それぞれ（一個、単数）のシート列」に対して置かれている。

しかしこの場面では実際には「一つのシート列」に対して「一つの紐」が置かれていて、全体として見て初めて「複数の紐が平行」になっているんじゃなかろうか・・・？いや実際「各シート列」に対して「複数の平行な紐」が置かれているのかも知れませんが・・・。

日本人特許翻訳者的には、
"parallel strips were placed for respective rows of seats"

"parallel strips were placed for the rows of seats"

"parallel strips were placed for the rows of seats, one strip for each row"

"a strip was placed for each row of seats, forming parallel strips when viewed as a whole from above"とか？

日本人的、私的に考えれば「複数の何か」と「単数の何か」の数の対応が厳密には矛盾しているように思えるネイティブの原文に遭遇することが時々ある、ような気がします。

基地

EP3488942(JP)
"[0012] For example, Patent Literature 5 describes a centrifugal cast outer layer material for rolling mill rolls. The centrifugal cast outer layer material for rolling mill rolls described in Patent Literature 5 has a composition containing, in mass %, C: 4.5 to 9%, Si: 0.1 to 3.5%, Mn: 0.1 to 3.5%, and V: 18 to 40% and has a structure including, in area fraction, 20 to 60% of MC carbides dispersed in a base phase having a Vickers hardness HV of preferably 550 to 900. It is stated that, with the technique described in Patent Literature 5, a roll outer layer that contains a large amount of MC carbides can be reliably formed at low cost by actively using centrifugal casting segregation in which the low-specific gravity MC carbides are concentrated on the inner surface side. Specifically, after the centrifugal casting, the outer layer is cut such that only the high-MC carbide concentration layer remains."

また、例えば、特許文献５には、圧延ロール用遠心鋳造外層材が記載されている。特許文献５に記載された圧延ロール用遠心鋳造外層材は、質量％で、Ｃ：4.5～9％、Si：0.1～3.5％、Mn：0.1～3.5％、Ｖ：18～40％を含有する組成を有し、好ましくはビッカース硬さがHV550～900の基地に、MC炭化物が面積率で20～60％分散した組織を有するとしている。特許文献５に記載された技術では、比重の小さいMC炭化物が内面側に濃化する、遠心鋳造偏析を積極的に利用し、遠心鋳造後、MC炭化物が濃化した層だけ残すように切削すれば、MC炭化物が多いロール外層を低コストで確実に形成できるとしている。

"C: 0.6 to 3.5%
[0071] C is an element that bonds to carbide-forming elements such as W, Mo, Cr, V, and Nb to form hard carbides and has the function of increasing wear resistance. The form of the carbides, the amount of crystallized carbides, and the temperature of crystallization vary depending on the amount of C. When the content of C is 0.6% or more, M6C-type carbides are crystallized as primary phases. In a morphology obtained in this case, the M6C-type carbides segregate on the outer surface side during centrifugal casting, and the wear resistance is thereby improved. If the content of C is less than 0.6%, the amount of M6C-type carbides crystallized as the primary phases is insufficient, and the wear resistance deteriorates. If the content of C is large, i.e., more than 3.5%, the outer layer material is difficult to produce. Moreover, very brittle M2C carbides and MC carbides are formed and coarsen, and breakage of rolls tends to occur during rolling. Therefore, C is limited within the range of 0.6 to 3.5%. The range of C is preferably 1.0 to 3.0%. The range of C is more preferably 1.2 to 2.8%.

Si: 0.05 to 3%
[0072] Si is an element that functions as a deoxidizer and has the function of strengthening the base phase. To obtain these effects, the content of Si must be 0.05% or more. If the content of Si exceeds 3%, its effects are saturated. Moreover, graphite flakes appear, and this causes a reduction in toughness. Therefore, Si is limited within the range of 0.05 to 3%. The range of Si is preferably 0.1 to 2%. The range of Si is more preferably 0.2 to 1.8%."

  Ｃ：0.6～3.5％
  Ｃは、Ｗ、およびMo、Cr、Ｖ、Nbなどの炭化物形成元素と結合し、硬質炭化物を形成し、耐摩耗性を向上させる作用を有する元素である。Ｃ量に応じて、炭化物の形態や晶出量および晶出温度が変化する。Ｃの含有が0.6％以上では、M_６C型炭化物が初晶として晶出し、遠心鋳造時に外表面側に偏析する組織形態が得られ、耐摩耗性が向上する。なお、Ｃの含有が0.6％未満では、初晶として晶出するM_６C型炭化物量が不足し耐摩耗性が低下する。一方、Ｃが3.5％を超えて多量に含有すると、外層材として製造が困難になるうえ、非常に割れ易いM_２C炭化物やMC炭化物が生成し、粗大化するため、圧延時にロール破壊を生じやすくなる。このようなことから、Ｃは0.6～3.5％の範囲に限定した。なお、好ましくはＣは1.0～3.0％である。より好ましくはＣは1.2～2.8％である。
【００７３】
  Si：0.05～3％
  Siは、脱酸剤として作用するとともに、基地の強化作用をも有する元素である。そのような効果を得るためには、0.05％以上のSiの含有を必要とする。一方、Siは3％を超えて含有しても、効果が飽和するうえ、片状黒鉛が出現して靭性が低下する。このため、Siは0.05～3％の範囲に限定した。なお、好ましくはSiは0.1～2％である。より好ましくはSiは0.2～1.8％である。

EP2018354019(JP)
"[0007] According so an aspect of the present invention, there is provided a metal gasket including, in terms of % by mass, C: 0.10% or less. Si: 1.0% or less, Mn: 2.0% or less, P: 0.04% or less (including 0%), S: 0.01% or less (including 0%), Ni: 25.0% to 60.0%. Cr: 10.0% to 20.0%, one or both of Mo and W satisfying Mo+W/2; 0.05% to 5.0%, Al: more than 0.8% and 10% or less, Ti: 1.5% to 4.0%, Nb: 0.05% to 2.5%, V: 1.0% or less (including 0%), B: 0.001% to 0.015%, Mg: 0.0005% to 0.01%, wherein S/Mg; 1.0 or less, N: 0.01% or less (including 0%), O: 0.005% or less (including 0%), and a remainder consisting of Fe and unavoidable impurities, in which a precipitate γ′ phase having an average equivalent circle diameter of 25 nm or greater is not present in an austenite matrix."

すなわち、本発明は、質量％でＣ：０．１０％以下、Ｓｉ：１．０％以下、Ｍｎ：２．０％以下、Ｐ：０．０４％以下（０％を含む）、Ｓ：０．０１％以下（０％を含む）、Ｎｉ：２５．０～６０．０％、Ｃｒ：１０．０～２０．０％、ＭｏとＷの１種または２種がＭｏ＋Ｗ／２：０．０５～５．０％、Ａｌ：０．８％を超え３．０％以下、Ｔｉ：１．５～４．０％、Ｎｂ：０．０５～２．５％、Ｖ：１．０％以下（０％を含む）、Ｂ：０．００１～０．０１５％、Ｍｇ：０．０００５～０．０１％、Ｓ／Ｍｇ：１．０以下、Ｎ：０．０１％以下（０％を含む）、Ｏ：０．００５％以下（０％を含む）、残部Ｆｅ及び不可避不純物からなり、オーステナイト基地中に平均円相当径で２５ｎｍ以上の析出γ’相が存在しない金属組織を有する金属ガスケットである。

"[0024] Ni is an essential element for stabilizing an austenite phase matrix. In addition, since Ni is a constituent element of a γ′ (gamma prime) phase, which is an age-precipitate phase that precipitates during use, Ni is am important element that increases room temperature and high-temperature strength, hi a case where the content of Ni is lower than 25.0%, precipitation of the γ′ phase is insufficient, and the room temperature and high-temperature strength are decreased, in addition to the austenite phase being unstable. Thus, the lower limit of the content of Ni is set to be 25.0%. On the other hand, in a case where the content of Ni exceeds 60.0%, it becomes difficult to obtain the effect of further improving the characteristics of the metal gasket of the present invention, and the price will become drastically high, and thus, the upper limit of the content of Ni is set to be 60.0%."

Ｎｉは、基地のオーステナイト相を安定化するのに必須の元素である。また、使用中に析出する時効析出相であるγ’（ガンマプライム）相の構成元素でもあるので、常温および高温強度を高める重要な元素である。Ｎｉは２５．０％より少ないとオーステナイト相が不安定となるだけでなく、γ’相の析出が不十分となり、常温および高温強度が低下するため、Ｎｉの下限を２５．０％とした。一方、Ｎｉが６０．０％を超えると本発明の金属ガスケットの特性のより一層の向上効果が得られにくいだけでなく、価格が大幅に高くなることから、Ｎｉの上限を６０．０％とした。

EP1956100(JP)
"[0014] First a steel for warm working, being to have a particle dispersion type fiber structure formed in the matrix by warm working, the steel characterized by including an alloy element or/and dispersed second-phase particles such that the total amount of the dispersed second-phase particles at room temperature is 7 × 10<-3>or more in terms of volume fraction, and the steel characterized by having a Vickers hardness (HV) of equal to or larger than the hardness H of the following equation (2): H = 5.2 - 1.2 × 10 - 4 ⁢ λ × 10 2
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when the steel is subjected to any heat treatment of annealing, tempering, and aging treatments in the as-unworked state under conditions such that a parameter λ expressed by the following equation (1): λ = T ⁢ logt + 20 ⁢ T ; temperature ( K ) , t ; time hr
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is 1.4 × 10<4>or more in a prescribed temperature range of 350°C or more and Ac1 point or less.

[0015] Second: the steel for warm working, characterized in that 80 % by volume or more of the matrix structure is any single structure of martensite and bainite, or a mixed structure thereof."

  第１：温間加工により基地内に粒子分散型繊維組織が生成される鋼であって、３５０℃以上Ａｃ１点以下の所定の温度域において下記式（１）で表されるパラメーターλ
      λ＝Ｔ（ｌｏｇｔ＋２０）（Ｔ；温度（Ｋ）、ｔ；時間（ｈｒ））・・・（１）
が１．４×１０⁴以上となる条件で無加工のままで焼鈍、焼戻し、および時効処理のうちのいずれかの熱処理を施した場合の室温において第２相分散粒子の総量が体積率として７×１０^-3以上となる合金成分又は／及び第２相分散粒子を含有し、かつビッカース硬さ（ＨＶ）が下記式（２）の硬さＨ
      Ｈ＝（５．２－１．２×１０^-4λ）×１０²・・・（２）
以上の硬さを示すことを特徴とする温間加工用鋼。
【００１５】
  第２：前記基地組織の８０体積％以上がマルテンサイトとベイナイトのいずれかの単独組織あるいはこれらの混合組織であることを特徴とする温間加工用鋼。

組織形態

WO2014160598
"[0072] A nano germanium oxide ("Ge0₂") colloid sol was prepared by the following sol-gel method. Germanium (IV) isopropoxide was added dropwise into a solution of ethanol and deionized ("Dl") water, and vigorously magnetically stirred to form a slurry solution. The molar ratio of ethanol to Di water was 1 :50-100:10. An amount of HCI was added into the slurry solution to adjust solution pH to about 3 to form a pH-adjusted solution. The pH-adjusted solution was covered and stirred continuously for 24 hours at room temperature to form a sol solution. A sample was prepared by drying a drop of sol solution on an aluminum scanning electron microscope ("SEM") stub and drying in an oven for about 10 minutes at 50°C. A conductive carbon coating was evaporated onto the sample to reduce charging. The morphology of as-prepared germanium oxide was observed on a Zeiss 1550VP SEM."

 ナノ酸化ゲルマニウム（「ＧｅＯ_２」）コロイドゾルを、以下のゾル‐ゲル法によって調製した。ゲルマニウム（ＩＶ）イソプロポキシドを、エタノール及び脱イオン（「ＤＩ」）水の溶液に滴下し、磁力によって激しく撹拌して、スラリー溶液を形成した。エタノールとＤｉ水とのモル比は１：５０～１００：１０であった。ある量のＨＣｌをスラリー溶液に点火して、溶液のｐＨを約３に調整し、ｐＨ調整溶液を形成した。このｐＨ調整溶液に蓋をし、室温で２４時間連続して撹拌して、ゾル溶液を形成した。アルミニウムの走査電子顕微鏡（「ＳＥＭ」）スタッブ上でゾル溶液の滴を乾燥させ、オーブン内において５０℃で約１０分間乾燥させることにより、試料を調製した。導電性炭素コーティングを試料上に蒸着して、帯電を低減した。調製されたままの状態の酸化ゲルマニウムの組織形態を、Ｚｅｉｓｓ  １５００ＶＰ  ＳＥＭ上で観察した。

US2015165519
"[0040] Advantageously, the castings can be subjected to a heat treatment between method steps b) and d). As a result, the material is homogenized and the segregation effects and second phases typical of casting can be eliminated. It is thus possible to achieve a microstructure morphology which comes close to the morphology of a wrought microstructure."

 有利には、方法ステップｂ）とｄ）の間で鋳物を熱処理することが可能である。これにより、材料が均等化されるとともに、鋳物に典型的な偏析効果及び第二相を排除することが可能である。したがって、混練組織の形態に略同一の組織形態が得られる。

WO2012174501
"The second approach is to develop a new alloy system that shows superplasticity at a lower temperature with a higher strain rate. There are several material factors that enhance superplasticity at lower temperatures such as (a) alpha grain size, (b) volume fraction and morphology of two phases, and (c) faster diffusion to accelerate grain boundary sliding ^{(l l l6)}. Therefore, an alloy having a lower beta transus has a potential to exhibit low temperature superplasticity. A good example of an alloy is SP700 (Ti-4.5Al-3V-2Mo-2Fe) that exhibits superplasticity at temperatures as low as 1400°F (760°C) ⁽⁸⁾. Fig. l shows the relationship between beta transus and reported SPF temperatures ⁽'^⁹·¹²·¹⁶-²⁰⁾. As a general trend, low beta transus alloys exhibit lower temperature superplasticity. Since Ti-54M has lower beta transus and contains Fe as a fast diffuser, it is expected that the alloy exhibits a lower temperature superplasticity with a lower flow stress than Ti-64. Thus, it may be possible to achieve satisfactory superplastic forming characteristics at low temperature in this alloy without resorting to special processing methods necessary to achieve very fine grain sizes."

第二のアプローチは、より一層高い歪速度を伴うより一層低い温度で超塑性を示す、新しい合金システムを開発することである。より一層低い温度で超塑性を高めるいくつかの材料要因があり^（1）、たとえば、（a）アルファ結晶粒サイズ、（b）二相の体積分率および組織形態、および（c）結晶粒界すべりを促進するために、より一層速い拡散などのである^（11,16）。したがって、より一層低いベータトランサスを有する合金は、低温超塑性を見せる可能性を有する。合金の好例は、1400°F（760℃）ほどの低い温度で超塑性を見せるSP700（Ti-4.5Al-3V-2Mo-2Fe）である^（8）。図1は、ベータトランサスおよび報告されたSPF温度の関係を示す^{（1,7,9,12,16-20）}。一般的な傾向として、低ベータトランサス合金はより一層低い温度の超塑性を示す。Ti-54Mはより一層低いベータトランサスを有し、および高速ディフューザー（拡散体）としてFeを含むので、その合金は、Ti-64よりも低い流動応力（フローストレス、変形抵抗）を有するより一層低い温度の超塑性を示すことが期待される。このようにして、この合金において低温で満足できる超塑性成形特性は、非常に微細な結晶粒サイズを達成するのに必要な特別な処理方法に頼らずに達成することが可能な場合がある。

EP3418428(JP)
"[0023] Further, due to the structure of the composite ceramic layer like the present invention, excellent mechanical characteristics and breakdown electric field value are obtained, so even if reducing the thickness of the composite ceramic layer, there are the effects that the required dielectric breakdown voltage and mechanical fracture resistance are obtained and the heat dissipation ability is improved."

更に、本発明のような複合セラミックス層の組織形態により、優れた機械的特性、絶縁破壊電界値が得られることから、複合セラミックス層の厚さを薄くしても必要な絶縁破壊電圧、機械的破壊抵抗が得られ、放熱性が向上する効果がある。

EP3418414(JP)
"(3) We accordingly looked at the morphology of each phase, and conducted detailed observation and analysis on the steel structure using a field emission scanning electron microscope (FE-SEM). The results indicate that the morphology of retained austenite, and in particular the crystal grain circularity of retained austenite, influence the yield ratio of the steel sheet. By appropriately controlling the crystal grain circularity of retained austenite, the steel sheet can have a desired yield ratio."

（３）そこで、各相の組織形態に着目し、電界放出型走査電子顕微鏡（FE-SEM）を用いて鋼組織の詳細な観察・解析を行ったところ、残留オーステナイトの形態、特に残留オーステナイトの結晶粒の円形度が鋼板の降伏比に影響を与えており、この残留オーステナイトの結晶粒の円形度を適正に制御することによって、所望とする鋼板の降伏比を得ることが
可能となる。

炉に投入

EP2257602
"[0029] If steam etching is employed as the oxidizing step, the steam etching preferably comprises fluidizing the carbon black starting material in a fluidized bed reactor with a fluidizing agent comprising steam. As indicated above, the fluidizing agent may comprise one or more additional components, e.g., an inert gas such as nitrogen or argon. By controlling the ratio of steam to diluent that is fed to the fluidized bed reactor, the degree of steam etching of the carbon black starting material desirably can be carefully controlled. The degree of steam etching of the carbon black can also be controlled by the ratio of steam flow rate to carbon, with higher steam flow rate to carbon ratios favoring greater etching."

蒸気エッチングが酸化工程で使用される場合、蒸気エッチングは、好ましくは、蒸気を含む流動化剤を用いて流動床反応炉にてカーボンブラック出発材料を流動化することを含む。上で示したように、流動化剤は、１以上のさらなる成分、例えば窒素またはアルゴンなどの不活性ガスを含むことができる。流動床反応炉に投入される希釈剤に対する蒸気の比を制御することによって、カーボンブラック出発材料の蒸気エッチングの割合が望ましくは、注意深く制御され得る。カーボンブラックの蒸気エッチングの割合はまた、カーボンに対する蒸気流量の比によって制御され得る。カーボンに対する蒸気流量のより大きな比は、より大きなエッチング（ｇｒｅａｔｅｒ  ｅｔｃｈｉｎｇ）に有利に働く。

EP2857352
"[0003] During the manufacturing process for making xenon light bulbs, a certain percentage of these bulbs are defective such as the bulb is misshapen, the electrode will not ignite or other reasons. The defective light bulb is removed from the production line and sent to be scrapped. The defective xenon light bulb is then thrown into the glass melt furnace and the xenon contained therein goes out the furnace via the flue."

キセノン電球を製造するための製造プロセス中に、電球がいびつになったり、電極が点火しないまたは他の理由などで、ある割合の電球は欠陥品になる。欠陥のある電球は製造ラインから取り除かれ、送られて廃棄される。次に、欠陥のあるキセノン電球は、ガラス溶融炉に投入され、そこに含まれるキセノンは煙道から炉の外に出る。

WO2014066570
"The VIM heats were melted and cast as 6-inch round electrodes for remelting. The 6- inch round electrodes were remelted by VAR into 8-inch round ingots. The VAR ingots were cooled in air after being stripped from the molds, stress relieved at 1150°F for 3 hours, and then air cooled from the stress relieving temperature. The ingots were then charged into a furnace running at 1200°F. The furnace temperature was ramped up to 1600°F and held for a time sufficient to equalize the temperature of the ingots. The furnace temperature was then ramped up to 2300°F and the ingots were heated at 2300°F for 16 hours. The furnace temperature was decreased to 2200°F and the ingots were held at that temperature for 1 hour. All ingots were double end forged from a starting temperature of 2200°F to 5.75-inch square billets with a single reheat at 2200°F. The billets were then reheated to 2200°F and double end forged to 4.25-inch square billets, again with a single reheat. The billets were cooled in a hot box overnight, air cooled to room temperature, and then overage/annealed at 1150°F for 3 hours and air cooled. "

ＶＩＭのヒート（The VIM heats）は溶融され、そして再溶融のため６インチの丸い形の電極として成型された。６インチの丸い形の電極は、ＶＡＲによって８インチの丸形のインゴットに再溶融された。ＶＡＲのインゴットは、鋳型から取り出された後、空気中で冷却され、１１５０°Ｆで３時間応力除去（または応力緩和、stress relieved）され、それから応力除去温度から空冷された。インゴットは、それから１２００°Ｆで運転している炉に投入された。炉の温度は、１６００°Ｆまで上昇され、インゴットの温度が均一になるのに十分な時間保持された。炉の温度はそれから２３００°Ｆまで上昇され、インゴットは２３００°Ｆで１６時間の間加熱された。炉の温度は、２２００°Ｆまで低下され、インゴットはその温度で１時間の間保持された。全てのインゴットは、開始温度である２２００°Ｆから、２２００°Ｆにおいてシングルリヒートを伴って（または、一回再加熱され、with a single reheat）、５．７５インチ角のビレットに、両端鍛造（または、ダブルエンド型に鍛造、double end forged）された。ビレットはそれから２２００°Ｆまで再加熱され、再びシングルリヒートを伴って、４．２５インチ角のビレットに両端鍛造された。ビレットは、ホットボックス（または温蔵庫、hot box）内で一晩冷却され、室温まで冷却され、それから１１５０°Ｆで３時間、オーバーエージング（または、overage）/焼き鈍し（annealed）され、そして空冷された。

要旨

EP2671354
"[0012] Aspects, features and advantages of the invention will be appreciated when considered with reference to the following description of exemplary embodiments and accompanying figures. The same reference numbers in different drawings may identify the same or similar elements. Furthermore, the following description is not limiting; the scope of the invention is defined by the appended claims and equivalents."

本発明の態様、特徴、及び効果は、例示的実施態様の以下の説明及び添付図面を参照して斟酌するときに明らかになるであろう。異なる図面中の同様な参照番号は、同一若しくは類似の要素を特定し得る。更にまた、以下の説明は限定的なものではなく、本発明の要旨は、添付の特許請求の範囲とその均等物によって規定される。

WO2017019861
"[0087] A number of implementations have been described. Nevertheless, various modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention. In addition, the logic flows depicted in the figures do not require the particular order shown, or sequential order, to achieve desirable results. In addition, other steps may be provided, or steps may be eliminated, from the described flows, and other components may be added to, or removed from, the described systems. Accordingly, other implementations are within the scope of the following claims."

いくつかの実施形態について説明した。それにもかかわらず、本発明の要旨および範囲から逸脱することなく、様々な変更が行われてもよい。加えて、図に描かれた論理フローは、望ましい結果を達成するために、示された特定の順序、または逐次的な順序を必要としない。加えて、他のステップが設けられてもよく、またはステップが説明したフローから省略されてもよく、他の構成要素が説明したシステムに追加されてもよく、または説明したシステムから除去されてもよい。したがって、他の実装形態は、以下の特許請求の範囲内にある。

炭素同士

WO2011143587
"[0072] The aliphatic hydrocarbon chain of fatty acids of various embodiments may be unsaturated or polyunsaturated. The term "unsaturated" refers to a tatty acid having a aliphatic hydrocarbon chain that includes at least one double bond and/or substituent. In contrast, a "saturated" hydrocarbon chain does not include any double bonds or substituents.

種々の態様の脂肪酸の脂肪族炭化水素鎖は不飽和またはポリ不飽和であることができる。“不飽和”の用語は少なくとも１つの二重結合および／または置換基を包含する脂肪族炭化水素鎖を持つ脂肪酸のことを云う。これに対し、“飽和”炭化水素鎖は二重結合または置換基を何も有していない。

Thus, each carbon of the hydrocarbon chain is 'saturated' and has the maximum number of hydrogens. "Polyunsaturated," generally, refers to fatty acids having hydrocarbon chains with more than one double bond. The double bonds of the unsaturated or polyunsaturated fatty acids of various embodiments may be at any location along the aliphatic hydrocarbon chain and may be in either cis or trans configuration.

すなわち、炭化水素鎖の各炭素は“飽和されており”そして最大数の水素を有する。“ポリ不飽和”は、一般に、１つを超える二重結合を有する炭化水素鎖を持つ脂肪酸のことを云う。種々の態様の不飽和またはポリ不飽和脂肪酸の二重結合は脂肪族炭化水素鎖に沿うどの位置にあってもよく且つシスまたはトランス立体配置のいずれであってもよい。

The term "^'cis," refers to a double bond in which carbons adjacent to the double bond are n the same side and the term "trans" refers to a double bond in which carbons adjacent to the double bond are on opposite sides. Typically "cis" is the same as Z, and "trans" is the same as E but sometimes the IUPAC rules for naming compounds will give the opposite of this, which is the typical case in nitroalkenes. For example, a nitroalkene can have the two carbon groups "cis" but the two groups that take priority for the naming of compounds (a nitro group on one carbon of the alkene and a carbon group on the other carbon of the alkene) are on opposite sides and thus are E.

“シス”という用語は二重結合に隣接する炭素同士が同じ側にある二重結合のことを云い、“トランス”という用語は二重結合に隣接する炭素同士が反対側にある二重結合のことを云う。典型的には、“シス”はＺと同じであり、トランスはＥと同じであるが、たまに、化合物を命名するためのＩＵＰＡＣ規則がこれと反対となる。これはニトロアルケンの場合に典型的となる。例えば、ニトロアルケンは２つの炭素基“シス”を有するが、化合物の命名のための優先順を取る２つの基（アルケンの１つの炭素上のニトロ基とアルケンの他の炭素上の炭素基）は反対側にあり、それでＥとなる。

Therefore the nitoalkene analog of a "cis" double bond is actually an E nitroalkene. Similarly, the nitoalkene analog of a "trans" double bond is actually a Z nitroalkene. Without wishing to be bound by theory, double bonds in cis configuration along the carbon chain (cis carbon chain but E nitroalkene) may induce a bend in the hydrocarbon chain. Double bonds in ''tran " configuration along the carbon chain (trans carbon chain but Z nitroalkene) may not cause the hydrocarbon chain to bend."

それ故、“シス”二重結合のニトロアルケン類縁体は実際Ｅニトロアルケンである。同様に、“トランス”二重結合のニトロアルケン類縁体は実際Ｚニトロアルケンである。理論によって束縛されることを望まないので、炭素鎖に沿うシス配置の二重結合（シス炭素鎖とＥニトロアルケン）は炭化水素鎖に屈曲を誘導する。炭素鎖に沿う“トランス”配置の二重結合（トランス炭素鎖とＺニトロアルケン）は炭化水素鎖を屈曲させない。

主体とする

WO2016077867
"Graphene based films have been found to have excellent filtration properties which make them well suited for use in a variety of industries and applications, such as water purification, chemical synthesis, pharmaceutical purification, and many other separation processes.

グラフェンを主体とするフィルムは優れた濾過特性を有することが見出されており、この特性のため、グラフェンを主体とするフィルムは水の精製、化学合成、医薬品精製、及び他の多くの分離工程などの様々な産業及び用途での使用に非常に適している。

Graphene is a one atom thick 2D honeycomb sp2 carbon lattice, which is an exciting multifunctional material that possesses a combination of strong mechanical properties, chemical inertness, and has an extremely large surface area.

グラフェンは、１原子の厚さの２Ｄハニカムｓｐ２炭素格子であり、これは強い機械特性と化学的不活性を併せ持ち、非常に大きな表面積を有する、非常に面白い多機能性材料である。

Membranes prepared from graphene are chemically inert like ceramic membranes and can be made into films using graphene/graphene-oxide (GO) fluid phase dispersions like polymers. Graphene-based membranes also have high permeability and high selectivity for both liquids and gases."

  グラフェンから作製される膜は、セラミック膜のように化学的に不活性であり、これは、グラフェン／酸化グラフェン（ＧＯ）流体相分散液を使用してポリマーのようにフィルムに加工することができる。グラフェンを主体とする膜は、液体と気体の両方に対する高い透過性及び高い選択性も有している。

WO2009025900
"In another embodiment, the nanoparticulate filler can include metal nanoparticles or inorganic nanotubes which may contain metallic components including, but not limited to, gold, cobalt, cadmium, copper, iron, lead, zinc, and palladium, as well as silicate based nanoparticles such as silica, polyhedral oligomeric silsesquioxanes, layered silicates, and derivatives thereof."

別の実施形態では、ナノ微粒子フィラーは、金、コバルト、カドミウム、銅、鉄、鉛、亜鉛、及びパラジウムを含むがこれらに限定されない金属成分を有していてもよい金属ナノ粒子又は無機ナノチューブ、並びにシリカ、多面体オリゴマーシルセスキオキサン、層状シリケート、及びこれらの誘導体等のシリケートを主体とするナノ粒子を含むことができる。

 

薄片化

EP2780688
"As described, the controller 60 is configured to read instructions from the memory 1 92 to process the substrates in the apparatus 10 according to the protocols and treatment operations defined in the protocol database 226. For example, with reference to the flow chart depicted in Figure 1 1 , tissue samples may be obtained by sectioning a sample tissue using a microtome at step 228. The tissue samples may then be placed on slides or other substrates by an operator."

説明したように、コントローラ６０は、メモリ１９３から命令を読み出して、手順データベース２２６に定義された手順および処理動作に従って、装置１０内で基板を処理するように構成される。例えば、図１１に示したフローチャートを参照して、ステップ２２８においてミクロトームを用いてサンプル組織を薄片化することによって、組織サンプルが得られる。組織サンプルは、オペレータによってスライドまたは他の基板の上に戴置してもよい。

WO2016126554
"[0012] SiC crystals produced by methods identified have large concentrations of dislocations. As of this filing, the commonly reported values of screw dislocation and basal plane concentration are nominally 5000-10000/cm2, respectively. The dislocations are most commonly assessed by sectioning the crystal in the plane normal to the crystal axis of symmetry. Etching the exposed crystal surface with molten salt, like potassium hydroxide, at temperatures in the 350-500 C range will reveal the dislocations. Each dislocation type has a unique shape so they can be uniquely counted. The dislocations are commonly counted and reported as a number divided by the inspection area. This characterization method is useful as it allows for easy correlation of defects contained in planar semiconductor devices formed on the crystal plane. There are many examples in the literature which show that dislocations are not uniformly distributed in the plane of observation. The large count of dislocations makes it very impractical to count every single one, especially as today inspections can be required on sections greater than or equal to the equivalent of 100 mm diameter circles. So the etched area sampled to determine the amount of dislocations. Incorrect sampling methods can lead to errors in the estimation of the dislocation concentration associated with larger crystals. In most reports, the details of the sampling method are not provided, so replication of results can often be difficult, if not impossible."

すでに示した方法によって生産されたＳｉＣ結晶は、転位濃度が大きい。本出願の時点で一般的に報告されている、らせん転位濃度及び基底面濃度の値は、名目上それぞれ５，０００～１０，０００／ｃｍ^２である。転位は、最も一般的には、結晶の対称軸に対して垂直な平面で結晶を薄片化することによって評価される。露出した結晶面を水酸化カリウムのような溶融塩を用いて３５０～５００℃の範囲の温度でエッチングすることにより、転位が明らかになるであろう。それぞれの種類の転位は、特有の形状を有しているため、区別してカウントすることができる。転位は、一般的に、検査面積で除した数として、カウントされ、報告される。この特性評価方法は、結晶平面上に形成される平面状半導体デバイスに含有される欠陥の相関付けを容易にするものであり、有用である。文献には、観察平面内に転位が均一に分布しているわけではないことを示す多くの例がある。特に、今日では、直径１００ｍｍの円よりも広い、又はそれと等しい区画に対する検査が求められる場合があり、転位のカウント数が多く、全ての転位を１つずつカウントすることが、全く現実的でないものとなっている。従って、エッチングされた領域をサンプリングして、転位の量を決定する。大きな結晶と関連する転位濃度を求める際、誤ったサンプリング方法によって誤差が引き起こされる場合がある。ほとんどの報告において、サンプリング方法の詳細が提供されないため、結果の再現は、不可能でないとしても、大抵は困難である。

WO2016014332
"The use of microscopy to investigate samples requires high sample quality to ensure adequate sample imaging and analytical data, including structural information and chemical compositions, are obtained. In particular, thin samples are needed in order to obtain accurate results. In order to obtain a thin enough sample, a milling device is directed onto the sample and material is removed from the sample for thinning. A known apparatus of this type includes an ion source and equipment for imaging the sample. The sample may be mounted onto a grid that is in turn mounted on a sample holder. The sample holder is adapted for insertion into a goniometer that is capable of reorienting the sample with respect to the ion source. The sample may be milled on both the top and bottom surfaces for thinning purposes, and this milling is typically a momentum transfer process in which a primary ion beam strikes the sample surface and sputters an amount of material. Alternatively, a section may be removed from the sample by way of directing the ions onto the sample at a particular angle and a given position. The goniometer and holder permit the position of the sample to be adjusted with respect to the ion beam emanating from the ion source to cause adjustment of the degree and angle of the milling of the sample. The ion beam may also be displaced with respect to the sample, including scanning or rastering across the surface of the sample. The combination of the sample holder and goniometer also serves as a vacuum seal between the processing chamber and the ambient environment."

 

 顕微鏡による試料解析には、適切な試料画像と構造および化学組成の情報を含む解析データの取得を確保するために高品質の試料が必要とされる。特に、正確な結果を得るためには薄片化された試料が必要である。十分に薄い試料を作製するため、ミリング装置が試料上に誘導され薄片化のため試料から物質を削る。従来のこのタイプの装置は、イオン源と試料の画像処理用の装置を備えている。試料は試料ホルダー上に順に搭載されるグリッドに装着されうる。試料ホルダーは、イオン源に対して試料の方向を変更することができる角度計に挿入できるように構成されている。試料は薄片化の目的で上面と底面両方をミリング加工され、そして、このミリング加工は通常、一次イオンビームが試料表面を叩き、物質をスパッタリングさせる運動量伝達過程である。または、特定の角度と所与の位置にある試料にイオンを当てることで試料から断片を削除しうるであろう。角度計とホルダーが、イオン源から発せられるイオンビームに対して試料の位置を調整可能とし、試料のミリング加工の程度と角度が補正できる。イオンビームは、試料の表面全体をスキャンまたはラスターすることも含め、試料に対して変位されてもよい。また試料ホルダーと角度計の組み合わせは操作チャンバーと外部環境の間の真空密封の役割もする。

"

When a transmission electron microscope (TEM) is to be utilized to observe or analyze the sample, it is typically required that the sample be reduced to a thickness permitting electron transparency. In certain instances, a scanning electron microscope (SEM) may also require fine dimensional control of the dimensions of the sample. Unfortunately, if the sample was not milled to the required dimensions, the results obtained in the microscopic analysis will not be complete. The operator must then remove the sample from the microscopy device and place it back into the milling apparatus and remove additional material from the sample. This process may be time consuming and require guess work by the operator. However, once an operator obtains a sufficient amount of experience he or she may become proficient at determining exactly how much milling needs to be done on a particular material. Although with enough experience the operator may be capable of adequately preparing a sample for microscopic analysis, the possibility of making an error by incorrectly estimating material removal remains. Further, for novice operators, thinning samples for sensitive microscopic analysis presents certain challenges. Finally, it may be necessary to thin a number of samples in a repetitious manner with highly consistent results. It may be desired to improve accuracy, speed and consistent repeatability with which samples can be prepared for imaging and analysis. As such, there remains room for variation and improvement within the art."

透過型電子顕微鏡(TEM)が試料の観察や分析に使用される時、通常試料は電子透過を可能にする厚さに減らす必要がある。ある場合では、走査型電子顕微鏡(SEM)もまた試料の寸法の微調整を必要とする。 残念ながら、試料が必要な寸法にミリングされなかったら、顕微鏡解析で得られる結果は完璧にはならない。そして操作者は試料を顕微鏡装置から外し、ミリング装置に戻し、試料からさらに物質を除かなければならない。この過程は時間を浪費し操作者の推測に頼らなければならない。しかし、操作者が十分な経験をつめば、ある試料にどれだけのミリングが必要か正確に決められる熟練者となりうる。十分な経験をつむことで、操作者は顕微鏡解析の試料を適切に作製できるであろうが、物質の除去の見積もりを誤ることで間違いを犯す可能性は残る。さらに、新米の操作者にとっては、繊細な顕微鏡解析用試料の薄片化はある程度の困難を呈する。結局、高い再現性のある結果を得るため、繰り返してたくさんの試料を薄片化することが必要になるだろう。画像処理そして解析のために作製される試料の精度、スピード、再現性を改善することが望ましい場合がある。そのように、それらには当技術分野内で変更と改善の余地がある。

WO2010085626
"[0046] Fig. 14 illustrates a microscope slide made from sectioning the skin tissue sample as shown in Fig. 13 after the cassette has been processed, embedded in paraffin, and microtome sectioned."

【図１４】カセットが、処理され、パラフィン内に包埋され、ミクロトーム薄片化された後の、図１３に示されるような皮膚組織標本を薄片化することにより生成される顕微鏡スライドを図示する。

方式の

EP3022609
"[0003] For example, in an extrusion-based additive manufacturing system, a 3D part or model may be printed from a digital representation of the 3D part in a layer-by-layer manner by extruding a flowable part material. The part material is extruded through an extrusion tip carried by a print head of the system, and is deposited as a sequence of roads on a substrate in an x-y plane. The extruded part material fuses to previously deposited part material, and solidifies upon a drop in temperature. The position of the print head relative to the substrate is then incremented along a z-axis (perpendicular to the x-y plane), and the process is then repeated to form a 3D part resembling the digital representation."

例えば、押出し方式の付加製造システムにおいて、３Ｄ部品又はモデルは、流動性部品材料（part material）を押出すことによって、３Ｄ部品のデジタル表現から層ごとに印刷することができる。部品材料は、システムのプリントヘッドによって搬送される押出しチップを通して押出され、基材上のロードシーケンスとしてｘ－ｙ面に堆積される。押出された部品材料は、先に堆積した部品材料に融着し、温度の降下によって凝固する。基材に対するプリントヘッドの位置は、その後、ｚ軸（ｘ－ｙ面に垂直）に沿って増分され、プロセスは、その後、デジタル表現に似る３Ｄ部品を形成するために繰返される。

WO2017201051
"[0002] Additive manufacturing techniques are often utilized to build a nearly limitless number of objects using a variety of materials. In some example techniques, an additive manufacturing machine of directed energy deposition (DED) type, also known as a blown powder type or powder spray type, is used for the deposition of metals. Such DED type machines are often implemented as part of, for example, hybrid manufacturing machines or processes that utilize both additive and subtractive manufacturing to create an object."

よく付加製造技術を使用して、種々の材料を用いてほぼ無限の数の物体が造形される。いくつかの技術例では、金属の堆積に、粉末吹付方式又は粉末スプレー方式としても知られる指向性エネルギー堆積（ＤＥＤ）方式の付加製造機械が用いられる。このようなＤＥＤ法式の機械は、例えば、付加製造及び除去製造の両方を使用して物体を作るハイブリッド製造機械又は工程の一部としてよく実施される。

US2014154088
"[0008] Therefore, one characteristic feature of powder-based or other additive manufacturing technology is the strong anisotropy of material properties (for example Young's modulus, yield strength, tensile strength, low cycle fatigue behaviour, creep) resulting from the known layer-wise build-up process and the local solidification conditions during the SLM powder bed processing."

それゆえ、粉末方式の付加製造技術または他の付加製造技術の１つの特徴的な特性として、物性の異方性が強いという特性がある（たとえば、ヤング率、降伏強さ、引張強度、低サイクル疲労特性、クリープ）。これは、公知の積層造形法と、ＳＬＭ粉末床処理中の局所的な固化条件とに起因するものである。

弾き飛ば

WO2018075165
"[0002] Sputtering, also known as physical vapor deposition (PVD), is a method of forming features in integrated circuits. Sputtering deposits a material layer on a substrate. A source material, such as a target, is bombarded by ions strongly accelerated by an electric field. The bombardment ejects material from the target, and the material then deposits on the substrate."

  ［０００２］スパッタリング（物理的気相堆積（ＰＶＤ）としても既知である）は、集積回路内のフィーチャ（特徴）を形成する方法である。スパッタリングにより、基板上に材料層が堆積される。ソース材料（ターゲットなど）が、電界により強力に加速されたイオンによってボンバード（衝突）される。ボンバードはターゲットから材料を弾き飛ばし、この材料が次いで基板上に堆積する。

WO2018013754
"[0060] A side brush 148 is mounted along the sidewall of the chassis 110 proximate the forward end 110A and ahead of the extractors 144 in the forward drive direction F. The side brush 148 rotatable about an axis perpendicular to the floor surface. The side brush 148 allows the robot 100 to produce a wider coverage area for cleaning along the floor surface. In particular, the side brush 148 may flick debris from outside the area footprint of the robot 100 into the path of the centrally located cleaning head assembly."

順駆動方向Ｆにおける抽出器１４４の前方の、前端部１１０Ａに近接するシャーシ１１０の側壁沿いには、サイドブラシ１４８が取り付けられる。サイドブラシ１４８は、床面に垂直な軸を中心に回転することができる。ロボット１００は、サイドブラシ１４８によって、床面に沿った掃除対象範囲をさらに拡大することができる。具体的に言えば、サイドブラシ１４８は、ロボット１００の占有面積の外側から中心部の掃除ヘッドアセンブリの経路内にゴミを弾き飛ばすことができる。

WO2017091471
"[00111] Brush 344 can include a plurality of bristles that extend substantially radially from a central rod coupled to motor 342 (rod not shown in FIGS. 9A-9B). The plurality of bristles can include a material of sufficient strength and stiffness such that rotation of the bristles against photovoltaic module 330, optionally in the presence of fluid disposed from fluid reservoir 341, can remove debris, dust, or dirt from photovoltaic module 330, with sufficient softness and flexibility as to do so substantially without damaging the photovoltaic module. Exemplary materials that can be suitable for use in the bristles of brush 344 include nylon and polypropylene. Shield 345 can include a flat or shaped metal or plastic sheet that partially surrounds brush 344 so as to inhibit the rotation of brush 344 from flicking debris, dust, or dirt onto a different portion of photovoltaic module 330 or an adjacent photovoltaic module when brush 344 is rotating and in contact with photovoltaic module 330, e.g., as described in greater detail herein with reference to FIGS. 1 OA- IOC."

ブラシ344は、モータ342に結合された中心ロッド(ロッドは図9A及び図9Bには不図示)から実質的に放射状に延びた複数の剛毛を備えることができる。複数の剛毛は、太陽光発電モジュール330に対する剛毛の回転が、任意に流体タンク341から排出された流体の存在下で、該太陽光発電モジュールを実質的に損傷させないように十分な軟度及び柔軟性で、太陽光発電モジュール330から堆積物、塵、又は埃を除去することができるような十分な強度及び剛性の材料を含み得る。ブラシ344の剛毛に使用するのに適し得る例示的な材料は、ナイロン及びポリプロピレンを含む。シールド345は、例えば、図10A～図10Cを参照して以下にさらに詳細に説明されるように、ブラシ344が回転して太陽光発電モジュール330に接触しているときに、ブラシ344の回転により、堆積物、塵、又は埃が太陽光発電モジュール330の異なる部分又は隣接する太陽光発電モジュールに弾き飛ばされるのを防止するために、ブラシ344を部分的に取り囲む平坦な金属シート、成形金属シート、又はプラスチックシートを備えることができる。

US2010227430
"[0031] There are also several physical vapour deposition (PVD) techniques. Mention may be made, in particular, of the PVD technique of deposition via vacuum evaporation that consists in heating the material that it is desired to deposit under vacuum. The atoms of the material to be evaporated receive energy, that is to say that their vibrational energy exceeds the bond energy and causes the evaporation. The evaporated material is then recovered by condensation on the substrate to be coated. The evaporation may be electron bombardment evaporation, Joule effect evaporation, electric arc evaporation, induction evaporation, or ion beam assisted evaporation (ion beam assisted deposition or IBAD). Mention may also be made of the vacuum sputtering PVD deposition technique, which consists in ejecting particles from the surface of a solid via the bombardment of this surface with energetic particles, in general argon ions, for example magnetron sputtering, cathode sputtering or IBD (ion beam deposition); the ionic or ion-plating PVD deposition technique that comprises the evaporation of a material in a chamber in which a residual pressure of 13 to 1.3 Pa is maintained by introducing argon, for example; and the molecular beam epitaxy (MBE) and chemical beam epitaxy (CBE) techniques."

いくつかの物理気相蒸着(PVD)技術も存在する。特に、真空下での蒸着が望まれる材料を加熱することからなる真空蒸発を介した蒸着のPVD技術について言及がなされ得る。蒸発される材料の原子はエネルギーを受け、すなわちそれらの振動エネルギーが結合エネルギーを超え、蒸発を生じる。蒸発された材料は、その後、被覆される基板上での凝集によって収集される。蒸発は電子衝撃蒸発、ジュール効果蒸発、電気アーク蒸発、誘導蒸発、またはイオンビーム補助蒸発(イオンビームアシスト蒸着またはIBAD)であり得る。固体の表面から、この表面とエネルギー粒子、一般にアルゴンイオンの衝突によって粒子を弾き飛ばすことからなる真空スパッタリングPVD蒸着技術、例えばマグネトロンスパッタリング、カソードスパッタリングまたはIBD(イオンビーム蒸着) (例えば、アルゴンを導入することによって13～1.3 Paの残圧が維持されるチャンバー中での材料の蒸発を含むイオン性または非イオン性メッキPVD蒸着)、および分子ビームエピタキシー(MBE)、および化学ビームエピタキシー(CBE)技術についても言及がなされ得る。

球状化、造形

EP3413134
"[0103] In embodiments, the core styrene/acrylate latex contains about 3 pph beta-CEA, as the styrene/acrylate latex in the core tends to slow down the coalescence in the core, which is fast due to the presence of polyester in the core. Thus, to avoid over spherodization of the core it is not desirable to improve the flow of the styrene/acrylate latex in the core. Thus, in embodiments, the present toners include styrene/acrylate latex with beta-CEA in a reduced amount as described above in the shell, in embodiments, in an amount of less than 3 pph, in embodiments, in an amount of be about 1 pph to about 2 pph beta-CEA in the shell latex in combination with a lesser amount in the core, such as from about 0.03 to about 5 pph, or from about 0.1 to about 0.5 pph."

複数の実施形態では、コア中のスチレン／アクリレートラテックスがコアの融着を遅らせる傾向があるため、コアのスチレン／アクリレートラテックスは、約３ｐｐｈのβ－ＣＥＡを含有し、融着は、コア中のポリエステルの存在に起因して速くなる。従って、コアの過剰な球状化を避けるためには、コア中のスチレン／アクリレートラテックスの流れを改善することは望ましくない。従って、複数の実施形態では、本発明のトナーは、シェル中に上に記載したよりも少ない量のβ－ＣＥＡ、複数の実施形態では、シェルラテックス中に約３ｐｐｈ未満の量、複数の実施形態では、約１ｐｐｈ～約２ｐｐｈの量のβ－ＣＥＡを含むスチレン／アクリレートラテックスを含み、これと組み合わせて、コアにはもっと少ない量、例えば、約０．０３～約５ｐｐｈ、または約０．１～約０．５ｐｐｈを含む。

WO2018119283
"[0017] While not being bound by any particular theory, the discrete particles (40) are generally intermetallic phases dispersed in an aluminum matrix. For instance, the discrete intermetallic particles may be located within the aluminum alloy grains and/or located at grain boundaries. In one embodiment, a thermally processed aluminum alloy product generally comprises from 15-35 vol. % of discrete particles. In another embodiment, a thermally processed aluminum alloy product comprises 20-30 vol. % of discrete particles. These discrete particles may facilitate strength retention at elevated temperatures (e.g., in engine applications, such as for a turbo charge compressor impeller). In this regard, the micrograph shown in FIG. 3 was taken after exposure of the product to a temperature of about 600°F for about 100 hours. As shown, the additively manufactured product comprises a plurality of discrete intermetallic particles (40). In some embodiments, an aluminum alloy realizes an amount of discrete particles sufficient to facilitate strength retention at elevated temperatures without thermal treatment. In some embodiments, an aluminum alloy realizes an amount of discrete particles sufficient to facilitate strength retention at elevated temperatures with thermal treatment. In this regard, the thermal treatment (400) conditions may be sufficient to realize discrete particle formation. Furthermore, the thermal treatment (400) conditions may result in generally spherical particles. For instance, the thermal treatment may facilitate spheroidization of intermetallic particles (e.g., cell wall intermetallic particles and/or lamella intermetallic particles). In this regard, the thermal treatment conditions (e.g., the time and temperature) sufficient to realize the discrete particle vary by alloy composition. However, in some embodiments the temperatures are at least several hundred degrees Fahrenheit. In some embodiments, the temperatures are greater than several hundred degrees Fahrenheit (e.g., the thermal treatment temperature is around 500-600°F, or higher). In this regard, the time(s) may be correspondingly adjusted based on the temperature(s) utilized."

いかなる特定の理論にも拘束されないが、離散粒子（４０）は、一般的に、アルミニウムマトリックス中に分散した金属間化合物相である。例えば、離散金属間化合物粒子は、アルミニウム合金粒子内に配置されてもよく、および／または粒界に配置されてもよい。一実施形態では、熱処理されたアルミニウム合金製品は一般的に１５～３５体積％の離散粒子を有することができる。別の実施形態では、熱処理されたアルミニウム合金製品は２０～３０体積％の離散粒子を有することができる。これらの離散粒子は、高温において（例えば、エンジン用途、例えばターボチャージ圧縮機インペラ用において）強度を容易に保持することができる。これに関して、図３に示す顕微鏡写真は、製品を約６００°Ｆの温度に約１００時間曝した後に撮影された。示すように、付加製造製品は、複数の離散金属間化合物粒子（４０）を有する。いくつかの実施形態では、アルミニウム合金は、熱処理なしで高温で強度を容易に保持するのに十分な量の離散粒子を実現する。いくつかの実施形態では、アルミニウム合金は、熱処理により高温で強度を容易に保持するのに十分な量の離散粒子を実現する。これに関して、熱処理（４００）条件は、離散粒子の形成を実現するのに十分であることができる。更に、熱処理（４００）条件は、概ね球形の粒子生じさせることができる。例えば、熱処理は金属間化合物粒子（例えば気孔壁金属間粒子および／または層状金属間化合物粒子）の球状化を促進することができる。これに関して、離散粒子の形成を得るのに十分である熱処理条件（例えば、時間および温度）は、合金組成によって変化する。しかし、いくつかの実施形態では、温度は少なくとも華氏数百度である。いくつかの実施形態では、温度は華氏数百度を超える（例えば、熱処理温度は約５００～６００°Ｆ、またはそれよりも高い）。これに関して、利用する温度に基づいて時間を対応して調整することができる。

"[004] In one approach, and referring now to FIG. 1, the new aluminum alloy products may be produced via additive manufacturing. As used herein, "additive manufacturing" means "a process of joining materials to make objects from 3D model data, usually layer upon layer, as opposed to subtractive manufacturing methodologies", as defined in ASTM F2792-12a entitled "Standard Terminology for Additively Manufacturing Technologies". In one embodiment, a method of making an additively manufactured body includes the steps of: (a) selectively heating (200) at least a portion of an additive manufacturing feedstock (e.g., via a laser) to a temperature above the liquidus temperature of the particular body to be formed, thereby forming a molten pool, and (b) cooling (300) the molten pool thereby forming a solidified mass, the solidified mass having a fine eutectic-type structure. In another embodiment, a method of making an additively manufactured body includes the steps of: (a) dispersing (100) an additive manufacturing feedstock (e.g., a metal powder) in a bed (or other suitable container), the additive manufacturing feedstock comprising a sufficient amount of aluminum, alloying elements, and optional additions to produce an aluminum alloy having a fine eutectic-type structure, (b) selectively heating (200) at least a portion of the additive manufacturing feedstock (e.g., via an energy source or laser) to a temperature above the liquidus temperature of the particular body to be formed, thereby forming a molten pool, and (c) cooling (300) the molten pool thereby forming a solidified mass, the solidified mass having a fine eutectic-type structure. In one embodiment, the cooling comprises cooling at a rate of at least 1000°C per second. In another embodiment, the cooling rate is at least 10,000°C per second. In yet another embodiment, the cooling rate is at least 100,000°C per second. In another embodiment, the cooling rate is at least 1,000,000°C per second. Steps (a)-(c) may be repeated as necessary until the body is completed, i.e., until the final additively manufactured body is formed / completed. The final additively manufactured body also generally comprises a fine eutectic-type structure."

 

一つのアプローチにおいて、ここで図１を参照すると、新しいアルミニウム合金製品を付加製造によって製造することができる。本明細書で使用する場合、「付加製造」とは、「Ｓｔａｎｄａｒｄ  Ｔｅｒｍｉｎｏｌｏｇｙ  ｆｏｒ  Ａｄｄｉｔｉｖｅｌｙ  Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ」という題名のＡＳＴＭ  Ｆ２７９２－１２ａにおいて規定されている、「除去製造技術とは反対である、材料を接合して３Ｄモデルデータから（通常は積層して）物体を製造するプロセス」を意味する。一実施形態では、付加製造体を製造する方法は、以下の工程：（ａ）形成される特定の物体の液相線温度より高い温度に、（例えばレーザーによって）付加製造供給原料の少なくとも一部を選択的に加熱する工程であって、それにより溶融池を形成する、加熱する工程（２００）と、（ｂ）溶融池を冷却する工程であって、それにより凝固した塊を形成し、凝固した塊は微細共晶型組織を有する、冷却する工程（３００）と、を含む。別の実施形態では、付加製造体を製造する方法は、以下の工程：（ａ）付加製造供給原料（例えば金属粉末）を床中（または他の好適な容器）に分散させる工程であって、付加製造供給原料は十分な量のアルミニウム、合金元素、および微細共晶型組織を有するアルミニウム合金を製造するための任意の添加物を含む、分散させる工程（１００）と、（ｂ）付加製造供給原料の少なくとも一部を（例えば、エネルギー源またはレーザーによって）形成される特定の物体の液相線温度より高い温度に選択的に加熱する工程であって、それによって溶融池を形成する、加熱する工程（２００）と、（ｃ）溶融池を冷却する工程であって、それにより凝固した塊を形成し、凝固した塊は微細共晶型組織を有する、冷却する工程（３００）と、を含む。一実施形態では、冷却は少なくとも１，０００℃／秒の速度で冷却することを含む。別の実施形態では、冷却速度は少なくとも毎秒１０，０００℃／秒である。更に別の実施形態では、冷却速度は少なくとも毎秒１００，０００℃／秒である。別の実施形態では、冷却速度は少なくとも毎秒１，０００，０００℃／秒である。物体が完成するまで、即ち最終的な付加製造体を形成／完成するまで、工程（ａ）～（ｃ）を必要に応じて繰り返すことができる。最終的な付加製造体はまた、概ね微細共晶型組織を有する。

"[005] The additive manufacturing feedstock(s) used to create the final additively manufactured body may be of any of the compositions given below. In some embodiments, the additive manufacturing feedstock is a powder. In this aspect, the additive manufacturing powder feedstock may be comprised of any combination of metallic powders, alloy powders, and non-metallic powders (e.g., ceramic powders; intermetallic powders). Furthermore, an additive manufacturing feedstock powder may comprise metallic powders and/or alloy powders, where the particles comprising the metallic powders and/or alloy particles have additions therein (e.g., ceramic materials, among others). In one embodiment, the additive manufacturing feedstock comprises aluminum and at least one other alloying element. In another embodiment, the additive manufacturing feedstock comprises at least one addition. In another embodiment, the additive manufacturing feedstock comprises at least one grain refiner. In some embodiments, the grain refiner comprises at least one ceramic material. In some embodiments, the additive manufacturing feedstock is an alloy powder comprised of alloy particles, wherein the alloy particles themselves have non-metallic particles therein. By way of non-limiting example, an additive manufacturing feedstock powder may be comprised of alloy particles, and the alloy particles may include a plurality of non-metallic particles or additions therein, wherein the non-metallic particles or additions have a smaller size than the alloy particles therein."

最終的な付加製造体を造形するために用いられる付加製造供給原料は、以下に与えられる組成のいずれかとすることができる。いくつかの実施形態では、付加製造供給原料は粉体である。この態様では、付加製造粉末供給原料は、金属粉末、合金粉末、および非金属粉末（例えば、セラミック粉末、金属間化合物粉末）の任意の組み合わせを含むことができる。更に、付加製造供給原料粉末は、金属粉末および／または合金粉末を含むことができ、金属粉末および／または合金粒子を含む粒子は、その中に添加物（例えば、セラミック材料等）を有する。一実施形態では、付加製造供給原料は、アルミニウムと、少なくとも一つの他の合金元素とを含む。別の実施形態では、付加製造供給原料は少なくとも一つの添加物を含む。別の実施形態では、付加製造供給原料は少なくとも一つの結晶微細化剤を含む。いくつかの実施形態では、結晶微細化剤は少なくとも一つのセラミック材料を含
む。いくつかの実施形態では、付加製造供給原料は合金粒子を含む合金粉末であり、合金粒子自体は非金属粒子をその中に有する。非限定的な例として、付加製造供給原料粉末は合金粒子から構成されてもよく、合金粒子は、その中に複数の非金属粒子または添加物を含むことができ、非金属粒子または添加物は、合金粒子内部で合金粒子よりも小さいサイズを有する。

WO2018055522
"In a matte mode, a support formulation is deposited concurrently immediately adjacent to the model. Due to a tendency for the support material and the modeling material to mix at the interface between them, the resulted object features a matte appearance of the model surface after support removal."

艶消モードでは、支持体配合物は、造形物にすぐ隣接して同時に吐出される。支持体材料と造形用材料がそれらの間の界面で混合する傾向のため、得られた物体は、支持体除去後に造形物表面の艶消外観を具備する。

US2017313050
"[0046] A laser 50 and a scanning device 54 are deposed above the bed 22. The laser 50 transmits a beam 52 to the scanner 54, which then distributes a laser beam 56 across the layer of powder 36 deposed on the bed 22 in accordance with a build data. The laser selectively fuses powdered material by scanning cross-sections generated from a three-dimensional digital description of the part on the surface of the bed having a layer of the powdered material deposed thereon. The laser 50 and the scanner 54 are in communication with the controller 60. After a cross-section is scanned, the bed 22 is lowered by one layer thickness (illustrated by the downward arrow), a new layer of powdered material is deposed on the bed 22 via the spreader 40, and the bed 22 is rescanned by the laser. This process is repeated until a build 28 is completed. During this process, the piston 34 in the second chamber is incrementally raised (illustrated by the upward arrow) to ensure that there is a sufficient supply of powder 36."

レーザ５０及び走査装置５４が、ベッド２２の上方に配置される。レーザ５０は、ビーム５２を走査装置５４に送り、次に、走査装置５４は、造形データに従ってレーザビーム５６をベッド２２上に堆積された粉末３６の層を横切って分布させる。レーザは、堆積された粉末材料層を有するベッドの表面で、部品の３次元デジタル記述から生成された断面を走査することで粉末材料を選択的に融合させる。レーザ５０及び走査装置５４は、コントローラ６０と通信する。断面を走査した後、ベッド２２は、１層分だけ降下し（下向き矢印で示す）、スプレッダ４０によって粉末材料の新しい層がベッド２２上に堆積され、ベッド２２は、レーザにより再走査される。このプロセスは、造形物２８が完成するまで繰り返される。このプロセス中、第２のチャンバ内のピストン３４は漸進的に上昇し（上向き矢印で示す）、粉末３６の十分な供給を保証するようになっている。

US2017246810
"[0011] This invention overcomes the analysis of examining a single variable, also known as univariate SPC, by monitoring and determining build quality and variation based on multiple key processes. Moving away from univariate SPC to multivariate SPC allows for further increased efficiency and higher quality builds. A multivariate statistical process control approach takes into account the mean or the relationship between several related variables."

本発明は、複数のキープロセスに基づいて造形品質及び変動を監視及び判定することによって、一変量ＳＰＣとしても知られる単一の変数を分析する解析を越えるものである。一変量ＳＰＣから多変量ＳＰＣに移行することにより、さらなる効率化及び造形物の品質向上が可能となる。多変量統計的プロセス管理の手法は、いくつかの関連変数間の平均値又は関係性を考慮する。

WO2018125313
"[0027] In one embodiment, a metal powder bed is used to create an additively manufactured product (e.g., a tailored additively manufactured product). As used herein a "metal powder bed" means a bed comprising a metal powder. During additive manufacturing, particles of different compositions may melt (e.g., rapidly melt) and then solidify (e.g., in the absence of homogenous mixing). Thus, additively manufactured products having a homogenous or non-homogeneous microstructure may be produced."

 一実施形態では、金属粉末床は付加製造製品（例えば、要求に合った付加製造製品）を造形するために使用される。本明細書で使用する場合、「金属粉末床」とは、金属粉末からなる床を意味する。付加製造中、異なる組成の粒子を溶融（例えば、急速溶融）することができ、そして（例えば、均一混合せずに）凝固させることができる。その結果、均質の微細構造体、又は非均質の微細構造体を有する付加製造製品を製造することができる。

US2017348900
"[0032] When the deposition material is deposited on the deposition surface, a number of engineering process variables or parameters are configured in order to build the project in a desired manner. For example, in the case of a plastic deposition material for FDM, the temperature of the dispense head melting the plastic before it is deposited may affect the ability of the plastic material fusing together. Furthermore, the temperature may also affect the viscosity of the plastic material, which together with the translation speed of the deposition head may affect the quality of the product being manufactured. These parameters, along with other parameters are initially set to an initial set of parameter values at the start of the manufacturing printing process."

堆積面に堆積材料を堆積させる際には、製品を所望の態様で造形するために、多数の工学的プロセスの変数又はパラメータが設定される。例えば、ＦＤＭ用のプラスチック堆積材料の場合、堆積前にプラスチックを溶融する吐出ヘッドの温度が、プラスチック材料の融着能力に影響する。また、当該温度は、プラスチック材料の粘度にも影響を与え、粘度は、堆積ヘッドの並進速度と共に、製造される製品の品質に影響を与えうる。これらのパラメータが、他のパラメータと共に、製造プリントプロセスの開始時に、最初の組のパラメータ値として設定される。

WO2018005501
"In one aspect, the present disclosure provides a method for building a three-dimensional object, the method comprising a) providing a printable composition comprising a high viscosity polymerizable component, a temporary solvent, and an initiator; b) selectively curing the printable composition to form an article representing the shape of the three-dimensional object; c) removing a substantial amount of the temporary solvent from the article; and d) optionally curing unpolymerized polymerizable component remaining before or after step c)."

一態様では、本開示は３次元物品を造形する方法を提供し、この方法は、ａ）高粘度の重合性成分、仮の溶媒、及び重合開始剤を含むプリント可能な組成物を提供することと、ｂ）プリント可能な組成物を選択的に硬化させて３次元物体の形状を表す物品を形成することと、ｃ）物品から相当量の仮の溶媒を除去することと、及びｄ）任意に、ステップｃ）の前又は後に残存する未重合の重合性成分を硬化させることとを含む。

WO2017180314
"[0117] In another aspect, the build material 302 may be provided as a supply of preformed blocks 303, and the robotics 308 may include a second robotic system configured to position on or more of the preformed blocks to form an interior structure within the object 312. This may be useful, for example, to quickly build volumes of a relatively large object that do not require shaping of exterior surfaces."

別の態様では、造形材料３０２は、予め形成されたブロック３０３の供給源として提供されてもよく、ロボティクス３０８は、予め形成されたブロックのうち１つ以上を配置して、物体３１２内に内部構造を形成するように構成された第２のロボットシステムを含んでもよい。これは、例えば、外面の成形を必要としない比較的大きな物体の体積を迅速に造形するのに有用であり得る。


造形物：build, built object, created object (product, item, article), model, shaped object

造形する：build, create, shape

瞬間的

EP1285471
"Kim in U. S. 4,978,601 (1990) discloses a method of laser treating leadcontaining battery grids that relies on virtually instantaneous melting and solidification of the surface, thereby yielding an improved fine-grained microstructure improving mechanical and corrosion resistant properties."

 米国特許第４，９７８，６０１号（１９９０年）においてＫｉｍは、実質上瞬間的な溶融と表面の凝固により、それによって機械的および耐腐食特性を改善している改善された微粒のミクロ構造を生産する、鉛含有電池グリッドのレーザー処理の方法を開示する。