昨日の第五回は 『トランジスタアンプの設計』 ただしリアクタンス成分を考えない低い周波数のもの とても重要なポイントということです。
(すみません、朝からあまり体調が良くないもので、あとでちゃんとupします>BQEさん kymさんみなさま
)
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ここから 下が本文です。
昨日の第五回は第二回に配布された『携帯電話の設計』という資料の後半に出てくる
高周波(中間周波)増幅器トランジスタ を使った『高周波小信号アンプの設計』
でした。
http://www.amplet.co.jp/tdu/2.pdf
アンプの設計で重要なことは
低周波・・・リアクタンス成分の影響が無いと近似しても良い
(昔は1MHzぐらいまでだったが部品の小型化により物理的に浮遊
容量などの発生する周波数が高くなったので現在は200MHzぐらい
まで低周波と考えていいようです。)
高周波・・・リアクタンス成分をキチっと加味して設計する。
今回設計したアンプは100MHzですが、低周波と考えて設計することになりました。
まずはトランジスタの選択になるのですが細かいところはpdfファイルを見ていただくとして毎年 先生がおっしゃるポイントは
*トランジスタの基本特性としてトランジスタが動作している時には
ベース電圧はエミッタ電圧より0.5～0.7V高くなる。ということです。
(これを知っておくとモノを修理している時にもトランジスタがきちんと動作しているかを掴むことが出来て便利です。)
また、これはトランジスタアンプのバイアス設計する際にバイアス抵抗の値を決定するために重要な事柄になります。
またアンプの電源側に信号が漏れ出さないように入れるRFCですがコイルはコンデンサに比べて自己共振周波数が低いために巻数が多いと浮遊容量が大きくなってコイルを入れているにもかかわらずコンデンサの動作をしてしまい信号が漏れ出すことがあるので並列共振回路として並列にコンデンサを入れるということが通常だということです。
設計に関してはもちろんですが、この資料を持っていると実際に設計された回路図を見ているとどういう意図で部品が組み込まれているかがわかりやすいと思います。
(実際にはコストダウンの関係で省略されてしまっていたり、途中から省略されたり問題があって変更されたりもするので、それを知るのもおもしろいのではないかと思います。)
リンク先は私が管理しているわけではありませんので、もし欲しい方がいらっしゃいましたら公開されているうちにDLしていただくようにお願いいたします。
さて来週は『高周波トランジタスタアンプの設計(高い周波数)』です。
宮出選手大活躍ですね。