IGBT(絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ):一口メモ
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パワーデバイス分野の代表的素子で,MOS FETとバイポーラ・トランジスタを組み合わせて1チップにした素子。絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタともいう。MOS FETでバイポーラ・トランジスタを制御する構造であるため,MOS FETの大電力制御などの両方の特長を兼ね備えており,汎用モータやインバータ制御機器,FA機器などのスイッチング素子として用いられる。応用例としてIH調理器などがあります。
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パワーデバイス分野の代表的素子で,MOS FETとバイポーラ・トランジスタを組み合わせて1チップにした素子。絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタともいう。MOS FETでバイポーラ・トランジスタを制御する構造であるため,MOS FETの大電力制御などの両方の特長を兼ね備えており,汎用モータやインバータ制御機器,FA機器などのスイッチング素子として用いられる。応用例としてIH調理器などがあります。