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サブバンド
(2008-04-06 22:22:04 | デバイス -Device－)
サブバンドの話というのはMOSFETのチャ... -
デバイスパラメータとCMOS遅延（閾値と接合容量）
(2008-03-29 23:46:01 | デバイス -Device－)
CMOSの遅延時間に対する電源電圧および... -
寄生成分
(2008-03-24 07:25:48 | デバイス -Device－)
電源電圧が同じであればCMOSデバイスの... -
スケーリング不可な因子
(2008-03-23 00:18:06 | デバイス -Device－)
半導体はムーアの法則に代表されるよう... -
チャネル長
(2008-03-16 22:34:01 | デバイス -Device－)
チャネル長にはさまざまな定義がある。 ... -
CMOSデバイス設計
(2008-03-09 16:10:37 | デバイス -Device－)
主な設計パラメータとしてはゲート長L、... -
洗浄技術
(2008-03-02 20:59:14 | プロセス -Process-)
洗浄は歩留まりに直結するため半導体製... -
GIDL
(2008-03-01 22:08:34 | デバイス -Device－)
GIDLとはGate-Induced-Drain-Leakage c... -
配線のRC遅延
(2008-02-11 14:45:06 | デバイス -Device－)
VLSIチップやシステムの規模になるとイ... -
ゲート抵抗による配線遅延
(2008-02-11 13:49:59 | デバイス -Device－)
シリサイドのシート抵抗は2-10Ω/□程度に... -
シリサイド
(2007-10-27 15:29:41 | プロセス -Process-)
シリコンは熱を加えることにより金属と... -
CMP技術
(2007-10-22 23:09:59 | プロセス -Process-)
CMPとはChemicalMechanicalPolishing化... -
メタライゼーション
(2007-10-14 15:54:21 | プロセス -Process-)
薄膜形成技術は物理的気相成長法 PVD（... -
SOIデバイス
(2007-08-14 00:50:37 | デバイス -Device－)
はじめに SOI（Silicon-On-Insulator）... -
エッチング技術
(2007-07-30 00:10:10 | プロセス -Process-)
エッチングは堆積した膜をレジスト等を... -
リソグラフィ技術
(2007-07-02 00:27:16 | プロセス -Process-)
リソグラフィとはマスクの幾何学的模様... -
CMOS
(2007-06-24 22:51:36 | デバイス -Device－)
CMOSとはcomplementary(相補的）MOSのこ... -
MOSFETスケーリング
(2007-05-12 18:45:32 | デバイス -Device－)
半導体を縮小（スケーリング）していく... -
MOSFETの基本特性
(2007-05-06 22:03:54 | デバイス -Device－)
MOSFETは日本語で言うと電界効果型トラ... -
不純物ドーピング
(2007-05-02 18:07:04 | プロセス -Process-)
不純物のドーピングは半導体の電気特性...