シリコンは熱を加えることにより金属と安定した金属的、半導体化合物を形成する。このようにして生成された金属シリサイドはメタルゲート等を用いて酸化膜に金属を直付けすることによる金属不純物拡散による信頼性の低下、シリコンを用いたプロセスで難易度が低いわりには金属と同等の配線抵抗が得られ容量を減らせる事から半導体デバイスでよく用いられている。用いられる場所はトランジスタのゲート、ソース、ドレインおよびコン . . . 本文を読む
CMPとはChemicalMechanicalPolishing化学的機械研磨の略でIBMが開発した段差平坦化のための技術である。素子分離や層間絶縁等の絶縁膜のCMPとCuやWのような配線材料の平坦化両方に用いられる。
CMPは数nmのレベルで平坦化できる唯一の技術でありSOG、メルト＆リフロー等の平坦化限界は10μ～100μ程度である。
メモリなどでは高々2から3層の配線であるがLogicでは . . . 本文を読む
薄膜形成技術は物理的気相成長法 PVD（Physical Vapor Deposition）と化学的気相成長法 CVD（Chemaical Vapor Deposition）に大別される。
PVD
蒸着、電子ビーム、蒸着、スパッタなどが含まれる。真空蒸着は真空中にて原料が融点以上に加熱して残留ガスと衝突させずに基板へ堆積させる技術である。
現在主流として用いられているIonBeamSputtae . . . 本文を読む