VLSIチップやシステムの規模になるとインバータやNAND、NORゲート等、小規模では無視できていた回路の遅延が無視できなくなる。
配線容量
図
配線の容量は平行平板成分、フリンジ電界成分、配線間成分の3つに分けられる。
W≫tの時のみ平行平板成分のみ（図の１点鎖線）で近似できる。 W/t_ins が減少するに従ってフリンジ成分はより重要になり1pF/cmの最低値に漸近する。
これは絶縁膜厚 . . . 本文を読む
シリサイドのシート抵抗は2-10Ω/□程度になる。この値は微細化に伴う凝集（agglomeration）、相転移等でこれ以上には小さく出来ないためデバイス自体の遅延が微細化により改善された場合ゲートのRC遅延が問題になる場合がある。
ゲートのRC遅延はリングオシレータやインバータチェーンなどを用いて測定される。長さL幅Wゲートのシート抵抗がρ（Ω/□）であるMOSFETを並べた回路を下のように考 . . . 本文を読む