サブバンド 2008-04-06 22:22:04 | デバイス -Device－ サブバンドの話というのはMOSFETのチャネルでよく議論になる。 ゲートの垂直方向の電界により伝導体のバンドが大きく曲げられた場合には量子効果により反転電子のエネルギーは離散的なエネルギー分布（サブバンドといわれる、伝導体のエネルギーよりも大きい）の集合になるため電子の濃度はシリコン酸化膜界面より2nmほど中に入ったところにピークを持ち界面では電子の濃度は0になる。（古典モデルでは反転層が形成され . . . 本文を読む
