p-n接合とは
Bなどが注入されたp型の半導体とAs、Pが注入されたn型の半導体をつなげたものをp-n接合という。
p-n接合の最も重要な特性は整流性である。下図参照
順バイアス：p側に正電圧をかけていくと電圧の増加と主に電流が急速に増加する。逆バイアス：一方、逆方向に電圧をかけていくと電流はほとんど流れないが臨界電圧に達すると降伏して電流が流れる。逆方向の降伏電圧は接合の濃度差などのパ . . . 本文を読む
半導体において電気を流す担い手であるキャリアの輸送減少にはドリフト、拡散、再結合、生成、熱電子放射、トンネリングなどがある。
キャリアのドリフト
熱平衡状態における電子の熱エネルギーは１自由度辺り1/2kTのエネルギーを持つ。半導体中では3自由度あるとして電子のエネルギーは
1/2mv^2=3/2kTとなる
ここでのmとvは有効質量、熱速度の平均値である。
室温におけるSi中の電子の熱速度は1 . . . 本文を読む
半導体はその名の通り電気を通す導体と電気を通さない絶縁体の中間の性質を持つ物質。下の図に示すように電気の流れやすさというのは桁で異なっている。
電気を流すキャリアを温度、光、磁界などで意図的に発生させることによって電気を流したり長さなかったりと切り替えることの出来る性質を利用してデバイスは作られている。
半導体としてもっとも一般的に用いられているのがSiもしくはGeである。とくにSiは元素と . . . 本文を読む
3/25キックオフ
就職して1年。これまで学んだ知識をまとめていきます。
とりあえずデバイス編の予定はこんな感じ。
1.半導体物理（バンド理論）
2.半導体物理（移動度、拡散)
3.MOSキャパシタ
4.酸化膜の信頼性
5.MOSFET
6.MOSFETの動作パラメータ
7.スケーリング
8.CMOS
9.CMOS最適設計
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