電流を流すとN極とS極が反転する磁石を実現 ～強磁性半導体単層極薄膜における低電流密度磁化反転現象
東京大学大学院工学系研究科のJiang Miao(姜淼) 大学院生（博士課程２年）、大矢忍 准教授、田中雅明 教授のグループは、小さな電流を流すだけでN極とS極（磁化の向き）が反転する磁石を実現しました。研究グループが作製したのは、ガリウム砒素(GaAs)という半導体にマンガン原子を数％ドーピングした強磁性半導体GaMnAsという物質からなる膜厚7 nmの極薄膜です。この薄膜に電流を流すだけで、しかも3.4×105 Acm–2という非常に小さな電流密度で磁化が反転することが分かりました。
東京大学大学院工学系研究科のJiang Miao(姜淼) 大学院生（博士課程２年）、大矢忍 准教授、田中雅明 教授のグループは、小さな電流を流すだけでN極とS極（磁化の向き）が反転する磁石を実現しました。研究グループが作製したのは、ガリウム砒素(GaAs)という半導体にマンガン原子を数％ドーピングした強磁性半導体GaMnAsという物質からなる膜厚7 nmの極薄膜です。この薄膜に電流を流すだけで、しかも3.4×105 Acm–2という非常に小さな電流密度で磁化が反転することが分かりました。
