MOSFETの基本特性 2007-05-06 22:03:54 | デバイス -Device－ MOSFETは日本語で言うと電界効果型トランジスタであり、n型MOSFETを例にとって言うとp型基板に二つのn+領域(ソース、ドレイン）、酸化膜を挟んでポリシリコン、金属ゲートが存在する4端子のデバイスである。デバイスの中央部分は前述したMOS構造になっており、この部分に電圧をかけて反転層を形成し、ソース→ドレインにキャリア(電子、正孔）を流すことによってスイッチングをおこなうデバイスである。(電 . . . 本文を読む
