IGBTとは、パワーMOS FETの高速スイッチング特性と、バイポーラトランジスタの高電力特性を兼ね備えた、比較的新しいデバイスである。
実はこのIGBT、「Ａｒａｙ」心臓部のインバータ用パワーデバイスとして利用されており、フェアチャイルド製（シリコンによる半導体を専門的に製造した最初の企業）のものが採用されている。
IGBTの選定にあたっては、パワーMOS FETの採用も視野に入れ、国内外メーカ問わず、その電気的特性および聴感上の両方から行われた。
パワーMOS FETは、その高速性からキャリア周波数の高周波化が期待（高周波化により機器を小型にできる）され、試作においても40K～50KHzでの動作検証や試聴が繰り返された。しかし、スッチングスピードの高速さゆえ、発生ノイズを抑制することが難しく、採用にはいたらなかった。
一方、IGBTはMOS FETの高速性までとはいかないものの、近年の技術進歩により高速制御（モノによっては数100KHzも可）が可能となっていた。比較的低いと思われるかも知れないが、「Ａｒａｙ」採用でのキャリア周波数は25KHzとなっており、これも試聴を重ねての結果だ！(>_<)（高すぎても低すぎてもダメだった）
IGBTはゲート（制御端子）がMOS構造であることから、小電力での駆動が可能だが、その分HIGHインピーダンスでノイズの影響を受けやすいという特徴も持っている。IGBTは基本的に＋バイアスでＯＮ、ゼロバイアスでＯＦＦという動作をするが、「Ａｒａｙ」の場合、上記理由から－バイアスとすることで、ＯＦＦ時の誤点弧を防いでいる。
「Ａｒａｙ」はフルブリッジインバータで構成されており、１スイッチあたりIGBTを４ヶパラレル（計１６ヶ）使用。強大な供給電流に対し、十分耐えれる構成としている。
これまで、SIT電源という代名詞までついたDA-7シリーズに対し、IGBTを使用した「Ａｒａｙ」がどこまで行けるか楽しみだ。
※SITの流れをくむIGBT
こんな逸話があります。
実は、SITの生みの親であるMr.半導体こと「西澤潤一先生」（隊長の尊敬する先生）は、かつて仲間と基礎研究を行い、より高度の「ＳＩＴＨ」（後のIGBT）として基礎的には解決していた。しかし、研究費不足で応用開発を続けられなく、その後、このIGBTが米ＧＥ社で実用化された。その開発者からは「開発の端緒は西澤博士の論文でみつけた」と言われている。