開発者の林OM(JA2SVZ)が公開されてる回路です。
回路的にはトランジスタとかFETは使ってないので、どなたにでも作れ失敗する率も低いでしょう。
ブームをGNDとしますので、取り付けるマストも非金属製の必要も無く、マストへの固定も楽ですね。
トランスは左からT1.T2.T3とすると
T1=0.6mm UEW 1t
T2=0.6mm UEW 1t
T3=0.45mm UEW 2t
コアはFB801-43
T1とT2の1tですが、私はコアの穴の中に真っすぐ通してるだけです。(原典は撚ってます)
T3の2tは原典通りに撚ってます。
バリキャップについては、入手のしやすから1SV149×3×2=計6個に変更。
これで制御電圧0Vから15Vの範囲で2.6Mあたりから15.6M辺りまでカバー。
エレメントは巾20ミリ、厚み2ミリのフラットバーを直径1mにした物です。
直径とかを変えるとカバー範囲も変わります。
制御電圧は同軸に重畳させるので、同軸ラインに入れるバイアスTEEが必要です、CQ誌2006年12月号に詳しい記事が載っております。
私は、安定化電源出力(15Vを、単純に100Kオーム(B型)のVRで可変できるようにし、上記のバイアスTEEに供給しております。
バリキャップを、容量の違う物とかに切替できるようにすれば、短波全域をカバーできます。
中波については、エレメントにLを追加すればカバーできますが、使うLのQによって効率が落ちます。
エレメントをパラにする、ツインエレメント化も面白そうですね、どなたか追試してください。
なかなか効率の良い方式なので、AMP無しでも十分実用になります。<<<検証済み
