ジャンクション温度Tjとは何か？

半導体の熱設計をするときにはジャンクション温度Tjというものをよく使う。
ただ、このジャンクション温度Tjとは何なのかというのがイマイチよくわからん。

その疑問をもって、まえにとある半導体メーカーのエンジニアに聞いたことがある。

俺「Tjの正確な意味って何だ？」
奴「ジャンクション温度だ」
俺「それは半導体の内部の接合部のことか？」
奴「そうだ」
俺「いくらなんでもchipとワイヤボンディングの接合界面のことではないよな？」
奴「もちろん違う」
俺「名前からすると、ドレインかソースの拡散層と電極の接合界面の温度かのように思える。ただ、熱的な最高温度という意味でいえばゲート酸化膜のすぐ下の温度かのようにも考えられる。いったいどっちが正しいのか？　そもそも原子の数が数えられるくらいの微小構造で温度というものは定義できるのだろうか？」
奴「う～ん・・・」
俺「そもそも熱設計の粒度をどれくらい細かくしたらいいのかが良く分からない。さっき話したとおりならば、トランジスタ１個より細かい粒度で解析する必要があるが、そこまでは恐らく誰もやっていないに違いない。では、スタンダードセル１個くらいの粒度なのか。マクロ１個くらいの粒度なのか。どうすべきなのか」
奴「そんなに細かい熱設計はやっていない」
俺「では御社はいつもどうやっているのか」
奴「chipは均一発熱でやっている」
俺「そんなザルで良いのか！？」
奴「いつもそうだが」
俺「中には明らかに熱源が偏っているchipもあるが、それで大丈夫なのか？」
奴「いつもそれでchipを痛めない十分な寿命を確保できることを確かめてあるから仕様的には大丈夫だ」
俺「それはどこかにマージンが入っているということなのか？　解析の粒度を上げる場合にはTjの最高規定温度をもっと上げても良いという事なのか？」
奴「いや・・・」
俺「我々のおこすchipは熱源がかなり偏るみこみで、均一発熱にしてしまうとかなり不安だ。もし御社のサービスを使っておこした場合には均一発熱解析結果をもって保証してくれるか？」
奴「熱に関しては解析結果は提供するが保証はしない。自分らで判断してくれ」
俺「はあ・・・」

という感じだ。
ジャンクション温度Tjとはいうものの、それが何なのかというのは誰も解っていないらしい。