東北大学は東京エレクトロンと共同で、電子の磁石の性質を利用しデータを記憶するメモリー素子の新たな技術を開発した。製造における不良品の割合が減り、データを10年間記憶できる容量も100テラ（100*10＾12、100兆）バイトと、従来の100万倍以上になった。加工装置の技術として実用化する方針。
開発したのは「STT-MRAM」と呼ぶ次世代メモリーに関する技術。
○STT-MRAM
STT-MRAM（スピン注入磁化反転型磁気メモリ）は、低電圧で高速動作、高い書き換え耐性などの特長を持つ不揮発性メモリ。電流で磁石の向きを変えて記憶する。記憶保持に電気がいらず、DRAMやSRAMの置き換えなどの用途が期待される。
研究グループはガスを使って素子を加工する手法を開発した。従来、イオンを物理的に材料にぶつける方法がとられていたが、イオンが当たらない場所ができてしまい、大容量化には向かないという課題があった。新技術は大容量化が可能で10年間保持できる
◆2018年2月15日 プレスリリースから
磁気トンネル接合素子、未踏の一桁ナノメートル領域で動作実現
～超大容量・低消費電力・高性能不揮発性メモリの実現に道筋～
ポイント
最小直径3.8ナノメートルまでの極微細高性能磁気トンネル接合素子を開発
形状磁気異方性の利用により1桁ナノメートル台においても応用に求められる主要特性を達成
超大容量低消費電力メモリ・集積回路の実現に道筋、IoT技術の発展に貢献
概要
東北大学電気通信研究所の大野英男教授、深見俊輔准教授、佐藤英夫准教授、陣内佛霖助教、渡部杏太博士後期課程学生は、超低消費電力高性能ワーキングメモリとしての実用化が期待されるSTT-MRAMの主要構成要素である磁気トンネル接合素子の新しい方式を提案し、世界最小となる一桁ナノメートルサイズでの動作実証に成功した。
磁石の向きを電気的に制御して情報を記憶する不揮発性磁気メモリ（STT-MRAM）は現在世界中で盛んに研究開発が行われている。大容量化・高性能化を進めていく上では、その構成要素である磁気トンネル接合素子の微細化が不可欠。ここで課題となるのが、情報の忘れにくさ（熱安定性）と書き換えやすさ（電流誘起磁化反転）の両立です。2010年に同グループは「界面磁気異方性」を利用する磁気トンネル接合を開発し、直径20ナノメートルまでの微細化技術を確立したが、さらに微細化を進めるにあたっては、上記の2つの要件を同時に満足する技術の開発が大きな課題となっていた。今回、同グループは「形状磁気異方性」を積極活用する新しい磁気トンネル接合素子を提案し、一桁ナノメートル台でも十分な熱安定性と電流誘起磁化反転を実現する素子の動作実証に成功した。作製した素子の最小サイズは3.8ナノメートルで、これはこれまで行われてきた研究と比べて群を抜いて小さいサイズ。この技術は、極限まで微細化された将来の半導体集積回路にまで適用可能であり、今後技術開発を進めることで現行の約100倍となる100ギガビットクラス以上の大容量ワーキングメモリを実現できるものと期待される。
雲が多い。今日の天気は曇。夕方から雨の予報、畑に恵の雨を。
畑の花畑。”オルレア”が満開だ。コロニー状に纏まって咲いており、見応えが素晴らしい。開花の期間がとても長く、4月から咲いている。昨年の種かな、”こぼれ種”からか・・本来は多年草（宿根草）だが、夏の高温多湿に弱く、夏には枯れる一年草と扱われている（秋まきの一年草）。
”オルレア（オルレア・ホワイトレース）”は、花姿が非常に美しく、白いレース状の花、夏向きの花である。中央の微細な花の周りを大きな花弁を持った花がリング状に囲む、独特の形をしている。
”ホワイトレースフラワー”（セリ科アンミ属、別名：ドクセリモドキ）に似ている。
オルレア
（オルレア・ホワイトレース、オルレア・グランディフローラ）
学名：Orlaya grandiflora
セリ科オルレア属
原産地はヨーロッパ
一年草扱（常緑多年草）
開花時期は4月～7月
小さな白い花が集まり、レースのような花序
ホワイトレースフラワー（別名：ドクゼリモドキ）に似る
開発したのは「STT-MRAM」と呼ぶ次世代メモリーに関する技術。
○STT-MRAM
STT-MRAM（スピン注入磁化反転型磁気メモリ）は、低電圧で高速動作、高い書き換え耐性などの特長を持つ不揮発性メモリ。電流で磁石の向きを変えて記憶する。記憶保持に電気がいらず、DRAMやSRAMの置き換えなどの用途が期待される。
研究グループはガスを使って素子を加工する手法を開発した。従来、イオンを物理的に材料にぶつける方法がとられていたが、イオンが当たらない場所ができてしまい、大容量化には向かないという課題があった。新技術は大容量化が可能で10年間保持できる
◆2018年2月15日 プレスリリースから
磁気トンネル接合素子、未踏の一桁ナノメートル領域で動作実現
～超大容量・低消費電力・高性能不揮発性メモリの実現に道筋～
ポイント
最小直径3.8ナノメートルまでの極微細高性能磁気トンネル接合素子を開発
形状磁気異方性の利用により1桁ナノメートル台においても応用に求められる主要特性を達成
超大容量低消費電力メモリ・集積回路の実現に道筋、IoT技術の発展に貢献
概要
東北大学電気通信研究所の大野英男教授、深見俊輔准教授、佐藤英夫准教授、陣内佛霖助教、渡部杏太博士後期課程学生は、超低消費電力高性能ワーキングメモリとしての実用化が期待されるSTT-MRAMの主要構成要素である磁気トンネル接合素子の新しい方式を提案し、世界最小となる一桁ナノメートルサイズでの動作実証に成功した。
磁石の向きを電気的に制御して情報を記憶する不揮発性磁気メモリ（STT-MRAM）は現在世界中で盛んに研究開発が行われている。大容量化・高性能化を進めていく上では、その構成要素である磁気トンネル接合素子の微細化が不可欠。ここで課題となるのが、情報の忘れにくさ（熱安定性）と書き換えやすさ（電流誘起磁化反転）の両立です。2010年に同グループは「界面磁気異方性」を利用する磁気トンネル接合を開発し、直径20ナノメートルまでの微細化技術を確立したが、さらに微細化を進めるにあたっては、上記の2つの要件を同時に満足する技術の開発が大きな課題となっていた。今回、同グループは「形状磁気異方性」を積極活用する新しい磁気トンネル接合素子を提案し、一桁ナノメートル台でも十分な熱安定性と電流誘起磁化反転を実現する素子の動作実証に成功した。作製した素子の最小サイズは3.8ナノメートルで、これはこれまで行われてきた研究と比べて群を抜いて小さいサイズ。この技術は、極限まで微細化された将来の半導体集積回路にまで適用可能であり、今後技術開発を進めることで現行の約100倍となる100ギガビットクラス以上の大容量ワーキングメモリを実現できるものと期待される。
雲が多い。今日の天気は曇。夕方から雨の予報、畑に恵の雨を。
畑の花畑。”オルレア”が満開だ。コロニー状に纏まって咲いており、見応えが素晴らしい。開花の期間がとても長く、4月から咲いている。昨年の種かな、”こぼれ種”からか・・本来は多年草（宿根草）だが、夏の高温多湿に弱く、夏には枯れる一年草と扱われている（秋まきの一年草）。
”オルレア（オルレア・ホワイトレース）”は、花姿が非常に美しく、白いレース状の花、夏向きの花である。中央の微細な花の周りを大きな花弁を持った花がリング状に囲む、独特の形をしている。
”ホワイトレースフラワー”（セリ科アンミ属、別名：ドクセリモドキ）に似ている。
オルレア
（オルレア・ホワイトレース、オルレア・グランディフローラ）
学名：Orlaya grandiflora
セリ科オルレア属
原産地はヨーロッパ
一年草扱（常緑多年草）
開花時期は4月～7月
小さな白い花が集まり、レースのような花序
ホワイトレースフラワー（別名：ドクゼリモドキ）に似る