自作リチウムイオン電源に続き、自作ATX電源も熱対策を行いました。
TOP画像が熱対策後の自作ATX電源の筐体内部です。
写真中央からやや左寄りのアルミプレートにヒートシンクを取り付けました。
↓下の対策前の御像と比べると分かりやすいかと思います。
このヒートシンクを取り付けたアルミプレートには+5VDCと+12VDCのブリッジダイオードとしてSiC-SBDを取り付けています。その他にラッシュカレントからSiC-SBDを保護する電流制限抵抗器と、それを時間差でバイパスするMOS-FETが取り付けてあります。
この中で主に発熱するのはSiC-SBDですが、この発熱量を見誤っておりました。
SiC-SBDは従来のSi-FRD等と比べてVfが約2倍で、単純に考えて発熱量も2倍になると考えられます。
しかも、温度上昇に比例してVfも上昇する特性です。
実際に手で触ってみると熱い湯船程度の温度になっていますから、45℃程度に上昇しています。動画等を再生するとさらに上昇する状態ですので、音楽用として使用する分には大丈夫ですが、不安が残ります。
そこで今回の対策となりました。
↑今回取り付けたヒートシンクのアップ画像です。
部品を固定しているアルミプレートにヒーーとシンクを後付けしましたので、ネジの逃げを作らないと凸凹があり熱結合できません。
ハンドドリルで穴を開け、ひたすらヤスリで削りました。
無事取付完了しまして、実際に動画を流して発熱の状態を確認しました。
改善しましたが、筐体両側面のヒートシンクに取り付けられたリニアレギュレーターよりも発熱は明らかに大きいです。
ひとまず安心ですが、今後この自作ATX電源をメンテナンスする際は大幅に熱容量を増やす対策を同時に行いたいと考えています。
TOP画像が熱対策後の自作ATX電源の筐体内部です。
写真中央からやや左寄りのアルミプレートにヒートシンクを取り付けました。
↓下の対策前の御像と比べると分かりやすいかと思います。
このヒートシンクを取り付けたアルミプレートには+5VDCと+12VDCのブリッジダイオードとしてSiC-SBDを取り付けています。その他にラッシュカレントからSiC-SBDを保護する電流制限抵抗器と、それを時間差でバイパスするMOS-FETが取り付けてあります。
この中で主に発熱するのはSiC-SBDですが、この発熱量を見誤っておりました。
SiC-SBDは従来のSi-FRD等と比べてVfが約2倍で、単純に考えて発熱量も2倍になると考えられます。
しかも、温度上昇に比例してVfも上昇する特性です。
実際に手で触ってみると熱い湯船程度の温度になっていますから、45℃程度に上昇しています。動画等を再生するとさらに上昇する状態ですので、音楽用として使用する分には大丈夫ですが、不安が残ります。
そこで今回の対策となりました。
↑今回取り付けたヒートシンクのアップ画像です。
部品を固定しているアルミプレートにヒーーとシンクを後付けしましたので、ネジの逃げを作らないと凸凹があり熱結合できません。
ハンドドリルで穴を開け、ひたすらヤスリで削りました。
無事取付完了しまして、実際に動画を流して発熱の状態を確認しました。
改善しましたが、筐体両側面のヒートシンクに取り付けられたリニアレギュレーターよりも発熱は明らかに大きいです。
ひとまず安心ですが、今後この自作ATX電源をメンテナンスする際は大幅に熱容量を増やす対策を同時に行いたいと考えています。
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