第3章半導体・電子管・電子回路
番外編～トランジスターの
電流増幅率その3～
今回は、トランジスターの電流増幅率の 3 回目とし
てトランジスターの回路として 一番良く使用されま
すエミッター接地回路の電流増幅率 のお話をいたし
ます。
前回、お話を致しました ベース接地回路の電流増幅
率が基礎になりますので、 読み返しておいて下さい
。
※平成26年４月１日以降の試験からトランジスターの記号から丸
が無くなりました。
図-4をご覧ください。電池 Ebeで Ib が流れ、 結果
とてIcが流れます。
Ebeに直列に微小な信号源 Vi が繋がれています。
Vi の変化により Ib が ΔIb だけ変化します。結果と
して Ic が ΔIcだけ変化します。
Ie は、Ib + Icですので、Ie も ΔIe だけ変化します
。
それではエミッター接地の電流増幅率についてお話
をします。エミッター接地では、Ib が入力でIc が、
出力となりますので エミッター接地の電流増幅率：
βは、
β = ΔIc/ΔIb (2)
となります。
続きは、5 月の「法規」と「工学」のページで お読み
下さい。
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