第3章半導体・電子管・電子回路
番外編～接合形電界効果
トランジスター（FET）～
今回は、前々回迄にお話をしました バイポーラ・トランジスターに比較
してのユニポーラ・トランジススター (FET) の特徴をお話する予定でし
たが、FET のお話をしていませんでしたので 番外編としてお話をする事
と致しました。
注 これからの説明では、 N 形FETと P 形FETを 同時に説
明していますので 1回目に読まれるときは、P 形FETの
部分を読み飛ばして読んで下さい。
[構造]
図-1 は、NチャンネルFET と呼ばれる物です、 N 形半導体
の左端には、金属板があり、 ソース と呼ばれます。右端に
も金属板があり、ドレイン と呼ばれます。 そして N形半導
体の中央部の上下 2箇所が、P 形半導体に成っています。そ
れらの P形半導体部分にも金属板がつけられていてこれらの
電極を ゲートと言います。 （それぞれの金属板は、 灰色で
示してあります。）
それぞれの電極は、 "S"、"D"、"G" の アルファベットで表
記されます。
トランジスターの場合の各部の名称は、エミッター、ベース
、コレクタターでした。名前の違いも覚えておいて下さい。
ソース(source)は、”源”です。キャリアの源になります。
トランジスタ―の場合は、エミッターに当たります。
ドレイン(drain)は、”排水溝”です。キャリアの出口になりま
す。トランジスターの場合は、コレクターです。
そして、(gate) は、”門” です。門は 開閉する事により人や
車等の通行量を制御します。トランジスターの場合は、ベー
スです。トランジスターと FETでは、名前が違いますが、そ
れぞれの名前は、同じ様な事を表しています。
表記のＳ、Ｄ，Ｇは、それぞれトランジスターのE、C、B に
あたります。
[動作原理]
ソースがマイナス、ドレインが プラスになる様に電池が繋が
れいます。
そして、別の電池のマイナスが ゲートに。その電池のプラス
は、ソースに繋がれています。
ゲートに 電圧が掛っていない状態では、N 形半導体の自由電
子は、ドレインに加わる ”+” の電圧によりソース側からドレ
イン側に移動します。
それでは、N形半導体の中に元々あった余った電子は なくな
ってしまうのでしょうか？
ソースとドレインに繋いだ電池とを結ぶ 導線の中の自由電子
も一緒に 導線⇒電池⇒導線⇒ソース⇒ドレイン⇒と言う ルー
プの中を動きますので電子の循環は、続きます。
続きは、5 月の「法規」と「工学」のページでお読み下さい。
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