ロケットインデューサーの入口隙間旋回逆流を減らす目的のブレード展開角拡大の効果を見た流体解析結果が次図です。
ブレード展開角を３００度まで増やして螺旋形状羽根の重なりによる羽根チップ側戻り旋回流を減らそうとしましたが、次図のようにチップ側からの逆流流れが造る渦はかなり勢いが少なくなりましたが完全にはなくなっていません。
次は戻り旋回流れを流線で見た状態ですが、羽根入口縁に入る前に旋回渦は強く出ています。
この逆流旋回流れは高速流れとなるので、それがキャビテーションを発生させて、それの生成と消滅の繰り返しによる不安定現象がインデューサー入口側で起きてしまいます。
入口旋回流れは強いのですが、インデューサー羽根だけで見ると次図のように極端な低圧領域は少ない良い状態です。
このロケットインデューサーは、チップ側ギャップが１．５ｍｍと大変に大きいので逆流が起こっていると考えられ、通常のチップ側ギャップである０．５ｍｍ以下とすればこのような逆流現象は相当に防げることとなりそうなので、現在ギャップ０．５ｍｍに設定した改良流体解析を行っています。
＜今日の流れ＞
午前中は書類関係作業を行い、午後は来客での打合せです。
