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experimental ambient leftfield wired noise glitch

ウェハー[1]のウェーハ[2]、ウエーハ[3]、ウエハー[4]、ウェハ[5]、ウエハ[6][7]

2012-08-25 00:21:00 | Weblog
ウェハー (wafer ウェイファ)は、半導体素子製造の材料である。高度に組成を管理した単結晶シリコンのような素材で作られた円柱状のインゴットを、薄くスライスした円盤状の板である。呼称は洋菓子のウェハースに由来する(英語表記ではいずれもwafer)。

ウェハー[1]のほか、ウェーハ[2]、ウエーハ[3]、ウエハー[4]、ウェハ[5]、ウエハ[6][7]などさまざまに呼ばれる。

ウェハーの直径は50mm - 300mmまでいくつかあり、この径が大きいと1枚のウェハーから多くのICチップを切り出せるため、年と共に大径化している。2000年ごろから直径300mmのシリコンウェハーが実用化され、2004年にはシリコンウェハ生産数量の20%程を占めた。

ウェハーの厚さは、製造工程での取り扱いの簡便さから0.5mm - 1mm程度に作られており、一般のシリコンウェハーの場合、外寸はSEMI(Semiconductor Equipment and Materials International)などの業界団体で標準化されており、直径150mm(6インチ)の場合は厚さ0.625mm、200mm(8インチ)では厚さ0.725mm、300mm(12インチ)では厚さ0.775mmとされている。厚み公差は±0.025mmである。

工程中でウェハーの向きを合わせるため、周上にオリフラ(orientation flat = オリエンテーション フラットの略)と呼ばれる直線部、またはノッチとよばれる切り欠きが設けられている。また、結晶構造が製造する半導体素子の動作に最も適した方向となるよう、ウェハーは特定の結晶方位に沿ってスライスされており、導電型と結晶方位によってオリフラの切り欠き位置が決まっている。


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