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新日鉄、西豪州鉄鉱石ローブリバーJVの出荷能力を拡張

2008-09-28 15:53:30 | Weblog










西豪州鉄鉱石ローブリバーJVにおける出荷能力の拡張について


 新日本製鐵株式會社(代表取締役社長:宗岡正二)およびその豪州子会社であるNippon Steel Australia Pty Ltd(以下、NSA)は、資源大手リオ・ティント・グループ(Rio Tinto、本社:ロンドン・メルボルン、社長:トム・アルバニーズ)等と共同で運営する西豪州鉄鉱石ローブリバーJVにおいて、鉄鉱石積み出し港であるケープランバート港の出荷能力(*1)を1億トン増加し、180百万トン/年まで拡張する計画の実行に向け、能力拡張に必要となる資機材の先行発注等のための投資を行うことを決定致しました(*2)。

 今回の先行投資額は、ローブリバーJV全体で約13.5億豪州ドル(約1,400億円)を見込んでおります(*3)。

 なお、鉱山開発を含む拡張計画全体については現在FSを実施しているところであり、その結果を踏まえ別途意思決定を行う予定となっておりますが、今回の先行投資は、資機材の調達期間の長期化に起因した計画遅延や資機材価格の高騰に伴うコスト増を回避し、円滑なプロジェクトの実行を図るため決定した次第です。

 当社は、現在推進している中期連結経営計画の中で、高炉の大型化、新コークス炉建設により設備強化を進める他、原料使用技術の向上による安価原料の使用拡大等によって、鉄源工程全般の体質強化を図っております。また、原料調達面においては、これらの中期諸施策を支えるため、原料の長期安定確保に向けて鉱山への投資を含む戦略的な原料購買政策を推進しております。当社は、今後とも引き続き鉄鋼原料サプライヤーとの関係を強化しつつ、中長期的な原料の安定確保に努めていく所存です。


(*1):現在、57百万トン→80百万トン/年への能力拡張工事中(2008年末完工予定)。
(*2):ローブリバーJVとリオ・ティント・グループとの間のインフラ共同利用契約上の諸条件が充足されることを条件として。
(*3):ローブリバーJVの各出資者が権益比率に応じて負担。
 (権益比率:リオ・ティント・グループ53%、当社10.5%、三井物産33%、住友金属3.5%)


*添付あり。




三洋半導体、リチウムイオン電池保護回路用MOSFETシリーズを発売

2008-09-28 13:18:44 | Weblog










業界トップ(※1)の低オン抵抗10.5mΩを実現
リチウムイオン電池保護回路用MOSFETシリーズを発売


 製品名:EFC4601R/EMH2407/ECH8651R など全11機種
 サンプル出荷:2008年8月より出荷開始
 生産計画:2008年9月より順次量産開始 4500万個/月(ピーク時)
 サンプル価格(税込み):105円


 三洋半導体株式会社は、リチウムイオン電池保護回路に最適なNチャネル型「MOSFETシリーズ」全11機種を開発いたしました。2008年8月よりサンプル出荷を開始し、9月より順次生産を開始いたします。

 本シリーズは、携帯機器向け二次電池の充放電保護回路スイッチ用途MOSFETとして要求される、低オン抵抗特性、小型・薄型を独自技術により業界最高水準で実現しております。

 今回、モールド製品からCSP(Chip Size Package)製品まで11機種をフルラインアップすることで、さまざまなリチウムイオン電池保護回路への対応が可能となりました。

 また、外部端子の鉛フリー、ハロゲンフリー、高性能化による省エネルギー、レアメタル使用の削減、小型・薄型化による原材料の省資源化など、あらゆる面において環境配慮型の製品となっています。

 リチウムイオン電池は、電池の充放電時に発熱・破裂・劣化等を防ぐために、充放電保護回路を内蔵しています。
 保護機能としては、過充電・過放電・過電流・短絡保護などの機能があり、MOSFETをスイッチとして使用します。


【 特長 】

1.業界トップ(※1)の"低オン抵抗特性"により、低消費電力化を実現

2.CSP構造(※2)採用により、実装面積を70%低減(当社ECH8比)、実装高を約40%低減(0.55mm)

3.リチウムイオン電池の信頼性を確保する、"24V耐圧"を中心とした幅広いラインアップ


*以下、詳細は関連資料をご参照ください。


◆お客様お問い合わせ先
 三洋半導体株式会社 パワーマネジメント事業本部 ハイパーデバイス事業部
 HD商品企画部
 住所:〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田1-1-1
 TEL:0276-61-8055