(2.各ブロックの回路の検討)
E.検波(DET) 及び F.ビート発振(BFO)
今回は"IF-Amp"を後回しにして、DETとBFO、それにMute回路を考えてみました。回路図は以下の通りです。
![](https://blogimg.goo.ne.jp/user_image/13/c1/544228ef50ead7c0bd69835de9dbf807.png)
[a]は"SS-40"のDET,BFO及び,Mute回路で、AGCとAF-Ampも一緒に書いてあります。
DET&BFOは、DBMに発振回路も入っている"SA612"を使っていて、差動出力からMute回路を経てAF-Amp(差動入力)へとつながっています。
[b]は、プロダクト検波とMute回路、そしてBFOです。"SA612"が入手できれば[a]の回路のままでも良かったかも知れませんが、今回はMixerでも使った3SK63でプロダクト検波を行ない、BFOはX-talフィルタの時に選別し発振周波数が一番高かったX-talを使うことにします。
まずBFOですが、"FCZ5"(6.75μH)と80pFのトリマコンデンサを使うと6kHz程周波数を変えることができました。X-talフィルタは、X-talの発振周波数より若干低い周波数が通過(帯域)周波数となりますので、ちょうど良さそうです。また、多少周波数が変わってもビートのピッチが変わるだけですので、L-OSCよりラフに作ることにしATTのみでバッファは付けないことにします。
プロダクトDETは一種のMixerですので、Mixerとほぼ同じ回路にしています。RFやMixerと違って受信信号が増幅されているのでノイズ等にあまり気を使わず、またBFOからの入力をクリップしないようにするため、G2には1V程のバイアスをかけてみようと思います。
そして、Dのすぐ後にはLPFを入れており、入出力インピーダンスが約700Ωであれば約2250Hzより高い周波数が徐々に減衰されることになります。
次がMute回路ですが、最初[a]の回路を見てDからSに電流が流れないので、どのように動作するか分かりませんでした。あれこれ調べてみて、次のようなことが分かりました。
J-FET(Nチャネル)のドレイン(D)とソース(S)間はN型半導体なので、ある程度の抵抗値(数10~数100Ω)を示すものの導通があります。つまりAF信号等は通ることになります。そこに、D(あるいはS)に電圧をかけても導通したままですが、Gをアースに落とすことでバイアスがかかるのでDとS間の抵抗が大きくなりAF信号等は通さなくなるようです。実際にDに電圧をかけて試してみましたが、ダイオード(Di)がない時は約1.5V以下、Diを入れた時が約2.1V以下でAF信号が漏れてくるようです。また、DとSを逆に接続してみましたが、Sに電圧をかけた時よりDに電圧をかけた方が漏れが少ないので、[b]のようにDに電圧をかけることにしたいと思います。
E.検波(DET) 及び F.ビート発振(BFO)
今回は"IF-Amp"を後回しにして、DETとBFO、それにMute回路を考えてみました。回路図は以下の通りです。
![](https://blogimg.goo.ne.jp/user_image/13/c1/544228ef50ead7c0bd69835de9dbf807.png)
[a]は"SS-40"のDET,BFO及び,Mute回路で、AGCとAF-Ampも一緒に書いてあります。
DET&BFOは、DBMに発振回路も入っている"SA612"を使っていて、差動出力からMute回路を経てAF-Amp(差動入力)へとつながっています。
[b]は、プロダクト検波とMute回路、そしてBFOです。"SA612"が入手できれば[a]の回路のままでも良かったかも知れませんが、今回はMixerでも使った3SK63でプロダクト検波を行ない、BFOはX-talフィルタの時に選別し発振周波数が一番高かったX-talを使うことにします。
まずBFOですが、"FCZ5"(6.75μH)と80pFのトリマコンデンサを使うと6kHz程周波数を変えることができました。X-talフィルタは、X-talの発振周波数より若干低い周波数が通過(帯域)周波数となりますので、ちょうど良さそうです。また、多少周波数が変わってもビートのピッチが変わるだけですので、L-OSCよりラフに作ることにしATTのみでバッファは付けないことにします。
プロダクトDETは一種のMixerですので、Mixerとほぼ同じ回路にしています。RFやMixerと違って受信信号が増幅されているのでノイズ等にあまり気を使わず、またBFOからの入力をクリップしないようにするため、G2には1V程のバイアスをかけてみようと思います。
そして、Dのすぐ後にはLPFを入れており、入出力インピーダンスが約700Ωであれば約2250Hzより高い周波数が徐々に減衰されることになります。
次がMute回路ですが、最初[a]の回路を見てDからSに電流が流れないので、どのように動作するか分かりませんでした。あれこれ調べてみて、次のようなことが分かりました。
J-FET(Nチャネル)のドレイン(D)とソース(S)間はN型半導体なので、ある程度の抵抗値(数10~数100Ω)を示すものの導通があります。つまりAF信号等は通ることになります。そこに、D(あるいはS)に電圧をかけても導通したままですが、Gをアースに落とすことでバイアスがかかるのでDとS間の抵抗が大きくなりAF信号等は通さなくなるようです。実際にDに電圧をかけて試してみましたが、ダイオード(Di)がない時は約1.5V以下、Diを入れた時が約2.1V以下でAF信号が漏れてくるようです。また、DとSを逆に接続してみましたが、Sに電圧をかけた時よりDに電圧をかけた方が漏れが少ないので、[b]のようにDに電圧をかけることにしたいと思います。