佐渡むじなが都会で得た情報~むじなのひとりごとblog ver,

佐渡出身の長男坊「佐渡むじな」が、都会で過ごす日々の記録。佐渡と東京で得た情報を公開しております。

2006/06/06--今日の体調と独り言「パソコン用メモリ(RAM)の進化」

2006年06月06日 | Weblog
 パソコンの高速処理・動作で必要な必須アイテムであるメモリ。
 WindowsXPの動作をするには、やはり512MB以上がどうしても欲しいです。
 そんなメモリですが、今はDRAM(Dynamic Randam Access Memory-記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリ)というメモリが主流となっておりますが、次世代のメモリーでいくつかの方式が誕生しつつあるそうです。

 いくつかのメモリの種類を取りまとめてみました。

■現状メモリ
SRAM
 Static Random Access Memory
 一昔前のメモリでフリップフロップ回路で構成しているメモリ。
 大容量になると大きくなったり処理に時間が掛かる。

DRAM
 Dynamic Random Access Memory
 記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリ
 ※確か揮発性メモリとも言ってたかな??

■次世代メモリ
PRAM Phase change Random Access Memory
 相変化式随時書き込み読み出しメモリで、現在の半導体メモリに比べ格段に大容量で早く動作するメモリ。エルピーダメモリなど台湾勢力が熱心に開発。非シリコン系の新素材を加え、既存の製造設備に一部工程を加えるだけで製造コストが抑えられる事が特徴であるため、低価格化が進みそう?

MRAM
 Magnetoresistive Random Access Memory
 磁気記録式随時書き込み読み出しメモリで軍事・宇宙開発などの特殊な用途以外では利用していなかった様子です。ソニー、東芝、NEC等が開発を進めているとのこと。

FeRAM
 Ferroelectric Random Access Memory
 強誘電体メモリで富士通が開発を進めている。
 強誘電体は…電圧を加えることによって物質内の自発分極(物質内に電気的な正負が生じる状態)の方向を自由に変化させ、電圧をかけなくてもその分極方向を持続させることのできる誘電体(分極により電荷を蓄え、直流電流を通さない物質)のことであり、これを記憶素子とする不揮発メモリがFeRAMである。
 DRAMの構造によく似ているとのことで、しかもフラッシュメモリの10倍以上に及ぶ高速な読み書きが可能で、フラシュメモリ、EEPROMに比べて格段に上とのこと。

 参考:IT用語辞典「e-Words」FeRAM 強誘電体メモリより

 ヽ(。_゜)ノ ヘッ?
 難しい事ばかりでチンプンカンプンだな。
 しかし、これからも幾つかのメモリ種類がたくさん出てきそうですね。。。

 時代に追いついていくようにしなくちゃ…。

■2006/06/05の食事記録と今朝の体重
 今朝の体重は未計測。

▼朝食
 カレーライス(500kcal)

▼昼食
 カレーライス弁当(500kcal)

▼夕食
 深夜のたまご入りカレーライス(800kcal)

 ついに村上ファンドの代表である村上氏が逮捕されました。
 ここ3ヶ月の新聞・マスコミ記事を見てみると、どうも村上ファンドに対して倫理観が無いような?感じで攻撃的だなと感じておりましたが、結局は逮捕劇に結びついた訳でありますし…。
 世の中、人(企業)をカネで動かそうとするとロクなことが無いんだな…と、社会勉強にさせていただきました。

 昨日は5:30起床→8時事務所到着→10時会議開始→22時会議終了→0時帰宅→1時半就寝→そして今朝は6:30起床…と。
 月曜日からハードな一日でしたぜ。
 勘弁してくれい。

 今日も一日頑張るとするか…。
コメント
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