#IEDM2020 新着一覧

“hCFET”とは

 Si（シリコン）とGe（ゲルマニウム）など異なるチャネル材料を（左右でなく）上下に積層化させ、 n型FETとp型FET（※1）を最短距離で連結するようにした新しいFET構造です。&rd

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2022年9月27日
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