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Infineon|BG3123|明佳達電子|MOSFET|25 mA/200 mW/0.03 S  

2015-09-15 15:07:48 | 日記


基本情報(ニュ-&オリジナル)
型番:    BG3123
メーカ:   Infineon
パッケージ: SOT-363-6
コード:   14+
鉛フリー / RoHS対応:はい

フィーチャー
メーカ: Infineon
製品カテゴリー: MOSFET
Id - 連続ドレイン電流: 25 mA
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧: 8 V
トランジスタ極性: N-Channel
Vgs - ゲート - ソース間破壊電圧: 6 V
最高動作温度: + 150 C
Pd - 電力損失: 200 mW
取り付け様式: SMD/SMT
パッケージ/ケース: SOT-363-6
ブランド: Infineon Technologies
チャネルモード: Depletion
構成: Dual Semi-Biased
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 0.03 S
最低動作温度: - 55 C

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Infineon|BF2040|明佳達電子|RF MOSFETトランジスタ 

2015-09-15 15:01:00 | 日記


基本情報(ニュ-&オリジナル)
型番:    BF2040
メーカ:   Infineon
パッケージ: SOT-143
コード:   13+
鉛フリー / RoHS対応:はい

フィーチャー
メーカ: Infineon
製品カテゴリー: RF MOSFETトランジスタ
RoHS: RoHS対応品
ブランド: Infineon Technologies
Id - 連続ドレイン電流: 0.04 A
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧: 8 V
トランジスタ極性: N-Channel
技術: Si
Vgs - ゲート - ソース間破壊電圧: 7 V
ゲイン: 1 GHz
出力電力: 200 mW
最高動作温度: + 150 C
取り付け様式: SMD/SMT
パッケージ/ケース: SOT-143
パッケージ化: Reel
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 37 mS
最低動作温度: - 55 C
Pd - 電力損失: 200 mW
シリーズ: BF2040
工場パックの数量: 3000
タイプ: RF Small Signal MOSFET
別の部品番号: BF2040E6814HTSA1 SP000012215

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Infineon|BCR183S|明佳達電子|バイポーラトランジスタ - プリバイアス|Pd - 電力損失: 250 mW 

2015-09-15 14:56:16 | 日記


基本情報(ニュ-&オリジナル)
型番:    BCR183S
メーカ:   Infineon
パッケージ: SOT-363-6
コード:   14+
鉛フリー / RoHS対応:はい

フィーチャー
メーカ: Infineon
製品カテゴリー: バイポーラトランジスタ - プリバイアス
RoHS: RoHS対応品
パッケージ化: Reel
構成: Dual
トランジスタ極性: PNP
標準抵抗比: 1
取り付け様式: SMD/SMT
パッケージ/ケース: SOT-363-6
DCコレクター/ベース電流増幅率 hfe/分: 30
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値: 50 V
連続コレクタ電流: 100 mA
ピーク DC コレクタ電流: 100 mA
最高動作温度: + 150 C
ブランド: Infineon Technologies
エミッタ - ベース電圧 VEBO: 10 V
Pd - 電力損失: 250 mW
工場パックの数量: 10000

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Infineon|BCR116W/BCR116WE6327|明佳達電子|バイポーラトランジスタ - プリバイアス  

2015-09-15 14:50:18 | 日記


基本情報(ニュ-&オリジナル)
型番:    BCR116W/BCR116WE6327
メーカ:   Infineon
パッケージ: SOT-323-3 
コード:   14+
鉛フリー / RoHS対応:はい

フィーチャー
メーカ: Infineon
製品カテゴリー: バイポーラトランジスタ - プリバイアス
RoHS: RoHS対応品
ブランド: Infineon Technologies
構成: Single
トランジスタ極性: NPN
標準抵抗比: 0.1
取り付け様式: SMD/SMT
パッケージ/ケース: SOT-323-3
DCコレクター/ベース電流増幅率 hfe/分: 70
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値: 50 V
連続コレクタ電流: 100 mA
ピーク DC コレクタ電流: 100 mA
最高動作温度: + 150 C
ブランド: Infineon Technologies
エミッタ - ベース電圧 VEBO: 5 V
Pd - 電力損失: 250 mW
パッケージ化: Reel
シリーズ: BCR116

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Infineon|BC847B|明佳達電子|バイポーラトランジスタ - BJT|100 mA 100 MHz - 65 C~+ 150 C   

2015-09-15 14:39:32 | 日記


基本情報(ニュ-&オリジナル)
型番:    BC847B
メーカ:   Infineon
パッケージ: SOT-23-3
コード:   13+
鉛フリー / RoHS対応:はい

フィーチャー
メーカ: Infineon
製品カテゴリー: バイポーラトランジスタ - BJT
構成: Single
トランジスタ極性: NPN
コレクタ - ベース電圧 VCBO: 50 V
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値: 45 V
エミッタ - ベース電圧 VEBO: 6 V
最大 DC コレクタ電流: 100 mA
利得帯域幅製品 fT: 100 MHz
最高動作温度: + 150 C
取り付け様式: SMD/SMT
パッケージ/ケース: SOT-23-3
ブランド: Infineon Technologies
DCコレクター/ベース電流増幅率 hfe/分: 200
最低動作温度: - 65 C
パッケージ化: Reel
Pd - 電力損失: 330 mW

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