Infineon｜BG3123｜明佳達電子｜MOSFET｜25 mA/200 mW/0.03 S

基本情報(ニュ-＆オリジナル)
型番：　　　　BG3123
メーカ：　　　Infineon
パッケージ：　SOT-363-6
コード：　　　14+
鉛フリー / RoHS対応：はい

フィーチャー
メーカ: Infineon
製品カテゴリー: MOSFET
Id - 連続ドレイン電流: 25 mA
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧: 8 V
トランジスタ極性: N-Channel
Vgs - ゲート - ソース間破壊電圧: 6 V
最高動作温度: + 150 C
Pd - 電力損失: 200 mW
取り付け様式: SMD/SMT
パッケージ/ケース: SOT-363-6
ブランド: Infineon Technologies
チャネルモード: Depletion
構成: Dual Semi-Biased
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 0.03 S
最低動作温度: - 55 C

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