基板温度400℃のSi(001)表面にSTMの探針を近づけてしばらく待っていると写真のようなピラミッドが出来る。
このピラミッドは、2次元気体状のシリコン原子が探針と基板の間に発生する双極子場に引き寄せられたことによって、探針の直下に形成される。
この温度では、ピラミッドは不安定で、頂上から崩壊が始まり、脱離したシリコン原子はピラミッドの下部に吸着し、次第に平坦な島に移行する。
このピラミッドは、2次元気体状のシリコン原子が探針と基板の間に発生する双極子場に引き寄せられたことによって、探針の直下に形成される。
この温度では、ピラミッドは不安定で、頂上から崩壊が始まり、脱離したシリコン原子はピラミッドの下部に吸着し、次第に平坦な島に移行する。