第3章半導体・電子管・電子回路
番外編～トランジスターの
電流増幅率その3～
今回は、トランジスターの電流増幅率の 3 回目とし
てトランジスターの回路として 一番良く使用されま
すエミッター接地回路の電流増幅率 のお話をいたし
ます。
前回、お話を致しました ベース接地回路の電流増幅
率が基礎になりますので、 読み返しておいて下さい
。
※平成26年４月１日以降の試験からトランジスターの記号から丸が
無くなりまし た。
図-4をご覧ください。電池 Ebeで Ib が流れ、結果と
てIcが流れます。
Ebeに直列に微小な信号源 Vi が繋がれています。
Vi の変化により Ib が ΔIb だけ変化します。 結果とし
てIc が ΔIcだけ変化します。
Ie は、Ib + Icですので、Ie も ΔIeだけ変化します。
それではエミッター接地の電流増幅率についてお話を
します。エミッター接地では、Ibが入力でIc が、出力
となりますので エミッター接地の電流増幅率： βは、
β = ΔIc/ΔIb (2)
となります。
次に前回の(1)式の αと(2)式の β の関係を調べてみます
。
β = ΔIc/ΔIb = ΔIc/(ΔIe － ΔIc)
分子と分母を⊿Ie で割ります。
= (ΔIc/ΔIe)/{ (ΔIe － ΔIc）/ΔIe ｝
ここで前回の (1) 式の α = ΔIc/ΔIe を代入しますと
β = α/（1－α） （3）
となります。α は、1より小さいので、その結果(3)式
は、大きな数字になる事が分かります。βは、トラン
ジスターにより違いますが40～400位です。
α に0.999 とか 1より小さく、その中で出来るだけ 1
に近い数字を入れてβを計算して見て下さい。
β が大きな値となる事が実感できます。
エミッター接地増幅回路では(3)式より 電流増幅率が
大きくなる事が分かります。
今回は、エミッター接地の電流増幅率：β の算出方法
とベース接地の電流増幅率：α と β の関係式について
お話をしました。α とβ の関係式が大変重要ですので
βをαを使って書ける様にしておいて下さい。
次回は、 エミッター接地回路の 特徴についての お話
を致します。
「航空無線通信士受験塾」からの
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