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明佳達電子|IRF7205|International Rectifier|MOSFET

2015-10-21 13:41:44 | 日記


基本情報(ニュ-&オリジナル)
型番:    IRF7205
メーカ:   International Rectifier
パッケージ: SO-8
コード:   13+
鉛フリー / RoHS対応:はい

フィーチャー
メーカ: International Rectifier
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS: RoHS対応品
Id - 連続ドレイン電流: - 4.6 A
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧: - 30 V
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース: 130 mOhms
トランジスタ極性: P-Channel
Vgs - ゲート - ソース間破壊電圧: 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧: - 3 V
Qg - ゲート電荷: 27 nC
最高動作温度: + 150 C
Pd - 電力損失: 2.5 W
取り付け様式: SMD/SMT
パッケージ/ケース: SO-8
パッケージ化: Reel
ブランド: International Rectifier
構成: Single
下降時間: 71 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 6.6 S
最低動作温度: - 55 C
上昇時間: 21 ns
工場パックの数量: 4000
標準電源切断遅延時間: 97 ns
Typical Turn-On Delay Time: 14 ns

支払い方法  
T/T 、PayPal、Western Unionはお勧め

出荷(お届け、送料、引き渡し時間)
中国流通王やDHLなどはオーケー
(送料については見積書で含まれ、お引き渡し時間は2~3日間)

注文
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明佳達電子|IRF6622|International Rectifier|MOSFET(Pd - 電力損失34 W) 

2015-10-21 13:38:44 | 日記


基本情報(ニュ-&オリジナル)
型番:    IRF6622
メーカ:   International Rectifier
パッケージ: DirectFET-2
コード:   13+
鉛フリー / RoHS対応:はい

フィーチャー
メーカ: International Rectifier
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS: RoHS対応品
Id - 連続ドレイン電流: 15 A
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧: 25 V
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース: 6.8 mOhms
トランジスタ極性: N-Channel
Vgs - ゲート - ソース間破壊電圧: 20 V
Qg - ゲート電荷: 11 nC
Pd - 電力損失: 34 W
取り付け様式: SMD/SMT
パッケージ/ケース: DirectFET-2
パッケージ化: Reel
ブランド: International Rectifier
工場パックの数量: 4800

支払い方法  
T/T 、PayPal、Western Unionはお勧め

出荷(お届け、送料、引き渡し時間)
中国流通王やDHLなどはオーケー
(送料については見積書で含まれ、お引き渡し時間は2~3日間)

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明佳達電子|IRF6612TR|Infineon|ディスクリート半導体製品ー FET-シングル 

2015-10-21 13:35:30 | 日記


基本情報(ニュ-&オリジナル)
型番:    IRF6612TR
メーカ:   Infineon
パッケージ: DirectFET™アイソメトリックMX
コード:   14+
鉛フリー / RoHS対応:はい

フィーチャー
仕入先 Infineon Technologies Americas Corp.
メーカー品番 IRF6612TRPBF
商品概要 MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
鉛フリーステータス / RoHS ステータス 鉛フリー / RoHS対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
基準パッケージ 4,800
カテゴリー ディスクリート半導体製品
ファミリー FET-シングル
シリーズ HEXFET®
梱包形態 テープ&リール(TR)
FETタイプ MOSFET Nチャンネル、酸化金属
FET機能 標準
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 24A(Ta)、136A(Tc)
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 3.3ミリオーム @ 24A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.25V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg) 45nC @ 4.5V
Vds印加時の入力容量(Ciss) 3970pF @ 15V
電力 - 最大 2.8W
実装タイプ 面実装
梱包形態/ケース DirectFET™アイソメトリックMX
サプライヤデバイスパッケージ DIRECTFET™ MX

支払い方法  
T/T 、PayPal、Western Unionはお勧め

出荷(お届け、送料、引き渡し時間)
中国流通王やDHLなどはオーケー
(送料については見積書で含まれ、お引き渡し時間は2~3日間)

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明佳達電子|IPB60R385CP|Infineon Technologies|FET-シングル

2015-10-21 13:29:47 | 日記


基本情報(ニュ-&オリジナル)
型番:    IPB60R385CP
メーカ:   Infineon Technologies
パッケージ: PG-TO263-3-2
コード:   13+
鉛フリー / RoHS対応:はい

フィーチャー
仕入先 Infineon Technologies
メーカー品番 IPB60R385CP
商品概要 MOSFET N-CH 600V 9A TO-263
鉛フリーステータス / RoHS ステータス 鉛フリー / RoHS対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
基準パッケージ 1,000
カテゴリー ディスクリート半導体製品
ファミリー FET-シングル
シリーズ CoolMOS™
梱包形態 テープ&リール(TR)
FETタイプ MOSFET Nチャンネル、酸化金属
FET機能 標準
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 9A(Tc)
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 385ミリオーム @ 5.2A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 3.5V @ 340µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg) 22nC @ 10V
Vds印加時の入力容量(Ciss) 790pF @ 100V
電力 - 最大 83W
実装タイプ 面実装
梱包形態/ケース TO-263-3、D²Pak(2リード + タブ)、TO-263AB
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-3-2

支払い方法  
T/T 、PayPal、Western Unionはお勧め

出荷(お届け、送料、引き渡し時間)
中国流通王やDHLなどはオーケー
(送料については見積書で含まれ、お引き渡し時間は2~3日間)

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明佳達電子|IPA50R350CP|Infineon Technologies|FET-シングル 

2015-10-21 13:24:11 | 日記


基本情報(ニュ-&オリジナル)
型番:    IPA50R350CP
メーカ:   Infineon Technologies
パッケージ: TO-220-3
コード:   13+
鉛フリー / RoHS対応:はい

フィーチャー
仕入先 Infineon Technologies
メーカー品番 IPA50R350CP
商品概要 MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3
鉛フリーステータス / RoHS ステータス 鉛フリー / RoHS対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
基準パッケージ 500
カテゴリー ディスクリート半導体製品
ファミリー FET-シングル
シリーズ CoolMOS™
梱包形態 チューブ
FETタイプ MOSFET Nチャンネル、酸化金属
FET機能 標準
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 500V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 10A(Tc)
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 350ミリオーム @ 5.6A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 3.5V @ 370µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg) 25nC @ 10V
Vds印加時の入力容量(Ciss) 1020pF @ 100V
電力 - 最大 32W
実装タイプ スルーホール
梱包形態/ケース TO-220-3フルパッッケージ
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO220-FP

支払い方法  
T/T 、PayPal、Western Unionはお勧め

出荷(お届け、送料、引き渡し時間)
中国流通王やDHLなどはオーケー
(送料については見積書で含まれ、お引き渡し時間は2~3日間)

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