★炭素ニュース★QSTなど、グラフェン内部の電子のスピンの向きを制御可能に

　量子科学技術研究開発機構（QST）、物質・材料研究機構（NIMS）、筑波大学の研究チームは、グラフェン内部の電子のスピンの向きを、磁性酸化物を用いて制御できることを発見した。

　これは、電子デバイスの飛躍的な高速・省エネ化を可能にするスピントロニクスなどの量子情報技術にグラフェンを応用する際に鍵となる技術で、今日のエレクトロニクスが抱える性能限界や電力消費の問題の解決に繋がるもの。

　同研究では、磁性酸化物とグラフェンの接合によるスピン注入技術を開発した。最先端の量子ビーム技術であるスピン偏極ヘリウム原子ビーム技術を用いることで、グラフェン内部の電子のスピンを高感度に検出することに成功し、グラフェン内部のスピンが磁性酸化物のスピンと同じ向きに揃うことを発見した。

　同発見は、次世代高速・省エネルギー情報システムのための高機能スピントロニクスデバイスの実現に道筋をつけるもので、それにより、今後、充電の必要がない携帯端末や体内に埋めこんで使えるヘルスケアセンサーなど生活を豊かにする情報通信機器の実現が期待できる。