梅酒とマイクロパイプフリー

三千と六百もの 清き白川　阿蘇の名泉　手で掬き漱ぐ　

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 天の川
 milky way


【梅酒の季節】

　ゼウスは、自分とアルクメネの子のヘ
　ラクレスを不死身にするために、女神
　ヘラの母乳をヘラクレスに飲ませよう
　としていた。しかし、嫉妬深いヘラは
　ヘラクレスを憎んでいたため母乳を飲
　ませようとはしなかった。一計を案じ
　たゼウスはヘラに眠り薬を飲ませ、ヘ
　ラが眠っているあいだにヘラクレスに
　母乳を飲ませた。この時、ヘラが目覚
　め、ヘラクレスが自分の乳を飲んでい
　ることに驚き、払いのけた際にヘラの
　母乳が流れ出した。これが天のミルク
　の環になった。
　　　　　　　　　
　　　　　　　　　『ギリシャ神話』



天の川　水陰草の　秋風に　なびかふ見れば　時は来にけり

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　柿本人麻呂

天の川の水辺の草に立秋を感じ、年に一度
逢える七夕の到来を知った喜びの歌という。
季節を感受する表現力の大きさに驚く。さ
て、大化二年、聖徳太子が発令した禁酒法
のはじまりといわれる。それ以来、国税庁
やら大蔵省、税務署で酒は担税物資として
酒税法で仕切られているが梅酒は自宅でつ
くることができる。



・混和前の酒類はアルコール分20゜以上。
・酒類と混和する物品は糖類、梅、その他
  の省令で定められたものに限る。
・自ら消費するための範囲には同居の親族
  の消費を含む。他人の委託を受けて混和
  するものは含まない。
・消費者が自ら消費するため酒類と他の物
  品(酒類を除く）との混和する場合を除き、
  酒類に水以外を混和し、混和後も酒類で
  ある場合は、新たに酒類を製造したとみ
  なされる。
・2008年４月30日より、飲食店（旅館、民
  宿等を含む）で自家製の梅酒等を提供で
  きることになった。

そんな矢先、焼酎（ホワイト・リッカー）
と日本酒の等量で漬け込んだ梅酒が美味し
いとＮＨＫの「あさいち」で知る（梅：氷
砂糖：ホワイトリカー：日本酒＝１：0.5：
0.8：0.8）。それで家で漬け込むことも考
えたが、体調などを考え『ハーブの恵み』
を近くの卸で買ってきて昨日から飲みはじ
めたが、いずれ余裕ができたら自家製の梅
酒を造ってみよう（緑茶、ハーブを一緒に
漬け込む）。



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【ブラックシリコンの威力】



数年前から「半導体産業環境システム論」
の１つとして所謂、パワーデバイス半導体
（電力用半導体素子）の調査研究を行って
いた。尤も本格的な取り組みは1998年には
開始されていたが、「鳩山イニシャティブ」
などの世界的な地球環境意識の高まりパワ
ーデバイス需要が俄然拡大の一途となった。
電力損失を抑え、効率的な性能要求に適合
デバイス市場→2009年では、シリコン系、
SiC系、GaN系を含むデバイス分野の市場規
模は1兆311億円（→2015年では35%増の1兆
3,964億円規模に市場が拡大する見通し）と
なっている。


図　電子機器産業技術の動向

SiC-SBDやSIC-FET（MOSFET）といったス
イッチングデバイスでは既に量産化への動
きが見られ、電力損失を低減し、高温動作
や高効率化や大電力化にメリットのあるデ
バイスを利用することで従来のシリコン系
デバイスよりも小型化が実現できるため、
市場の拡大が期待されるわけだ。

　荒井和雄



とりわけ、ブラックシリコン（現物は無色
透明）と呼ばれる炭化ケイ素系デバイスは
従来のシリコン（ケイ素）系半導体より遙
かに優れた性能を有している。

１）電子の飽和ドリフト速度、絶縁破壊電
　  界が一桁以上高い
２）熱伝導度が三倍高い
３）耐熱性・耐薬品性に優れる




※「SiC半導体／デバイス事業化・普及戦略に係わる調査研究」




【マイクロパイプフリー】

ところが、製造途中の結晶欠陥が多発し歩
留まりや信頼性が劣化しその結果コスト高
が避けられない。SiCウエハーでは「マイク
ロパイプ」と呼ばれる中空貫通欠陥がある
と通電不良の原因となる。マイクロパイプ
存在密度を１平方㎝²当たり1個以下の品質

が求められる。通常、SiCの単結晶は１時間
に数mmのペースでの成長条件には、温度分
布が重要で、制御を間違えると、割れが発
生したりマイクロパイプが発生する。



図　炭化珪素基板を有するMOSFET 製作
    フローチャート図

これはシリコンは1400℃に対して、SiC が
2000℃を超える高温で、原子１個から直径
４インチ以上の広い空間を原子１個１個は
温度だけを頼りに飛行する。つまり、温度
分布の制御で原子１個１個を制御するが、
ケイ素と炭素という違った原子を１個１個、
順番に積み上げなければならないという困
難さが原因だ。

Epitaxial Growth

４インチのSiC単結晶ウエハーの場合、この
ような緻密な作業を約10²³乗個という膨大
な数のSiとCの原子の数だけ続けなければな
らない。そのステップフロー成長が促進さ
れ、基板にマイクロパイプや螺旋転移が存
在する場合でも、作製あるいは形成された
成長膜ではそのような欠陥が消滅するSiC膜
のエピタキシャル成長による製造方法の開
発に拍車がかかっている。


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【公開番号】特開2010-4073A
「炭化珪素製品、その製造方法、及び、炭化珪
　素製品の洗浄方法」

【課題】炭化珪素を用いた半導体装置等で
は、理論値通りの特性が得られないことが
多いため、本発明では、その原因を究明し
て炭化珪素の改善を図る。

【解決手段】炭化珪素表面における金属不
純物濃度が高いこと、その表面金属不純物
濃度を1×10¹¹（atoms/cm²）以下にすることに
より、実質的に特性の劣化を防止できるこ
とを見出した。このような高い清浄度の表
面を有する炭化珪素は硫酸と過酸化水素水
を含む水溶液を用いて洗浄することによっ
て得られる。
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国内でも1998年から5年間にわたって新エネ
ルギー・産業技術総合開発機構 （NEDO ）
による「超低損失電力素子技術開発プロジ
ェクト」が進んだが、パワー密度（W/cm³）
やコストで克服すべきハードルは高い（Ｉ
Ｔ機器や家電→電気自動車や鉄道→送電）
が、当面データセンターやネットワーク機
器の年間消費電力量を30％以上の削減に向
け精力的な国家的取り組みが進行中だし「
国策に売りなし」というではないか「鳩山
イニシアティブ」の１つとして電力用半導
体素子の実用化は最重点課題だ。



図　三菱電機及び東芝　株価チャート
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
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