極東極楽 ごくとうごくらく

豊饒なセカンドライフを求め大還暦までの旅日記

ハイビスカス茶はいかが?!

2017年07月31日 | 開発企画

 

 

            

                 成公七年(- 584) 呉の台頭  / 楚の荘王制覇の時代 


                                                

    ※ 楚の荘王が周の王室に伝わる鼎の軽重を問うだのが宣公三年(-606)であった。南
      方の新興勢力が中原に進出しはじめたのである。やがて、楚につづいて呉・越が興り、
      新興勢力を代表することになる。以下は楚の属目であった呉が指頭のきっかけをつか
      むエピソードである。ここにも巫臣の力が働いていた。「春秋の筆法」を用うるなら
      ば「夏姫が呉を指頭させた」とい
えるであろう。十一年前の宣公十四年の出来事から
      話ははじまる。この年の秋、楚の荘王は宋を
囲んだ。

    ※ 楚軍は宋包囲戦に勝利を収めて凱旋した。論功行賞のさい、子重(公子要石のこと。
      荘王の弟)は申邑と呂邑の一部を指定して、賞田として賜りたいと荘王に願い出た。
      荘王は承知したが、巫臣がこれに異議をとなえた。
      「子重が欲しがっている土地は申邑と呂邑の存立を保⊇重要な土地です。わが国は申
      邑・呂邑から武器と兵士を訓達して北方の敵を防いでいます。予示にあの土地をあた
      えてしまえば、この申邑・呂邑は有名無実の存在と化し、北方の晋や鄭は一気に漢水
      まで攻めよせるにちがいありません」
      荘公はこの進言に従い、千重への約束を取り消した。それ以来、子宝は巫臣に怨みを
      抱くようになった。
      子重のほかに、もう一人の男が巫臣に怨みを抱いた。令尹の子反である。子反が夏姫
      を娶ろうとしたとき、巫臣がこれを止めさせたことがあった。しかも、その後、巫臣
      はまんまと夏姫を横取りして晋に亡命したのである(※「巫臣のだくらみ」)。

      さて、荘王が没し共王が位をついだ。子重と子反は好機到来とばかり、巫臣の身内を
      次々と殺した。まず、巫臣の一族の子閻、子蕩、清尹の位にあった弗忌、襄老の息子
      の黒要。そして、かれらの財産を二人で分けあった。子重は子閻の財産を自分で取り、
      子蕩の財産を沈尹と王子羆に分けあたえた。黒藻と弗忌の財産は、子反が取った。晋
      にあってこれを伝え聞いた巫臣は、子重・子反の二人に手紙を送った。
      君に仕える身でありながら、何という悪辣比倫婪貧なふるまい、しかも罪なき者まで
      巻きぞえにするとは。今に見るがよい。おまえたちは、君命をうけて奔走し、野たれ
      死にするであろう。

      巫臣は使者として呉に行かせてくれるよう封侯に願い出て、承諾を得た。呉の君主寿
      夢は、巫臣の説くところにすっかり共鳴し、巫臣は思わくどおり、封と呉の間に協力
      体制をつくることに成功した。巫臣は、率いていった三十台の兵車のうち十五台に、
      射手と御者とを添えて呉にあたえ、呉の軍隊に兵車の操縦法、戦陣の組み方を教え、
      それと同時に楚に叛くようそそのかし仁。そして息子の孤庸を呉国駐在の外交官とし
      て残した。

      こうして、それまで楚の属国であった呉が、巣、徐(ともに楚の属国)を伐ち、楚と
      戦いをまじえるまでの強国になった。
      そのために、子重は君命を受けて奔走せざるを得なくなった。たとえば馬陵の会の直
      後、呉が楚の州来まで攻め入ったとき、鄭に遠征していた子重は、君命によって呼び
      もどされた。子重と子反はこのようにして、一年の間に七度も出勤命令を受けたので
      ある。呉はそれまで楚の支配下にあった内方の蛮夷を次々とその手中に収め、一躍、
      強国の列に加わった。こうして、中国の諸国は呉の地位ぐ認め、国交を開くこととな
      った。

      〈馬陵の会〉 この年の秋、楚の公子摺斉(子重のこと)が軍を率いて鄭を伐った。魯
      の或公
は晋侯・宋公・衛侯・費消・燕子・郷・杞伯と会して郎を救い、八月戊辰、衛
       の馬陵において
盟約をした。

       ★それから七十年後の昭公ニ八年(-514)、晋の名家羊舌氏が滅んだ。当主楊食我は
       夏姫
の孫に当たる。すなわち夏姫の禍は孫の代にまで及んだのである。 

      ※ ここまでは君主論として展開される。人民の安寧は、状況次第で奴隷にも、(兵)
        の命は、命は
重んじて惜しむべき場合と、潔く捨てるべき場合とがある。その判
        断は義にかなうか否か
によるべきである(司馬遷)として権力者の都合次第。さ
        
て、「死は或いは泰山より重く或いは鴻毛より軽し」の「泰山」を「地球」と置
        き換え値踏みすると、世界総GDP金額として、一人の命は約八千二百兆円以上とな
        るが、為政者はこの重みをどう考えるのだろうかと連想してみる。

 



【ZW倶楽部とRE100倶楽部の提携 Ⅱ】

✪  エネルギータイリング事業篇



❏ 最新リチウムイオンキャパシタ製造技術 

ワイヤレス・ヘルスケアの新しい市場が立ち上がりつつあり、ウエアラブル・デバイスを用いてヘ
ルスケア情報を取得し、その情報をもとにクラウドサーバにデータを蓄積するサービスが今後増え
てくると予想される。電子回路部品において、近年では、小型パッケージング化が進み、集積パ
ケージに搭載する電源回路用のチップコンデンサなどの周辺部品の点数が多くなってきている。

のような小型機器搭載部品の微細化や高集積化は、今後の市場の拡大に伴って、技術開発が継続

て行なわれる。一方、ウエアラブル機器やスマートフォンなどに代表するように小型電子機器に

用するバッテリーは大型化してきている。電子機器の小型化が進む一方で消費電力は減少するが

データ処理量の増大から、単位面積あたりの消費電力の減少は、デバイス自身の低消費電力化が
まないと期待できない。したがって、高度な情報処理が進む昨今では小型電子機器の構成モジュ

ルの中でのバッテリーの占有する容積比率は高くなる
と予想される。❶大容量バッテリー化では

チウムイオンなどの二次電池が有効である。❷一方、蓄電コンデンサであるキャパシタ方式は、

られた電気をそのまま電気で蓄積するため、電気-液を利用した湿式の二次電池よりもロスが少

く、蓄電効率が良い。現在では、リチウムイオンキャパシタに代表されるように、大容量二次電

の代替としての置き換えも進められている。




ところで、キャパシタ(コンデンサ)は、蓄電池として、長い間、その容量が小さいために、蓄電
用途として使用されてこなかったが、近年、一部の低消費デバイスをより効率よく蓄電した電力に
よって駆動させるべく、直接的に電荷蓄積が行なえるコンデンサ蓄電であるキャパシタを電源に用
いることが検討されている。例えば、基板に複数のビアホールを設け、これらのビアホール(穿孔
の内部に、金属-絶縁膜-金属(MIM)からなるキャパシタ構造を形成して、キャパシタとするこ
とが考えられる。この場合、キャパシタ容量を増加させるには、ビアホールの高密度化を図り、ビ
アホールの深さを深く高アスペクト比が前提となり、電源に用いることができる程度にキャパシタ
容量を増加させるには、一般的に用いられるドライエッチングによる製造限界に近いサイズやピッ
チのビアホールを形成することになり、これ以上のサイズやピッチのビアホールの形成は技術的に
困難である。さらに、このようなビアホールの内部にMIMからなるキャパシタ構造を形成するのは
さらに困難である。そこで、下図のような、ビアホールを用いたキャパシタを容易な製造方法が提
案されている。

❏ 特開2017-130583  蓄電装置及びその製造方法、センサ装置、情報処理システム


【要約】

蓄電装置を、基板8の一方の表面側に設けられた第1表面電極1と、基板の他方の表面側に設けら
れた第2表面電極2と、基板の一方の表面側から設けられた第1ビアホール3と、基板の他方の表
面側から設けられた第2ビアホール4と、第1ビアホールの内部に設けられ、第1表面電極から突
出する第1金属ビア電極5と、第1ビアホールの内部に設けられ、第1金属ビア電極の表面を覆う
絶縁膜6と、第2ビアホールの内部に設けられ、第2表面電極から突出する第2金属ビア電極7と
を備え、第1金属ビア電極と第2金属ビア電極の間に絶縁膜の少なくとも一部分が挟まれてキャパ
シタ9を構成しているものとする。


【図1】本実施形態にかかる蓄電装置に備えられるキャパシタの構成を示す模式的断面図
【図2】(A)、(B)は、本実施形態にかかる蓄電装置に備えられるキャパシタの構成の一例を
示す模式図であって、(A)は基板の面内方向に沿う断面図であり、(B)は基板の厚さ方向に沿
う断面図であり、(C)、(D)は、本実施形態にかかる蓄電装置に備えられるキャパシタの構成
の一例を示す模式図であって、(C)は基板の面内方向に沿う断面図であり、(D)は基板の厚さ
方向に沿う断面図であり、(E)、(F)は、本実施形態にかかる蓄電装置に備えられるキャパシ
タの構成の一例を示す模式図であって、(E)は基板の面内方向に沿う断面図であり、(F)は基
板の厚さ方向に沿う断面図
【図3】本実施形態にかかる蓄電装置に備えられるキャパシタの構成の一例を示す模式的断面図
【図4】(A)~(D)は、本実施形態にかかる蓄電装置に備えられるキャパシタの構成の一例を
示す模式的断面図
【図10】従来のビアホールを用いたキャパシタの構成を示す模式的断面図である。

Wikipedia


【図7】(A)~(F)は、本実施形態にかかるキャパシタを備える蓄電装置の製造方法を説明す
るための模式的断面図
【図8】本実施形態にかかるセンサ装置の構成を示す模式的斜視図
【図9】本実施形態にかかる情報処理システムの構成の一例を示す模式図
【図10】従来のビアホールを用いたキャパシタの構成を示す模式的断面図


【符号の説明】

1  第1表面電極  2  第2表面電極  3  第1ビアホール  4  第2ビアホール  5  第1金属
ビア電極  6  絶縁膜  7  第2金属ビア電極  8  基板(シリコン基板)  9 キャパシタ  10 
銀粒子  11  センサ装置  12  センサ  13  CPU  14  蓄電ユニット  15  メモリを
含むコントロール通信ユニット  16  センサネットワーク  17  フィールドサーバ  18  ポ
スト集計サーバ  19  クラウドサーバ

【概要】

【特許請求の範囲】 

  1. 基板の一方の表面側に設けられた第1表面電極と、
    前記基板の他方の表面側に設けられた第2表面電極と、
    前記基板の一方の表面側から設けられた第1ビアホールと、
    前記基板の他方の表面側から設けられた第2ビアホールと、
    前記第1ビアホールの内部に設けられ、前記第1表面電極から突出する第1金属ビア電極
    と、前記第1ビアホールの内部に設けられ、前記第1金属ビア電極の表面を覆う絶縁膜と、
    前記第2ビアホールの内部に設けられ、前記第2表面電極から突出する第2金属ビア電極と
    を備え、
    前記第1金属ビア電極と前記第2金属ビア電極の間に前記絶縁膜の少なくとも一部分が挟ま
    れてキャパシタを構成していることを特徴とする蓄電装置。
  2. 前記第1金属ビア電極の中心位置と前記第2金属ビア電極の中心位置がずれていることを特
    徴とする、請求項1に記載の蓄電装置。
  3. 前記第1金属ビア電極の中心位置と前記第2金属ビア電極の中心位置が一致していることを
    特徴とする、請求項1に記載の蓄電装置。
  4. 前記第1金属ビア電極の径と前記第2金属ビア電極の径が異なることを特徴とする、請求項
    1~3のいずれか1項に記載の蓄電装置。
  5. 複数の前記第1金属ビア電極と、
    複数の前記第2金属ビア電極とを備え、
    前記複数の第1金属ビア電極のピッチと前記複数の第2金属ビア電極のピッチが異なることを
    特徴とする、請求項1~5のいずれか1項に記載の蓄電装置。
  6. 複数の前記第1金属ビア電極と、
    複数の前記第2金属ビア電極とを備え、
    前記複数の第1金属ビア電極のピッチと前記複数の第2金属ビア電極のピッチが異なること
    を特徴とする、請求項1~5のいずれか1項に記載の蓄電装置。
  7. 前記複数の第1金属ビア電極のピッチが異なり、
    前記複数の第2金属ビア電極のピッチが異なることを特徴とする、請求項6に記載の蓄電装
    置。
  8. センサと、CPUと、蓄電ユニットと、メモリを含むコントロール通信ユニットとを備え、
    前記蓄電ユニットは、請求項1~7のいずれか1項に記載の蓄電装置によって構成されてい
    ることを特徴とするセンサ装置。
  9. 請求項8に記載のセンサ装置と、前記センサ装置にネットワークを介して接続されたサーバ
    とを備えることを特徴とする情報処理システム。
  10. 基板の一方の表面側からエッチングを行なって第1ビアホールを形成する工程と前記第1ビ
    アホールに絶縁膜を形成する工程と 前記基板の他方の表面側からエッチングを行なって第2
    ビアホールを形成する工程と、前記基板の一方の表面側に第1表面電極を形成するとともに
    前記第1ビアホールの内部の前記絶縁膜上に前記第1表面電極から突出する第1金属ビア電
    極を形成する工程と  前記第1金属ビア電極との間に前記絶縁膜の少なくとも一部が挟まれ
    てキャパシタが構成されるように、前記基板の他方の表面側に第2表面電極を形成するとと
    もに前記第2ビアホールの内部に前記第2表面電極から突出する第2金属ビア電極を形成す
    る工程とを含むことを特徴とする蓄電装置の製造方法
  11. 前記第1ビアホールを形成する工程において、金属を利用した異方性エッチングを行なって
    前記第1ビアホールを形成し、
    前記第2ビアホールを形成する工程において、前記絶縁膜とのエッチング選択比を利用して
    金属を利用した異方性エッチングを行なって、前記第2ビアホールを形成することを特徴と
    する、請求項10に記載の蓄電装置の製造方法

蓄電装置は、ビアホールを用いたキャパシタであって、MIMキャパシタ構造を有するキャパシタを
備え、例えば、センサデバイス、センサモジュール、電源用デカップリング容量、電源用キャパシ
タなどに用いられる。つまり、小型の電子機器への電源供給源としてのビアを用いた小型のキャパ
シタである。なお、異種混載デバイス用大規模キャパシタともいう。図1に示すように、第1表面
電極1と、第2表面電極2と、第1ビアホール3と、第2ビアホール4と、第1金属ビア電極5と
絶縁膜6と、第2金属ビア電極7とを備える。

ここで、第1表面電極1は、基板8の一方の表面側に設けられている。ここでは、基板8は、シリ
コン基板である。この場合、半導体チップと同様のSiプロセスを用いてビアホールやビアを形成
することができる。例えば、半導体回路上に高密度にキャパシタを形成することも可能である。な
お、基板8は、シリコン基板に限られるものではなく、例えば、GaAs、InPなどの化合物半
導体からなる基板、ガラス基板、セラミック基板、樹脂基板などであっても良い。なお、基板の一
方の表面を、単に表面、又は、上面ともいう。

第2表面電極2は、基板8の他方の表面側に設けられている。なお、基板8の他方の表面を、裏面
または、
下面ともいう。 第1ビアホール3は、基板8の一方の表面側から設けられている。つまり
第1ビアホール3
は、基板8の一方の表面側から基板8の内部へ向けて設けられている。なお、第
1ビアホール3は、基板8
の表面側から延びているため、表面側ビアホールともいう。

第2ビアホール4は、基板8の他方の表面側から設けられている。つまり、第2ビアホール4は、
基板8の他
方の表面側(裏面側)から基板8の内部へ向けて設けられている。なお、第2ビアホー
ル4は、基板8の裏面
側から延びているため、裏面側ビアホールともいう。第1金属ビア電極5は
第1ビアホール3の内部に設けられ、第1表面電極1から突出している。つまり、第1金属ビア電
極5は、基板8の表面側から、即ち、第1表面電極1の基板8側の表面から第1ビアホール3の内
部へ向けて突出している。なお、第1金属ビア電極5は、基板8の表面側から延びているため、表
面側金属ビア電極又は表面ビアともいう。


絶縁膜6は、第1ビアホール3の内部に設けられ、第1金属ビア電極5の表面を覆っている。つま
り、絶縁膜6は、第1ビアホール3の側面及び底面を覆うように設けられている。また、この絶縁
膜6上に第1金属ビア電極5が形成されているため、第1金属ビア電極5の側面及び底面を絶縁膜
6が覆っていることになる。この絶縁膜6は、第1金属ビア電極5の側面及び底面(壁面)を覆う
ライナー絶縁膜(壁面絶縁膜)である。

第2金属ビア電極7は、第2ビアホール4の内部に設けられ、第2表面電極2から突出している。
つまり、第2金属ビア電極7は、基板8の裏面側から、即ち、第2表面電極2の基板8側の表面か
ら第2ビアホール4の内部へ向けて突出している。なお、第2金属ビア電極7は、基板8の裏面側
から延びているため、裏面側金属ビア電極又は裏面ビアともいう。そして、第1金属ビア電極5と
第2金属ビア電極7の間に絶縁膜6の少なくとも一部分が挟まれてキャパシタ9を構成している。
つまり、第1金属ビア電極5、絶縁膜6、第2金属ビア電極7によって構成されるMIMキャパシ
タ構造を有するキャパシタ9を備える。このキャパシタ9は、基板8の両側から形成された第1金
属ビア電極5と第2金属ビア電極7との間の絶縁膜6に電荷を蓄積する構造である。また、後述す
るように、絶縁膜6を挟んだキャパシタ構造をセルフアラインで形成することもでき、また、ビア
の微細化と高密度化によって、単位面積あたりの電荷容量を高くすることが可能である。

この場合、第1ビアホール3と第2ビアホール4は、少なくとも一部分が重なり合うように、基板
8の反対側から互いに対向するように設けられることになる。つまり、第1金属ビア電極5と第2
金属ビア電極7は、少なくとも一部分が重なり合うように、基板8の反対側から互いに対向するよ
うに設けられることになる。なお、絶縁膜6の少なくとも一部分介在して一体化された第1金属ビ
ア電極5と第2金属ビア電極7は、基板8を貫通しているため、これを貫通ビア電極ともいう。こ
こでは、シリコン基板8を用いているため、シリコン貫通ビア(TSV)電極ともいう。このため
本実施形態のキャパシタ構造はTSVを利用したキャパシタ構造である(以下、割愛、上図、1~
4、10をダブクリ参照)。



● マダムスカタン、ホット・ハイビスカス・ティはいかが?!
 

ずいぶん前にストックしておいったハイビスカズ茶を取り出しホット・ハイビスカス茶をつくって
飲むことに。ところで、ハワイ諸島やマスカレン諸島原産、アオイ科フヨウ属の常緑中低木である
ハイビスカスは、見た目にも美しい花。よく海外リゾートのイメージ写真として使われることも多
いので、日本人でも馴染みがあるという人も多いといわれるが、わたしの周りにはまずいない(緑
茶やほうじ茶で充分というわけだ)。
ハイビスカスティーはビタミンを豊富に含み、クレオパトラ
が美を保つために愛飲されていたといわれているが、クエン酸がたっぷり含まれているので酸味が
少しきつい(それでも夏の熱中症対策には充分だろう)。そこで、シナモンやライム、レモン、ミ
ント、レモングラスなどを入れて砂糖を多めに入れ、ジャマイカ風などにアレンジし、ホットや冷
やしてで頂くのがお勧め。
ハイビスカス自体は沢山の種類があるが、ハイビスカスティーにするの
は通常「ローゼル」という種類。また、かき氷風のグラニーダ(グラニテ)やグラッタケッカ――
シチリアでは、昔からレモン、マンダリンオレンジ、ジャスミン、コーヒー、アーモンド、ミント
イチゴ、クワの実などのグラニータの人気が高い。好まれる氷の粒の大きさには地方によって差
異がある。グラニータにはブリオッシュを添えて食べる習慣があり、横半分に切ったブリオッシュ
にはさんで食べたり、夏期はグラニータとブリオッシュ(菓子パン)を朝食とすることもある――
にして頂くのもよいだろう(経験なし)。
 



ハイビスカスティーには、主にビタミンC、クエン酸、リンゴ酸、カリウム、アントシアニン、ポリ
フェノール、アミノ酸と言った成分が含まれています。特にその特徴とも言える酸味は、クエン酸
やリンゴ酸などが豊富に含まれているので、ビタミンC活性酸素から細胞を守り肌の老化を防ぐ効
果が期待され、シミ・そばかすの原因となるメラニン色素を抑え、分解。これに加えて、クエン酸
やリンゴ酸が新陳代謝を高め相乗効果が生まれる。カリウムには、利尿作用があり、むくみや二日
酔いの改善に、加えて、クエン酸が血流を改善する効能があり、血液中の余分な水分や老廃物の排
出が促され、合わせて体がデトックスが期待できる。また、アントシアニンと呼ばれるポリフェノ
ールの1種によって、眼精疲労や花粉症の症状緩和の効能もある。服用にはこれといった副作用は
ないが、
頭痛や吐き気などの症状が出たときには、すぐに飲むのをやめよう。

尚、ハイビスカスティーを作るときに使うのは、花が咲いた後に大きくなるローゼルの萼。中に入っている萼
を収穫して、加工する。 

      1. 茎の方を包丁で切り落とす
      2. 実から萼だけを手で取り外す
      3. 萼をキレイに水洗いする
      4. 軽く水気を拭き取り、ザルにあげる
      5. 天日干しにして2~3日ほど乾燥させる
      6. 乾燥剤と一緒に密閉容器に入れて保存する

 



  

ジャンル:
ウェブログ
コメント   この記事についてブログを書く
この記事をはてなブックマークに追加
« 平尾昌晃と摩周湖 | トップ | ZW倶楽部との提携 Ⅲ »
最近の画像もっと見る

コメントを投稿

開発企画」カテゴリの最新記事